云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(69976014)

国家自然科学基金(69976014): 作品数：11被引量：16H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：张荣郑有炓沈波施毅毕朝霞更多>>; 相关机构：南京大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》《Journal of Semiconductors》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》《高技术通讯》更多>>; 相关主题：GANHVPEMOCVDGAN异质结构C-V特性更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

额外HCl和氮化对HVPE GaN生长的影响被引量：4: 《Journal of Semiconductors》2003年第11期1171-1175,共5页修向前张荣李杰卢佃清毕朝霞叶宇达俞慧强郑有炓; 国家重点基础研究发展规划 (No.G2 0 0 0 0 683 0 5 );国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 1AA3 11110);国家自然科学基金(批准号:699760 14;6980 60 0 6和699870 0 1)资助项目~~; 在氢化物气相外延 (HVPE)生长 Ga N过程中 ,发现了一种在成核阶段向生长区添加额外 HCl来改善 Ga N外延薄膜质量的方法 ,并且讨论了额外 HCl和氮化对 Ga N形貌和质量的影响 .两种方法都可以大幅度地改善 Ga N的晶体质量和性质 ,但机理不...; 关键词：氢化物气相外延(HVPE) GAN 氮化额外HCl

Synthesis of ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3 complex substrates and growth of GaN films被引量：1: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2003年第1期41-46,共6页毕朝霞张荣李卫平王栩生顾书林沈波施毅刘治国郑有炓; Special Funds for Major State Basic Research Projects of China(Grant No.#G20000683);Distinguished Young Scientist Grant of China (Grant No.60025411);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.69806006,69976014,69636010 and 69987001);the National High Technology Research & Development Project of China; With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction procee...; 关键词：GaN ZnAl2O4 MOCVD X-ray diffraction SCANNING electron microscope.

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长: 《中国科学（A辑）》2002年第10期895-899,共5页毕朝霞张荣李卫平王栩生顾书林沈波施毅刘治国郑有炓; 国家重点基础研究规划(批准号:G20000683);国家杰出青年研究基金(批准号:60025411);国家自然科学基金(批准号:69976014;69636010;69806006;69987001);国家高技术研究计划(批准号:2001AA311110)资助项目; 利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的（111）...; 关键词：ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底制备 GAN薄膜 MOCVD X射线衍射谱半导体材料两步生长工艺氮化钙

Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究: 《高技术通讯》2002年第3期47-49,共3页汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓; 国家重点基础研究专项(G20000683);国家杰出青年科学研究基金(60025411);国家自然科学基金(69976014,69636010,69806006,69987001);863计划(863307123(05),8637150010220,8637150110031)资助项目; 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横...; 关键词：微结构和光学性质 HVPE横向外延GaN Si(III)衬底

侧向外延生长GaN的结构特性(英文): 《发光学报》2001年第S1期53-56,共4页张荣顾书林修向前卢殿清沈波施毅郑有炓 KUAN T S; 国家“8 6 3”基金资助项目 ( 2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)~~; 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表...; 关键词：GAN 侧向外延生长氢化汽相外延

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 《发光学报》2001年第S1期57-60,共4页沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...; 关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）: 《发光学报》2001年第S1期67-70,共4页郑泽伟沈波刘杰周慧梅钱悦张荣施毅郑有炓蒋春萍郭少令郑国珍褚君浩 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家高技术研究和发展计划项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的...; 关键词：磁传输特性二维电子气 AlxG1-xN/GaN

LASER LIFT-OFF OF GaN THIN FILMS FROM SAPPHIRE SUBSTRATES被引量：10: 《Acta Metallurgica Sinica(English Letters)》2001年第6期448-452,共5页J. Xu, R. Zhang, Y.P. Wang, X.Q. Xiu, S.L. Gu, B. Shen, Y. Shi, Z.G. Liu and Y.D. Zheng (Department of Physics and National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China); supported by Special Funds for Major Stale Basic Research Project G20000683;863 Hi-tech Research Project,Distinguished Young Scientist Grant(60025411);National Nature Science Foundation of China(69976014,69636010,69806006,69987001);benefited from using the laser device of the Pulsed Laser Deposition laboratory in Nanjing University.; Gallium Nitride film was successfully separated from sapphire substrate by laser radiation. The absorption of the 248 nm radiation by the GaN at the interface results in rapid thermal decomposition of interfacial laye...; 关键词：Gallium compounds Laser beam effects Nitrides SAPPHIRE SEPARATION

侧向外延生长GaN的结构特性(英文): 《发光学报》2001年第z1期53-56,共4页张荣顾书林修向前卢殿清沈波施毅郑有炓 KUAN T S; 国家"8 6 3"基金资助项目 ( 2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金资助项目 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6 ,6 99870 0 1)~~; 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表...; 关键词：GAN 侧向外延生长氢化汽相外延

Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文): 《发光学报》2001年第z1期57-60,共4页沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...; 关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

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