PECVD

作品数：718被引量：1141H指数：13
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SiN_x/SiO_xN_y叠层结构防潮能力的研究
《半导体光电》2019年第5期643-648,共6页许海飞 喻志农 程锦 栗旭阳 陈永华 李言 薛建设 
国家自然科学基金项目(61675024)
研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺参数对SiNx及SiOxNy防潮能力的影响,并测试了SiNx/SiOxNy叠层薄膜的水汽渗透速率(WVTR)。实验结果表明:单层SiNx薄膜和SiOxNy薄膜都存在临界厚度,当膜厚大于临界值时,继续增大厚度不会明显改...
关键词：PECVD SINX SiOxNy 水汽渗透速率 叠层 弯曲 
Ar环境下氢化非晶锗硅的制备与特性研究
《半导体光电》2016年第3期362-365,共4页刘韦颖 蒋向东 王继岷 连雪艳 伍海峰 
国家自然科学基金项目(51372032)
采用RF-PECVD法在氩环境下制备了Ge掺杂a-Si∶H。将样品通过台阶仪、傅里叶红外光谱仪、紫外可见光分光光度计以及Keithley高阻仪进行分析测试,研究了不同掺杂比例对非晶硅薄膜沉积速率、结构因子、光学带隙及光暗电导率的影响。实验表...
关键词：氢化非晶硅 锗掺杂 PECVD 氩环境 
PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究
《半导体光电》2015年第6期951-953,共3页陈德军 刘爽 刘永 何存玉 尹潘薇 
国家自然科学基金项目(61177035;61421002);四川省科技项目(2011GZ0003;2012GZ0051);中电集团CCD研发中心项目
针对用于制备非晶硅薄膜的PECVD设备反应室的流体场进行了模拟仿真,并实验制备了相对应条件下的非晶硅薄膜,利用台阶仪完成了对薄膜厚度的测量,对比仿真结果,发现薄膜的厚度分布情况与基片表面附近的气流分布情况密切相关,获得均匀性优...
关键词：非晶硅薄膜 PECVD 均匀性 
轻掺杂氢化非晶硅的制备与光电性能研究
《半导体光电》2014年第4期650-653,共4页石兵 蒋向东 王继岷 邓宗权 程自亮 
国家自然科学基金项目(51372032)
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,以高纯度硅烷(SiH4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,在ITO玻璃衬底上制备出硼轻掺杂浓度的氢化非晶硅(a-Si∶H)半导体薄膜。测量了样品的光暗电导率、折射率、消光系数、禁带宽度随掺杂浓度的变化...
关键词：PECVD 氢化非晶硅 硼掺杂 电导率 折射率 
管式PECVD射频功率对氮化硅薄膜性能的影响
《半导体光电》2012年第6期853-855,862,共4页任现坤 马玉英 张黎明 刘鹏 姜言森 程亮 徐振华 贾河顺 张春艳 
国家"863"计划重点项目(2012AA050303;2011AA050504);山东省自主创新成果项目(2010ZHZX1A0702;2011ZHZX1A0701)
氮化硅薄膜作为传统的晶体硅太阳电池钝化减反膜,其性能的变化直接影响电池的转化效率。通过改变管式PECVD的射频功率,制备了不同膜厚和折射率的氮化硅薄膜,并分别进行了薄膜致密性以及硅片镀膜后少子寿命的测试。实验及测试结果表明,改...
关键词：氮化硅 转化效率 射频功率 致密性 少子寿命 
PECVD制备纳米晶多晶硅薄膜
《半导体光电》2012年第5期680-682,共3页张丽民 刘淑凤 夏雯 李冀东 
科技部创新方法专项项目(2010IM031300)
以Si(100)为衬底,采用磁控溅射和射频等离子体增强化学气相沉积系统制备了Si(100)/Al膜/非晶Si膜结构的样品。对该样品进行Al诱导真空退火以制备多晶硅薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和AFM分析薄膜微结构及表面形貌。实验结果表明,在经过50...
关键词：PECVD 非晶硅 Al诱导晶化真空退火 机理 
非晶硅薄膜的LF-PECVD制备及椭偏表征被引量：1
《半导体光电》2012年第3期385-389,共5页钟志亲 张国俊 王姝娅 戴丽萍 吴鹏飞 
以SiH4为先驱气体,采用低频等离子体增强化学气相沉积(LF-PECVD)方法在Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。在薄膜沉积过程中,工艺参数将会影响非晶硅薄膜的沉积速率和光学性能。通过反射式椭圆偏振光谱仪(SE)研究了SiH4气体流量...
关键词：PECVD 氢化非晶硅 椭偏测量 沉积速率 光学常数 
真空退火对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：4
《半导体光电》2012年第1期74-78,共5页柳聪 蒋亚东 黎威志 
国家自然科学基金资助项目(60736005)
研究了真空退火温度对不同流量比工艺参数下PECVD氮化硅薄膜性能的影响,测试了退火后氮化硅薄膜厚度、折射率以及在氢氟酸中的腐蚀速率。结果表明,退火后氮化硅薄膜厚度及折射率变化与薄膜沉积工艺条件有关,而薄膜在氢氟酸中的腐蚀速率...
关键词：真空退火 PECVD 氮化硅 红外透射谱 
PECVD制备氮化硅薄膜的研究被引量：6
《半导体光电》2011年第2期233-235,239,共4页赵崇友 蔡先武 
采用PECVD法制备了氮化硅薄膜,探讨了沉积参数对氮化硅薄膜折射率的影响和衬底温度对氮化硅薄膜形貌和成分的影响规律。结果表明,不同的NH3流量可改变反应腔体内的氮硅比,对氮化硅的折射率,即减反射性能影响较大;衬底温度是影响氮化硅...
关键词：PECVD 氮化硅薄膜 减反射性能 
非晶硅薄膜表面形貌和光学性质的工艺研究被引量：3
《半导体光电》2010年第3期406-411,共6页张佳宁 刘爽 张怡 陈伟 
采用PECVD在K9玻璃基底上制备了非晶硅薄膜,通过改变射频功率、反应压强和基片温度制得不同的薄膜样品。采用金相显微镜对其表面形貌进行了观察,通过椭圆偏振法测得了不同工艺条件下薄膜样品的折射率、消光率及厚度。结合成膜机理和经...
关键词：非晶硅 PECVD 折射率 表面形貌 生长机理 
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