SBD

作品数：204被引量：259H指数：7
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高k场板终端准垂直GaN功率肖特基势垒二极管
《半导体技术》2025年第2期141-146,共6页胡宪富 
蒙东新能源事业部唐兴风电场集电线路智慧运维在线监测装置项目(P-XJ-23-00038702)。
随着功率电子器件对高效能、高耐压和低损耗需求的不断提升,GaN肖特基势垒二极管(SBD)凭借其卓越的材料和器件特性成为研究热点。然而,GaN SBD在高电压下仍面临边缘电场集聚的挑战。为解决这一问题,提出采用高介电常数(k)材料钛酸钡(BTO...
关键词：GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 钛酸钡(BTO) 击穿电压 电场仿真 
阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性被引量：1
《半导体技术》2023年第5期375-379,共5页郭艳敏 杨玉章 冯志红 王元刚 刘宏宇 韩静文 
青年人才托举工程资助项目(2020-JCJQ-QT-080)。
提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,...
关键词：氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 刻蚀 击穿电压 功率品质因子(FOM) 
氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展被引量：2
《半导体技术》2022年第12期946-955,共10页王歌 杨帆 王方圆 杜浩毓 王晓龙 檀柏梅 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金资助项目(F2018202174)。
Ga_(2)O_(3)是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm,Baliga优值超过3000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga_(2)O_(3)是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广...
关键词：氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 外延 边缘终端 场板 
200~220GHz平衡式高效率二倍频器被引量：1
《半导体技术》2022年第10期804-808,共5页马春雷 宋旭波 梁士雄 顾国栋 周幸叶 冯志红 
基于GaAs肖特基势垒二极管(SBD)芯片,研制了工作频率为200~220 GHz的二倍频器。采用抑制奇次谐波的平衡式电路拓扑结构以提高转换效率;采用击穿电压为-9 V的GaAs SBD并结合多阳极结结构芯片以提高输出功率;采用低阻微带线以减小波导短...
关键词：太赫兹 二倍频器 肖特基势垒二极管(SBD) GAAS 转换效率 
GaN基肖特基势垒二极管的结构优化研究进展被引量：2
《半导体技术》2022年第7期505-512,共8页程海娟 郭伟玲 马琦璟 郭浩 秦亚龙 
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点。GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点,在电动汽车、数据中心及5G通信技术等领域有广泛...
关键词：氮化镓(GaN) 肖特基势垒二极管(SBD) 结构优化 垂直器件 准垂直器件 
AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管抗浪涌电流特性与封装方案被引量：2
《半导体技术》2022年第5期354-359,396,共7页冯威 徐尉宗 周峰 曾昶琨 任芳芳 陆海 
国家自然科学基金资助项目(61921005,62004099);江苏省自然科学基金资助项目(BK20201253)。
基于AlGaN/GaN异质结构的横向肖特基势垒二极管(SBD)在新一代功率电子技术中具有应用潜力。而面对复杂电气环境中的电流过冲及振荡效应,抗浪涌电流能力是器件可靠工作的重要保障。首先通过对混合阳极结构的优化,降低了AlGaN/GaN基SBD的...
关键词：AlGaN/GaN异质结构 肖特基势垒二极管(SBD) 浪涌电流 热效应 倒装封装 
CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
《半导体技术》2022年第3期179-183,共5页陈延博 杨兵 康玄武 郑英奎 张静 吴昊 刘新宇 
国家自然科学基金资助项目(61804172,61874002);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法...
关键词：Si基GaN 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构 无金工艺 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN CMOS兼容工艺 
AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模
《半导体技术》2021年第5期358-364,381,共8页刘芷诫 郑英奎 康玄武 孙跃 吴昊 陈晓娟 魏珂 
国家自然科学基金资助项目(61804172);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000);广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001)。
基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去...
关键词：GAN ALGAN/GAN异质结 肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极 微波输能 
无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管正向电流输运机制被引量：4
《半导体技术》2019年第6期426-432,共7页吴昊 康玄武 杨兵 张静 赵志波 孙跃 郑英奎 魏珂 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61804172);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000);科技部专项;北京市自然科学基金资助项目(4182021)
研究了无凹槽AlGaN/GaN肖特基势垒二极管(SBD)的正向电流输运机制。分别采用Ni/Au和TiN作为阳极金属材料制备了无凹槽AlGaN/GaN SBD,对比了两种SBD的直流特性。并通过测量器件的变温I-V特性,研究了器件的正向电流输运机制。结果表明,TiN...
关键词：ALGAN/GAN 肖特基势垒二极管(SBD) 正向电流输运机制 TIN 势垒高度 无凹槽 
AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作
《半导体技术》2018年第5期341-346,共6页李倩 安宁 曾建平 唐海林 李志强 石向阳 谭为 
科学挑战专题资助项目(TZ2018003);国家自然科学基金青年基金资助项目(62504126);国家自然科学基金面上项目(61474102)
基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD...
关键词：横向肖特基势垒二极管(SBD) ALGAN/GAN AlGaN层厚度 空气桥 太赫兹 
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