云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAAS/GAAS

GAAS/GAAS: 作品数：11被引量：4H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：谢强华冯国光尤明慧芦鹏陈佳音更多>>; 相关机构：中国科学院长春理工大学哈尔滨工业大学北京大学更多>>; 相关期刊：《电子学报》《Chinese Physics Letters》《电子材料快报》《发光学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>

High Quality Pseudomorphic In_(0.24)GaAs/GaAs Multi-Quantum-Well and Large-Area Transmission Electro-Absorption Modulators: 《Chinese Physics Letters》2013年第4期133-135,共3页YANG Xiao-Hong LIU Shao-Qing NI Hai-Qiao LI Mi-Feng LI Liang HAN Qin NIU Zhi-Chuan; the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos 61274069,61176053 and 61021003;the National High-Technology Research and Development Program of China under Grant No 2012AA012202;the National Basic Research Program of China under Grant Nos 2012CB933503 and 2013CB932904.; The good quality of 200 pairs of highly strained In_(0.24)GaAs/GaAs multi-quantum-well(MQW)structure is demonstrated by the x-ray diffraction and photoluminescence curves.Large-area modulators based on the pseudomorph...; 关键词：GaAs/Ga Quantum STRAINED

InAlGaAs/GaAs量子阱的生长及其界面特性: 《Journal of Semiconductors》1999年第4期265-269,共5页郑联喜胡雄伟韩勤; 国家自然科学基金; 本文研究了以ＩｎＡｌＧａＡｓ作垒层的ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决ＩｎＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ在生长温度范围不兼容的问...; 关键词：半导体激光器量子阱生长砷化镓界面特性

GSMBE法生长新型In0.49Ga0.51P／（In）GaAs／GaAs: 《电子材料快报》1999年第1期7-8,共2页毕叔和; 关键词：GSMBE法 INGAP 砷化镓生长

Investigation of Hole Mobility in GaInP/(In) GaAs/GaAs p-Type Modulation Doped Heterostructures: 《Chinese Physics Letters》1999年第1期50-52,共3页YANG Quan-kui LI Ai-zhen CHEN Jian-xin; Supported in part by the Chinese Academy of Sciences,contract number DY95608030517.; Ga_(0.51)In_(0.49)P/(In)GaAs/GaAs heterostructure is regarded as an excellent candidate for two dimensional hole gas system as it has a large valence band offset ratio.In this paper,we report the hole mobility in GaIn...; 关键词：GaAs/Ga SCATTERING MOBILITY

GaAs/GaAsAl阴极粘结X射线双晶衍射测量: 《半导体光电》1998年第2期119-122,共4页阎金良彭玉田; 兵科院"九五"预研资助; 分析了GaAs／GaAsAl阴极粘结工艺中应力产生的根源和晶体中的应力对X射线双晶衍射峰的宽度和强度的影响。用X射线双晶衍射仪测量了阴极和玻璃热粘结工艺过程中的阴极材料外延层和衬底的双晶回摆曲线。实验结果表明，GaAs／GaAsAl阴极粘...; 关键词：砷化镓阴极玻璃 X射线双晶衍射

用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构: 《激光与光电子学进展》1995年第12期13-15,共3页赵伯林林礼煌; 用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生...; 关键词：外延生长半导体材料原子层量子线结构

用MOCVD方法生长的GaAs／GaAsP量子线及其特性: 《发光学报》1995年第3期217-223,共7页傅竹西; 本实验采用普通的光刻和湿法腐蚀技术，将ＧａＡｓ基片刻蚀成具有Ｗ形沟槽样的非平面结构，基片表面为（１００）面，沟槽的侧斜面为（１１１）Ｂ面．在此基片上用低压ＭＯＣＶＤ设备外延生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ多层膜，通过扫描电...; 关键词：量子线 MOCVD 砷化镓

In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构被引量：3: 《Journal of Semiconductors》1992年第3期133-142,共10页范卫军夏建白; 用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[1...; 关键词：ZnGaAs/GaAs 超晶格电子结构

化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料被引量：1: 《半导体情报》1991年第6期46-48,共3页孙殿照阎春辉国红熙朱世荣黄运衡曾一平孔梅影; 在国产首台CBE设备上,生长了GaAs上的GaAs,InP上的InP,InP上的InGaAs以及GaAs上的InGaAs多量子阱四种材料。纯GaAs为p型,载流子浓度为5.5×10^(15)cm^(-3),μ_(300K)=280cm^2/V·s,μ_(77K)=5000cm^2/v·s,基本没有表面椭圆缺陷,InGaAs/...; 关键词：化合物半导体量子阱外延生长

In GaAs/GaAS应变层中应力的CBED的研究: 《电子显微学报》1990年第3期196-196,共1页谢强华冯国光; 本文我们利用CBED,研究了,InGaAs/GaAs超晶格样品高阶劳厄反射中的卫星线分布情况。InGaAs/GaAs超晶格是用金属有机化学汽相沉积的方法生长在GaAs[001]衬底上,InGaAs及GaAs层的厚度分别为100A和200A,x光双晶衍射定出其中合金属中In的含...; 关键词：INGAAS/GAAS 应变层应力 CBED

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