4H-SIC

作品数：647被引量：600H指数：8
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基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造
《固体电子学研究与进展》2025年第2期23-28,共6页田源 黄润华 倪朝辉 刘涛 张国斌 杨勇 柏松 
为解决SiC MOSFET在高温条件下性能受硅基驱动电路限制的问题,设计制造了一款基于4H-SiC材料的驱动电路,用于改善电路整体的耐高温能力,并且分别在常温(25℃)和高温(300℃)条件下对驱动电路的性能进行了测试。常温下驱动电路在无负载条...
关键词：碳化硅 驱动电路 金属氧化物半导体晶体管 
4H-SiC CMOS高温集成电路设计与制造
《固体电子学研究与进展》2024年第2期109-112,118,共5页陈浩炜 刘奥 黄润华 杨勇 刘涛 柏松 
设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在...
关键词：碳化硅 CMOS 集成电路 反相器 环形振荡器 
基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC同质外延技术进展
《固体电子学研究与进展》2023年第2期147-157,共11页赵志飞 王翼 周平 李士颜 陈谷然 李赟 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB3602302)。
高阻断电压、大功率密度、高转化效率是电力电子器件技术持续追求的目标,基于4H-SiC优异的材料特性,在电力电子器件应用方面具有广阔的发展前景。围绕SiC MOSFET器件对外延材料的需求,介绍了国内外主流的SiC外延设备及国产SiC衬底的发展...
关键词：外延设备 单晶衬底 4H-SIC 同质外延 外延缺陷 
使用3C/4H-SiC异质外延薄膜制备石墨烯被引量：1
《固体电子学研究与进展》2022年第4期329-334,共6页王翼 周平 赵志飞 李赟 
采用在4H-SiC衬底上生长的3C-SiC薄膜进行了石墨烯的制备。首先在不同的C/Si比条件下进行3C-SiC薄膜的生长,然后通过对这些3C-SiC薄膜进行热分解来制备石墨烯。对C/Si比为2.21时生长的3C-SiC进行热分解,成功得到了石墨烯,其拉曼光谱2D...
关键词：3C-SIC 4H-SIC 石墨烯 C/Si比 热分解 
4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善
《固体电子学研究与进展》2022年第3期239-243,共5页董志华 刘辉 曾春红 张璇 孙玉华 崔奇 程知群 张宝顺 
国家自然科学基金青年科学基金资助课题(61804166)。
采用磁中性环路放电(NLD)等离子体刻蚀装置对4H-SiC进行深槽刻蚀。研究了偏置电源功率和反应腔室压强对深槽中微沟槽效应和侧壁粗糙度的影响。实验发现:提高偏置电源功率和腔室压强可以消除深槽中的微沟槽效应,并且提高腔室压强还可以...
关键词：碳化硅 深刻蚀 微沟槽 侧壁粗糙度 
4H-SiC PIN二极管的正向特性计算模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2019年第2期86-90,共5页张满红 曹正春 
提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系数、载流子迁移率、禁带变窄效应、载流子寿命随温度变化的影响。介绍了双极性扩散方程的傅里叶级数解,利...
关键词：4H-SIC PIN 正向特性 温度特性 SILVACO 
超厚层4H-SiC同质外延材料
《固体电子学研究与进展》2019年第2期F0003-F0003,共1页李赟 李忠辉 赵志飞 王翼 周平 
缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三...
关键词：4H-SIC 外延材料 厚层 南京电子器件研究所 缺陷控制 三角形 同质外延 芯片性能 
6.5 kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件
《固体电子学研究与进展》2019年第1期77-77,共1页李士颜 刘昊 黄润华 陈允峰 李赟 柏松 杨立杰 
与硅IGBT相比,SiC高压功率DMOSFET器件的导通电阻和开关损耗更低,工作温度更高,在智能电网的应用中具有巨大的应用前景。南京电子器件研究所研制出一款6.5kV25ASiC功率DMOSFET器件。建立了高压SiC DMOSFET仿真模型并开展元胞结构设计,...
关键词：SIC kV 25 A 4H-SIC DMOSFET 
12kV 4H-SiC N沟道IGBT的设计与实现被引量：2
《固体电子学研究与进展》2018年第5期311-315,323,共6页杨同同 陶永洪 杨晓磊 黄润华 柏松 
报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通型IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩...
关键词：SIC 有限元仿真 绝缘栅双极型场效应晶体管 
晶圆各向异性对4H-SiC基VDMOSFET单粒子效应的影响被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第4期234-238,256,共6页刘忠永 蔡理 刘保军 刘小强 崔焕卿 杨晓阔 
国家自然科学基金资助项目(11405270)
研究了晶圆各向异性对4H-SiC基垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)单粒子效应的影响。建立了器件二维仿真结构,选取合适的仿真模型并对参数进行了修正。仿真结果表明,基于(0001)和(11 2-0)晶圆器件的单粒子烧毁(SEB)阈值电压(V_(SEB))分别为350...
关键词：4H-SIC 晶圆各向异性 单粒子烧毁 单粒子栅穿 
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