HVPE

作品数：79被引量：84H指数：5
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Self-powered UVC detectors based on α-Ga_(2)O_(3) with enchanted speed performance
《Journal of Semiconductors》2024年第8期74-80,共7页Aleksei Almaev Alexander Tsymbalov Bogdan Kushnarev Vladimir Nikolaev Alexei Pechnikov Mikhail Scheglov Andrei Chikiryaka 
support of the Russian Science Foundation,grant number 20-79-10043-P.
Detectors were developed for detecting irradiation in the short-wavelength ultraviolet(UVC)interval using high-quality single-crystallineα-Ga_(2)O_(3) films with Pt interdigital contacts.The films ofα-Ga_(2)O_(3) we...
关键词：HVPE gallium oxide solar-blind ultraviolet detector self-powered mode 
Influence of thickness on strain state and surface morphology of AlN grown by HVPE被引量：1
《Journal of Semiconductors》2016年第12期18-21,共4页孙茂松 张纪才 黄俊 李雪威 王林军 刘雪华 王建峰 徐科 
Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2012CB619305);the National Natural Science Foundation of China(Nos.61274127,61474133,61325022);the CAS Project of Introduction of Outstanding Technical Talent
AIN thick films were grown on c-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy at high temperature. The evolution of the strain state and crystal quality of AIN with increase of thickness were investigated b...
关键词：AIN HVPE surface morphology strain state 
Analysis of the anisotropy in an m-plane GaN film via HVPE on a γ-LiAlO_2 substrate
《Journal of Semiconductors》2009年第9期13-15,共3页田密 修向前 张荣 华雪梅 刘战辉 韩平 谢自力 郑有炓 
Project supported by State Key Development Program for Basic Research of China(No.2006CB6049);the National Hi-Tech Researchand Development Program of China(No.2006AA03A142);the National Natural Science Foundation of China(Nos.60721063,60731160628,60820106003)
A 0.09 mm m-plane GaN film is deposited via hydride vapor phase epitaxy （HVPE） on a γ-LiAlO2 substrate. To research the anisotropy between directions with different angles with the c-axis in the m plane, photolumin...
关键词：γ-LiAlO2 GAN HVPE ANISOTROPY PL spectra 
Effects of in situ Annealing on Optical and Structural Properties of GaN Epilayers Grown by HVPE
《Journal of Semiconductors》2008年第3期410-413,共4页段铖宏 邱凯 李新化 钟飞 尹志军 韩奇峰 王玉琦 
Effects of in situ annealing on the structural and optical properties of Gallium nitride （GaN） layers grown on （0001） sapphire by hydride vapor phase epitaxy （HVPE） are studied. The properties of GaN epilayers a...
关键词：GAN in situ annealing HVPE 
HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第3期530-533,共4页林郭强 曾一平 段瑞飞 魏同波 马平 王军喜 刘喆 王晓亮 李晋闽 
使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双...
关键词：氮化镓 选区外延 氢化物气相外延 
蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长被引量：7
《Journal of Semiconductors》2007年第6期902-908,共7页马平 魏同波 段瑞飞 王军喜 李晋闽 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(批准号:2004AA311040)~~
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重.其(0002)的双晶衍射半高宽最低为141″;蓝宝石衬底上直接生长GaN外延层质量较差,其双晶衍...
关键词：HVPE GAN 蓝宝石衬底 
Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE
《Journal of Semiconductors》2007年第1期19-23,共5页魏同波 马平 段瑞飞 王军喜 李晋闽 刘喆 林郭强 曾一平 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2004AA311040)~~
Thick GaN films were grown on GaN/sapphire template in a vertical HVPE reactor. Various material characterization techniques,including AFM, SEM, XRD, RBS/Channeling, CL, PL, and XPS, were used to characterize these Ga...
关键词：GAN HVPE CL RBS/channeling yellow emission infrared emission 
竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期253-256,共4页马平 段垚 魏同波 段瑞飞 王军喜 曾一平 李晋闽 
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半...
关键词：氢化物气相外延 理论模拟 GAN 
额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第11期1171-1175,共5页修向前 张荣 李杰 卢佃清 毕朝霞 叶宇达 俞慧强 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划 (No.G2 0 0 0 0 683 0 5 );国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 1AA3 11110);国家自然科学基金(批准号:699760 14;6980 60 0 6和699870 0 1)资助项目~~
在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质量和性质 ,但机理不...
关键词：氢化物气相外延(HVPE) GAN 氮化 额外HCl 
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