云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 半导体光电探测器

半导体光电探测器: 作品数：23被引量：41H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：崔艳霞李国辉陈星刘可为张健更多>>; 相关机构：太原理工大学吉林大学中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>; 相关期刊：《导航与控制》《强激光与粒子束》《半导体杂志》《中国科技期刊数据库工业B》更多>>; 相关基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>

PEN衬底氧化镓基柔性紫外探测器的制备与性能研究(特邀)被引量：1: 《光子学报》2024年第7期49-57,共9页丁悦皇甫倩倩左清源梁金龙弭伟王迪张兴成刘振何林安; 天津市自然科学基金(No.22JCQNJC01370)。; 针对传统硬性衬底无法弯折的问题,采用聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)衬底制备柔性紫外光电探测器。柔性衬底具有的抗曲折性,能够提升探测器的鲁棒性,并且能让其适用于各种复杂形态的应用场景,同时减少占用空间,有助于整个电路的集成化。实验...; 关键词：半导体光电探测器柔性紫外探测器射频磁控溅射氧化镓聚萘二甲酸乙二醇酯氧化铟锡

基于GaN AlGaN的半导体光电探测器及其现状研究: 《中国科技期刊数据库工业B》2018年第12期00178-00178,共1页叶心妍; III族氮化物半导体是由二元(GaN,AlN,InN),三元(InGaN,Al-GaN,InAlN)和四元(InAlGaN)材料组成的族系。从目前对第三代半导体材料和器件的研究来看,相对成熟的第三代半导体材料是SiC和GaN,而对其他第三代半导体材料如ZnO,金刚石和氮化铝...; 关键词：GAN ALGAN 半导体光电探测器

半导体光电探测器在GaN AlGaN影响下的相关研究: 《中国科技期刊数据库工业B》2018年第12期00177-00177,共1页王维; 本文介绍了基于GaN / AlGaN的光电探测器的基本原理,基本结构和近年来金属-半导体-金属光电探测器,肖特基势垒光电探测器的研究状况。研究成果出现中约2k A / W响应度和1pA暗电流,显示出该领域的巨大改进。; 关键词：GAN 半导体光电探测器肖特基势垒光电探测器金属-半导体-金属光电探测器

多光谱成像技术及其在印刷中的应用: 《印刷质量与标准化》2017年第5期24-27,共4页汪丽霞; 多光谱成像技术出现于20世纪70年代，早期应用于遥感、地而军事等领域，随着半导体光电探测器的出现，多光谱成像技术迅速发展，其应用范围扩展到药物学、环境科学、食品工程、农业、印刷等领域。; 关键词：成像技术多光谱应用印刷半导体光电探测器环境科学食品工程药物学

高速半导体光电探测器同轴封装工艺误差分析被引量：1: 《电子制作》2016年第8期42-44,共3页刘昭谦; 由于同轴封装工艺误差对高速半导体光电探测器(Photoelectron Diode,PD)组件耦合效率的影响,会导致高速PD的接收灵敏度下降。为了减少同轴封装工艺的误差,分析了同轴封装工艺误差对高速PD耦合效率的影响,从而得出结论:高速PD组件中管帽...; 关键词：耦合效率同轴封装芯片横向偏移芯片倾斜管帽倾斜

上海技物所低维红外光电探测器研究工作进展获关注: 《红外》2016年第1期F0004-F0004,共1页; 据上海技术物理研究所网站报道，德国Wiley在MaterialsViewsChina杂志以“当传统铁电材料遇见新型二维材料：光电探测的新思路”为题报道了上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室王建禄、胡伟达等研究人员发表在AdvancedMaterials...; 关键词：上海技术物理研究所红外光电探测器半导体光电探测器国家重点实验室低维二维材料红外物理铁电材料

InGaN metal-insulator-semiconductor photodetector using Al_2O_3 as the insulator被引量：4: 《Chinese Science Bulletin》2013年第7期633-636,共4页ZHANG KaiXiao MA AiBin JIANG JingHua XU Yan TAI Fei GONG JiangFeng ZOU Hua ZHU WeiHua; supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 51141002);the Fundamental Research Funds for the Central Universities (B1020270);Natural Science Foundation of Jiangsu Province of China (Grant No. BK2010521); In this paper,an InGaN metal-insulator-semiconductor(MIS) photodetector with an ultra-thin Al2O3 insulation layer deposited by atomic layer deposition(ALD) was studied.A high photoelectric responsivity of 0.25 A/W and...; 关键词：半导体光电探测器 INGAN 绝缘体 AL 金属空间电荷限制电流原子层沉积光电检测器

对新型半导体光电探测器及其填充系数的研究: 《科技经济市场》2006年第4期29-,共1页朱芳; 本文提出了一种用于CMOS传感器的新型半导体光电器件。由于引入PN注入结,沟道电流同时存在电子电流和空穴电流,因此提高了器件的响应灵敏度,避免了大的寄生电容,提高了信噪比。本文详细的分析了其工作原理和光电特性。; 关键词：CMOS图像传感器瞬态特性填充系数

超高速半导体光电探测器的研制被引量：1: 《计算机测量与控制》2005年第9期990-991,994,共3页王益成; 介绍了一种微微秒Si—PIN光电探测器;虽然Si—PIN光电探测器结构与工艺简单,易于批量生产,但用硅材料很难使其响应时间小于100ps。为改善响应及防止高频反射影响,试制中加入了适量的铁磁物质。实验结果表明,研制的这种元件响应速度快,...; 关键词：光电探测器响应时间响应角离子注入技术

光电探测器被引量：1: 《导航与控制》2005年第4期13-13,共1页李永兵杨宏（审核）; 光电探测器是一种把光辐射信号转变为电信号的器件，其工作原理是基于光辐射与物质的相互作用所产生的光电效应。按照器件的构造，半导体光电探测器可分为均质型和结型两种。结型半导体器件又可分为PN结型、PIN结型、异质结型和肖特基...; 关键词：半导体光电探测器半导体器件肖特基势垒辐射信号光电效应相互作用工作原理光纤陀螺 PIN 结型

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