云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60136020)

国家自然科学基金(60136020): 作品数：33被引量：81H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：郑有炓王晓亮沈波李晋闽王军喜更多>>; 相关机构：中国科学院南京大学中国科学院微电子研究所北京大学更多>>; 相关期刊：《高技术通讯》《功能材料》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>; 相关主题：GANXXGAMOCVD二维电子气更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

掺Ni的ZnO粉末的Raman光谱研究: 《光学学报》2009年第5期1324-1327,共4页俞慧强李斌斌张荣修向前谢自力叶宇达张孟群陈强沈剑沧; 国家863计划(2004AA31G050);国家自然科学基金(60290083,60136020)资助项目; 利用拉曼(Raman)光谱对掺镍(Ni)氧化锌(ZnO)粉末的声子谱进行了研究。在掺杂样品的Raman光谱中仍能观察到未掺杂ZnO的声子模式,此外还观察到两个额外模式。掺杂粉末中观察到ZnO的E_2(h)模式表明掺Ni的ZnO仍然保持六角对称结构。652 cm^(...; 关键词：散射掺杂拉曼光谱

The influence of AlN/GaN superlattice intermediate layer on the properties of GaN grown on Si（111） substrates被引量：2: 《Chinese Physics B》2007年第5期1467-1471,共5页刘喆王晓亮王军喜胡国新郭伦春李晋闽; AlN/GaN superlattice buffer is inserted between GaN epitaxiai layer and Si substrate before epitaxiai growth of GaN layer. High-quality and crack-free GaN epitaxiai layers can be obtained by inserting AlN/GaN superlat...; 关键词：GAN Si substrate metalorganic chemical vapour deposition superlattice buffer

MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2006年第9期1521-1525,共5页王晓亮胡国新马志勇肖红领王翠梅罗卫军刘新宇陈晓娟李建平李晋闽钱鹤王占国; 中国科学院知识创新工程重要方向性项目(批准号:KGCX2-SW-107-1);国家自然科学基金(批准号:60136020);国家重点基础研究发展规划(批准号:513270505,G20000683,2002CB311903);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目~~; AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structures with a high-mobility GaN thin layer as a channel are grown on high resistive 6H-SiC substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The HEMT st...; 关键词：A GaN/GaN HEMT MOCVD power device SiC substrates

蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2006年第8期1382-1385,共4页王保柱王晓亮王晓燕王新华郭伦春肖红领王军喜刘宏新曾一平李晋闽; 中国科学院知识创新工程;国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683;2002CB311903);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60136020)资助项目~~; 利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度...; 关键词：RF-MBE 铟铝镓氮 RHEED XRD AFM

Al/AlN/Si MIS结构的电学性质: 《固体电子学研究与进展》2006年第2期143-147,共5页周春红孔月婵席冬娟陈鹏郑有炓; 国家自然科学基金(60136020); 用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2...; 关键词：铝/氮化铝/硅金属绝缘体半导体结构极化性质界面陷阱态

Influence of Polarization-Induced Electric Fields on Optical Properties of Intersubband Transitions in Al_xGa_(1-x)N/GaN Double Quantum Wells被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第3期403-408,共6页雷双英沈波许福军杨志坚徐柯张国义; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304) ;国家自然科学基金(批准号:60325413,60136020,60444007);国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683);教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助项目~~; The influence of polarization-induced electric fields on the electron distribution and the optical properties of intersubband transitions （ISBT） in AlxGa（1-x）N/GaN coupled double quantum wells （DQWs） is investig...; 关键词：AlxGa（1-x）N／GaN DQWs intersubband transition polarization field discontinuity

Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures: 《Journal of Semiconductors》2006年第2期235-238,共4页唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩; 国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,G001CB3095);国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304);国家自然科学基金(批准号:60444007,60136020,10374094);国家杰出青年基金(批准号:60325413);教育部博士点基金(批准号:20020284023)资助项目~~; Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases （2DEG） in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in hig...; 关键词：Alx Ga1-x N/GaN heterostructure two-dimensional electron gas transport property

Study on Surface Morphology of GaN Growth by MOCVD on GaN/Si(111)Template: 《Journal of Rare Earths》2006年第z1期11-13,共3页Liu Zhe Wang Junxi Wang Xiaoliang Hu Guoxin Guo Lunchun Liu Hongxin Li Jianping Li Jinmin Zeng Yiping; Project supported by Special Funds for Major State Basic Research Project(G2000683 and 2002CB311903);Nationel Natural Foundation of China(60136020);Key Imnovation Program of Chinese Academy of Science and National High Technology R&D Pogram of China(2002AA305304); The surface morphology of GaN grown by MOCVD on GaN/Si template was studied.Rough morphology and deep pinhole defects on some surface areas of the samples were observed and studied.The formation of rough morphology is...; 关键词：surface morphology GaN/Si template GAN MOCVD

Growth and Characterization of Semi-Insulating GaN Films Grown by MOCVD: 《Journal of Rare Earths》2006年第z1期14-18,共5页Fang Cebao Wang Xiaoliang Hu Guoxin Wang Junxi Wang Cuimei Li Jinmin; Project supported by Special Funds for Major State Basic Research Project (G20000683 and 2002CB311903); National Natural Science Foundation of China (60136020); Key Innovation Program of Chinese Academy of Science and National High Technology R&D Program of China (2002AA305304); High resistivity unintentionally doped GaN films were grown on (0001) sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition. The surface morphology of the layer was measured by both atomic force microscopy and...; 关键词：MOCVD GAN RESISTIVITY TSC

Miscibility Calculation of GaN1-xPx Ternary Alloys: 《Journal of Rare Earths》2006年第z1期33-36,共4页Zhang Kaixiao Chen Dunjun Zhu Weihua Lin Jianwei Zhang Rong Zheng Youdou; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (60406002, 60325413 and 60136020), the Natural Science Foundation of Jiangsu Province (BK2003411); A theoretical calculation of the miscibility gap with considering the mismatch strain and elastic parameters was performed for the GaN1-xPx ternary alloys on (0001) GaN/sapphire substrates based on the strictly regula...; 关键词：GaN1-xPx TERNARY ALLOYS MISCIBILITY STRAIN

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