半导体场效应晶体管

作品数：328被引量：449H指数：9
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全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成（英文）被引量：1
《微纳电子技术》2019年第12期970-977,共8页田明 宋洋 雷海波 
Shanghai Huali Integrated Circuit Corporation within the project of FDSOI program
介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种...
关键词：全耗尽绝缘体上硅(FDSOI) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 源/漏区抬升结构 外延生长 绝缘体上硅(SOI)损耗 
新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望被引量：3
《微纳电子技术》2019年第11期875-887,901,共14页刁华彬 杨凯 赵超 罗军 
Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga...
关键词：β-Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 
β-Ga2O3欧姆接触的研究进展被引量：1
《微纳电子技术》2019年第9期681-690,共10页杨凯 刁华彬 赵超 罗军 
近年来,随着氧化镓(Ga2O3)晶体生长技术取得突破性进展,氧化镓材料及器件的研究与应用成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。综述了β-Ga2O3衬底的一些优点以及面临的挑战,重点介绍了如何实现良好的欧姆接触。围绕采用低功函数金属...
关键词：β-Ga2O3 欧姆接触 功率器件 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 金属电极 
InGaAs纳电子学的进展被引量：1
《微纳电子技术》2016年第4期209-219,226,共12页赵正平 
InGaAs HEMT器件和纳米加工技术的结合推动了InGaAs纳电子学的发展,在太赫兹和后CMOS逻辑电路两大领域产生重要影响。综述了InGaAs纳电子学近10年在两大领域的发展路径和最新进展。在太赫兹领域,InGaAs纳电子学以InGaAs HEMT发展为主,...
关键词：纳电子学 INGAAS INAS InP高电子迁移率晶体管(HEMT) GaAs变构高电子迁移率晶体管(MHEMT) InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 太赫兹 后互补金属氧化物半导体(CMOS) 
硅纳米管和纳米线场效应晶体管的模拟和比较被引量：1
《微纳电子技术》2014年第4期209-213,235,共6页朱兆旻 张存 
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003)
从硅纳米管和纳米线场效应晶体管的结构出发,先用Silvaco公司的TCAD仿真软件模拟出硅纳米管和纳米线的电势分布,然后根据电势分布依次求出两种器件的有效哈密顿量、非平衡格林函数及自能函数和电子浓度,再从电子浓度推导出电流密度与电...
关键词：纳米管 纳米线 非平衡格林函数 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 器件建模 
S波段大功率SiC MESFET的设计与工艺制作
《微纳电子技术》2011年第9期558-561,582,共5页付兴昌 潘宏菽 
针对SiC功率金属半导体场效应晶体管如何在实现高性能的同时保证器件长期稳定的工作,从金属半导体接触、器件制造过程中的台阶控制、氧化与钝化层的设计及器件背面金属化实现等方面进行了分析;并结合具体工艺,对比给出了部分实验结果。...
关键词：碳化硅(SiC) 金属半导体场效应晶体管(MESFET) 功率 微波 S波段 
MOSFET栅氧泄漏隧穿电流的分析模型:量子力学研究(英文)
《微纳电子技术》2011年第6期357-364,共8页Amit Chaudhry Jatindra Nath Roy 
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用清晰的表面势方程改进模型的准确性。在研究模型中考虑了Si衬底中反型层的量子化和多晶硅栅耗尽,还研究...
关键词：反型层量子化 隧穿模型 Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似 多晶硅栅 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 
La基高k栅介质的研究进展
《微纳电子技术》2010年第5期282-289,共8页陈伟 方泽波 马锡英 谌家军 宋经纬 
国家自然科学青年基金项目(60806031);国家自然科学基金项目(60776004);绍兴市重点科研项目(2007A21015)
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出...
关键词：高K栅介质 La基氧化物 二氧化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 摩尔定律 
S波段系列SiC MESFET器件研制被引量：7
《微纳电子技术》2008年第6期322-325,333,共5页李亮 潘宏菽 默江辉 陈昊 冯震 杨克武 蔡树军 
SiC材料具有宽禁带、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、高热导率和相对低的介电常数等优点，使SiC MESFET在微波功率等方面的应用得到了快速发展。采用国产SiC外延片，解决了欧姆接触、干法刻蚀及损伤修复等一系列工艺难题；针对不同应...
关键词：碳化硅 S波段 功率器件 金属-半导体场效应晶体管 功率密度 
4H-SiC MESFET结构与直流特性研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第1期12-14,32,共4页徐俊平 杨银堂 贾护军 张娟 
国家预研基金资助项目(51308030201)
运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提...
关键词：4H—SiC金属外延半导体场效应晶体管 凹栅 埋栅 表面陷阱 
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