云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G2000028208)

国家重点基础研究发展计划(G2000028208): 作品数：41被引量：171H指数：8; 导出分析报告; 相关作者：林璇英林揆训黄锐余楚迎余云鹏更多>>; 相关机构：汕头大学中国科学院研究生院四川大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《真空》《Journal of Semiconductors》《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》《光学学报》更多>>; 相关主题：多晶硅薄膜H太阳电池微晶硅薄膜气源更多>>; 相关领域：理学电子电信电气工程动力工程及工程热物理更多>>

射频功率对微晶硅薄膜微结构和光电性能的影响被引量：1: 《真空》2012年第4期83-86,共4页陈城钊林璇英; 国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000028208);韩山师范学院青年科研基金(批准号:0503); 采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对不同射频功率下沉积的薄膜的结构特性及光电性能进行分析。研究表明:随着射频功率的增加,薄膜的晶化率和...; 关键词：微晶硅薄膜射频功率拉曼光谱暗电导率

用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究被引量：1: 《功能材料》2009年第3期483-485,共3页黄锐林璇英余云鹏林揆训; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000028208); 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响。实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速...; 关键词：纳米晶硅薄膜 SiCl4 生长速率晶化度

Role of Hydrogen Dilution in the Low-Temperature Growth of Nanocrystalline Si:H Thin Films from siH_4/H_2 Mixture: 《Plasma Science and Technology》2009年第3期297-301,共5页陈城钊邱胜桦刘翠青吴燕丹李平余楚迎林璇英; supported by the Major State Basic Research and Development Program of China,Ministry of Science and Technology of China (No.G2000028208); Hydrogenated nanocrystalline silicon thin films were fabricated from Sill4 with H2 dilution at a low substrate temperature of 200℃ by the conventional plasma enhanced chemical vapor deposition technique. A high depos...; 关键词：hydrogen dilution nanocrystalline Si：H thin film MICROSTRUCTURE

纳米晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析被引量：9: 《物理学报》2009年第4期2565-2571,共7页陈城钊邱胜桦刘翠青吴燕丹李平余楚迎林璇英; 国家重点基础研究发展计划(批准号:G2000028208);韩山师范学院青年科研基金(批准号:0503)资助的课题~~; 采用传统射频等离子体化学气相沉积技术在100—350℃的衬底温度下高速沉积氢化硅薄膜.傅里叶变换红外光谱和Raman谱的研究表明,纳米晶硅薄膜中的氢含量和硅氢键合模式与薄膜的晶化特性有密切关系,当薄膜从非晶相向晶相转变时,氢的含量...; 关键词：氢化纳米晶硅薄膜红外透射谱氢含量硅氢键合模式

SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜光电特性的研究被引量：1: 《材料研究与应用》2008年第4期437-440,共4页刘丽娟罗以琳林璇英; 国家重点基础研究发展规划项目资助的课题(G2000028208); 采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光...; 关键词：多晶硅薄膜持续性光电导晶化率

Growth Mechanism of Microcrystalline Silicon Films by Scaling Theory and Monte Carlo Simulation被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第8期1465-1468,共4页訾威周玉琴刘丰珍朱美芳; 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA05Z408);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CD202601,G2000028208);国家自然科学基金(批准号:10404038)资助项目~~; Hydrogenated microcrystalline silicon （~c-Si：H） films with a high deposition rate of 1.2nm/s were prepared by hot-wire chemical vapor deposition （HWCVD）. The growth-front roughening processes of the μc-Si..H fil...; 关键词：μc-Si：H growth mechanism scaling theory Monte Carlo simulations reemission process

纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性和输运机制被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2008年第3期549-553,共5页刘丰珍崔介东张群芳朱美芳周玉琴; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208;2006CB202601);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA05Z408)资助项目~~; 采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间下的异质结的暗I-V特性和相应的电池性能参数.室温下的正向暗I-V特性采用双二极管模型来拟合,可将0～1V的电压范围区分为4个区域...; 关键词：纳米硅薄膜异质结电池暗电流.电压特性输运机制

用SiCl4/H2沉积纳米晶硅薄膜过程中氢稀释量对SiCln(n=0～2)密度的影响: 《功能材料》2008年第1期12-15,共4页娄艳辉王照奎林揆训林璇英; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000028208); 用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长。进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln（n=0-2）基团浓度的影响。等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着...; 关键词：氢稀释纳米硅薄膜 SiCln(n=0~2)基团

SiCl_4/H_2辉光放电等离子体中电子特性的在线检测: 《功能材料》2007年第10期1599-1602,共4页祝祖送林揆训林璇英邱桂明; 国家重点基础研究发展规划基金资助项目(G2000028208);安庆师范学院学科建设基金资助项目(044-K06016000007); SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系...; 关键词：加热Langmuir探针电子特性沉积速率 SiCl4/H2等离子体

SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究被引量：2: 《功能材料》2007年第6期876-878,共3页刘丽娟罗以琳黄锐林璇英; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(G2000028208); 对用SiCl4／H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备的多晶硅薄膜进行了低温电学特性的研究。实验结果表明，多晶硅薄膜的暗电导强烈依赖于温度，在300～90K的温度范围内呈现不同的导电特性。对多晶硅薄膜，其导电...; 关键词：多晶硅薄膜电导率低温晶化率

国家重点基础研究发展计划(G2000028208)