云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ALGAAS

ALGAAS: 作品数：193被引量：128H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陆卫沈光地沈学础徐遵图郭霞更多>>; 相关机构：中国科学院北京工业大学南京电子器件研究所厦门大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

Multisubband electron mobility in a parabolic quantum well structure under the influence of an applied electric field: 《Journal of Semiconductors》2014年第1期1-6,共6页N.Sahoo T.Sahu; We study the multisubband electron mobility in a barrier delta doped AlχGal-χAs parabolic quantum well structure under the influence of an applied electric field perpendicular to the interface plane. We consider the...; 关键词：parabolic quantum well multisubband electron mobility ALGAAS

High power single mode 980 nm AlGaInAs/AlGaAs quantum well lasers with a very low threshold current: 《Journal of Semiconductors》2013年第11期70-73,共4页董振王翠鸾井红旗刘素平马骁宇; supported by the National Military Electronic Component Program of China(No.1107XG0700); To achieve low threshold current as well as high single mode output power, a graded index separate confinement heterostructure （GRIN-SCH） A1GaInAs/A1GaAs quantum well laser with an optimized ridge wave- guide was fa...; 关键词：semiconductor laser low threshold ridge waveguide single mode

Effect of temperature on the intensity and carrier lifetime of an AlGaAs based red light emitting diode被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2013年第9期1-5,共5页P.Dalapati N.B.Manik A.N.Basu; the Defence Research Development Organization(DRDO),India; The influence of temperature on the intensity of light emitted by as well as the carrier life time r of a standard A1GaAs based light emitting diode has been investigated in the temperature range from 345 to 136 K. Th...; 关键词：LED low temperature INTENSITY ideality factor carrier lifetime

Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：6: 《Journal of Semiconductors》2005年第1期197-201,共5页董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地; 国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 3 3和 6988960 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 12 0 70 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 2 );北京市自然科学基金 (批准号 :40 2 10 0 1)资助项目~~; 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出...; 关键词：VCSEL ALGAAS 湿法氧化

圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期281-284,共4页董立闽郭霞渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地; 国家自然科学基金(批准号:60276033,69889601),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312070)及国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683-02)资助项目; AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grov...; 关键词：VCSEL ALGAAS 湿法氧化

HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2002年第2期208-212,共5页黄辉黄永清任晓敏高俊华罗丽萍马骁宇; 国家杰出青年基金(批准号 :6962 5 10 1);国家自然基金(批准号 :699760 0 7)资助项目~~; 利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As...; 关键词：制备楔形结构铝镓砷化物合选择性湿法刻蚀 HF-CrO3溶液

不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱: 《Journal of Semiconductors》2000年第11期1092-1098,共7页陈晔张旺李国华韩和相汪兆平周伟王占国; 国家自然科学基金资助项目 !697760 1 2 &&; 在 1 5K测量了不同尺寸分布的 In0 .55Al0 .4 5As/Al0 .5Ga0 .5As量子点的静压光致发光 ,静压范围为 0 - 1 .3GPa.常压下观察到三个发光峰 ,分别来源于不同尺寸的量子点 (横向直径分别为2 6、52和 62 nm)的发光 .它们的压力系数分别为 8...; 关键词：ALGAAS INALAS 量子点光致发光静压光谱

MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较被引量：5: 《Journal of Semiconductors》2000年第5期441-444,共4页李娜李宁陆卫窦红飞陈张海刘兴权沈学础 H.H.Tan LanFu C.Jagadish M.B.Johnston M.Gal; 国防科工委重点资助项目; 用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材...; 关键词：ALGAAS 量子阱红外探测器 MOCVD 砷化镓

快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2000年第3期264-267,共4页李宁刘兴权李娜陈效双陆卫徐文兰袁先璋沈学础黄绮周均铭; 国家自然科学基金;中澳合作项目; 应用快速热退火的方法将 Ga As/Al Ga As多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到 8～ 1 4μm大气窗口内 .通过测量单元器件的光电流谱、响应率和 I- V特性 ,分析了快速热退火对 Ga As/Al Ga; 关键词：量子阱红外探测器快速退火砷化镓 ALGAAS

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究: 《Journal of Semiconductors》2000年第2期137-141,共5页公延宁莫金玑余海生夏冠群; 从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａ...; 关键词：镓铝砷化合物气相外延分配系数动力学 MOVPE

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