P型

作品数：1858被引量：2987H指数：18
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溅射气体流量比对磷掺杂ZnO光学性质的影响被引量：1
《吉林化工学院学报》2019年第1期79-82,共4页解玉鹏 王显德 
吉林化工学院校级项目(2015053);吉林化工学院校级博士启动项目(2015129);吉林化工学院重大科技项目(2015011)
采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,发光光谱和透射吸收光谱表征薄膜的光学性质,讨论了溅射气体流量比对薄膜光学性质的影响.结果表明,当Ar/O_2为1/0.05时,观察到明显的紫外发光,带隙宽度为3.310 e V.
关键词：磁控溅射 ZNO薄膜 P型 光学性质 
退火温度对磷掺杂ZnO结构及电学性质的影响被引量：1
《大学物理实验》2018年第6期5-8,共4页解玉鹏 王显德 
吉林化工学院校级项目(2015053);吉林化工学院校级博士启动项目(2015129);吉林化工学院重大科技项目(2015011)
采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响。结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜。
关键词：磁控溅射 ZNO薄膜 P型 退火温度 
溅射气体流量比对磷掺杂ZnO电学性质的影响被引量：2
《大学物理实验》2018年第5期75-78,共4页解玉鹏 王显德 张楠楠 蔚金 
吉林化工学院校级项目(2015053);吉林化工学院校级博士启动项目(2015129);吉林化工学院重大科技项目(2015011)
采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,研究溅射气体流量比对薄膜性能的影响,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了溅射气体流量比对薄膜电学性质的影响。结果表明,当Ar/O_2为1/0.05时,得到p型ZnO:P,其电阻率为5...
关键词：磁控溅射 ZNO薄膜 P型 电学性质 
Riemann-Liouville分数阶P型迭代算法的收敛性
《扬州大学学报（自然科学版）》2018年第4期9-12,共4页李艳芳 刘向虎 刘衍民 何军 
贵州省教育厅基金资助项目(KY[2015]391);贵州省科技厅资助项目([2016]1160;[2016]1161);贵州省联合基金资助项目(LH[2015]7002);遵义市科合人才基金资助项目([2016]15);遵义师范学院博士基金资助项目(BS[2014]19;BS[2015]09)
运用Laplace变换和Mittag-Leffler函数,研究一类Riemann-Liouville分数阶P型迭代算法的收敛性,建立并证明了开闭环P型迭代算法收敛性定理.结果表明:此算法在Riemann-Liouville分数阶系统中是可行、有效的,拓宽了迭代学习算法的应用范围.
关键词：Riemann-Liouville分数阶导数 迭代学习控制 收敛性 Mittag-Leffler函数 
带初始状态误差的分数阶P型迭代算法的收敛性分析被引量：1
《重庆师范大学学报（自然科学版）》2018年第3期107-112,共6页李艳芳 刘向虎 刘衍民 何军 
遵义师范学院博士基金(No.BS[2014]19;No.BS[2015]09);贵州省联合基金(No.LH[2015]7002);贵州省教育厅基金(No.KY[2015]391;No.KY[2016]046);贵州省教育厅教学改革项目(No.[2015]337);贵州省科技厅项目黔科合基础(No.[2016]1160;No.[2016]1161);遵义市科合人才(No.[2016]15)
【目的】为了解决实际的操作中迭代初态相对于期望初态的误差问题。【方法】通过Laplace变换和M-L函数引导出了弱解的表达式,证明开闭环P型迭代算法收敛的充分条件,最后举例对结果进行验证。【结果】证明了开闭环迭代算法的收敛性。【...
关键词：CAPUTO分数阶导数 迭代学习控制 收敛性 M-L函数 
C和F掺杂p型ZnO的第一性原理研究被引量：6
《人工晶体学报》2017年第11期2159-2163,2177,共6页李强 向晖 谭兴毅 杨永明 
湖北省自然科学基金(2014CFB619;2014CFB342);湖北民族学院博士启动基金(MY2012B006);湖北民族学院院内青年科研基金(MY2017Q006)
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法对C/F单掺杂ZnO和C-F共掺杂ZnO的O位体系进行了研究,讨论了掺杂体系的稳定性、电子结构和电学性质、光学性质。研究结果表明C和F共掺的形成能比C单掺的形成能小很多,即C和F共掺增加了体系的稳...
关键词：掺杂ZnO 电子结构 电学性质 光学性质 
Sb-Na共掺p型ZnO的第一性原理研究被引量：1
《人工晶体学报》2016年第12期2902-2907,共6页谭兴毅 李强 朱永丹 左安友 
湖北省自然科学基金(2014CFB342;2014CFB619);湖北民族学院博士科研启动基金(MY2013B020)
运用密度泛函理论,计算了SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的稳定性、能带结构和电子态密度.研究发现SbZn、NaZn、SbZn-n NaZn掺杂ZnO晶体的结构稳定,Sb-Na共掺杂改善了体系的固溶度。能带结构表明,SbZn体系为n型间接带隙半导体材料;...
关键词：P型ZNO 电子结构 导电性能 
P型掺杂BaSnO_3的电子结构和光学性能的第一性原理研究被引量：2
《人工晶体学报》2013年第2期355-359,共5页胡诚 谭兴毅 
国家自然科学基金(61078057,51172183,51202195);湖北民族学院博士人才基金;湖北民族学院博士科研启动基金
基于密度泛函理论,计算了Y以及In掺杂BaSnO3的稳定性、电子结构和光学性质。结果表明Y以及In掺杂BaSnO3体系结构稳定,且均为p型透明导电材料,在可见光区透过率大于85%,且Y以及In掺杂BaSnO3体系的导电性明显得到了改善。
关键词：透明导电材料 电子结构 光学性质 
MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量：1
《功能材料》2011年第7期1227-1229,共3页韩军 邢艳辉 邓军 朱延旭 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA03Z402);北京市自然科学基金资助项目(4102003;4092007;4112006);北京市教育委员会科技发展计划资助项目(KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金资助项目(X0002013200901;X0002013200902)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有...
关键词：Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积 原子力显微镜 X射线双晶衍射 
p型GaN低温粗化提高发光二极管特性被引量：4
《物理学报》2010年第2期1233-1236,共4页邢艳辉 韩军 邓军 李建军 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展计划(批准号:2008AA03Z402);北京市自然科学基金(批准号:4092007; 4102003);北京市教育委员会科技发展计划(批准号:KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:X0002013200901)资助的课题~~
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上低温生长GaN:Mg薄膜,对不同源流量的GaN:Mg材料特性进行优化研究.研究表明二茂镁(CP2Mg)和三甲基镓(TMGa)物质的量比([CP2Mg]/[TMGa])在1.4×10-3—2.5×10-3范围内,随[CP2Mg]/[TMGa]增加...
关键词：氮化镓 金属有机物化学气相沉积 原子力显微镜 X射线双晶衍射 
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