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国家自然科学基金(69976008): 作品数：20被引量：56H指数：4; 导出分析报告; 相关作者：顾彪徐茵秦福文杨大智王三胜更多>>; 相关机构：大连理工大学大连海事大学安徽工业大学清华大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《电子元件与材料》《半导体光电》《高技术通讯》更多>>; 相关主题：GANECR-PEMOCVDRHEED半导体材料氮化镓更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

等离子体清洗GaAs和Al_2O_3衬底的RHEED图像分析: 《华中科技大学学报（自然科学版）》2005年第5期88-91,共4页章家岩郎佳红秦福文顾彪; 国家自然科学基金资助项目(69976008).; 针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECRPEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程.CCD的RHEED图像分析表明,在一...; 关键词：电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 GaN 氢等离子体氮化

蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响被引量：1: 《半导体技术》2005年第1期57-60,共4页郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢; 国家自然科学基金自助项目(69976008); 通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD 装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底清洗、氮化的实验。结果表明,经常规清洗...; 关键词：蓝宝石清洗氮化 RHEED GAN

Thermodynamic Modeling and Phase Diagrams of Hexagonal and Cubic GaN Single-Crystal FilmGrowth by ECR-PEMOCVD Method: 《Journal of Semiconductors》2004年第9期1041-1047,共7页王三胜顾彪; 国家高技术研究发展计划 (批准号 :715 -0 11-0 0 3 3 );国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 8)资助项目~~; Based on thermodynamic equilibrium theory,a chemical equilibrium model for GaN g rowth is given in electron cyclotron resonance plasma enhanced metalorganic chem ical vapor deposition (ECR-PEMOCVD) system.Calculation ...; 关键词：GAN ECR-PEMOCVD thermodynamic analysis growth phase diagram

ECR-PEMOCVD生长GaN RHEED图像研究被引量：1: 《应用激光》2004年第1期31-35,共5页郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢; 国家自然科学基金 (6 9976 0 0 8); 86 3计划 (86 3- 715 - 0 11- 0 0 33)资助项目; 通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN生长过程进行原位监测。通过分析研究RHEED图像确定衬底清洗、氮化、缓冲层生长。; 关键词：ECR-PEMOCVD 反射高能电子衍射仪 GAN 外延层生长

镓基砷化物、氮化物量子点研究进展: 《电子元件与材料》2004年第1期45-47,共3页曲钢徐茵顾彪秦福文郎佳红; 国家自然科学基金资助项目(69976008); 综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。; 关键词：量子点砷化物氮化物制备工艺

半导体薄膜生长实时监控系统的设计与应用: 《计算机测量与控制》2003年第8期585-587,共3页周智猛徐茵刘国涛; 国家自然科学基金资助项目 (6 9976 0 0 8); 文章分析了半导体薄膜生长工艺流程的特点。在此基础上 ,为实验室的ECR -MOCVD设备设计了一套半导体薄膜生长的实时监控系统 ,介绍了系统的硬件结构以及在WIN98环境下用VB6 0实现生长实时监控系统软件的实现方法。经实验证明 ,系统保...; 关键词：半导体薄膜生长实时监控系统设计薄膜结构半导体工业

蓝宝石衬底的ECR等离子体清洗与氮化的RHEED研究被引量：11: 《Journal of Semiconductors》2003年第6期668-672,共5页秦福文顾彪徐茵杨大智; 国家自然科学基金资助项目 ( No.699760 0 8)~~; 通过分析 RHEED(反射高能电子衍射 )图像研究了 ECR(电子回旋共振 )等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬底的清洗与氮化作用 ,结果表明 :在 ECR氢等离子体中掺入少量的氮气可以明显提高蓝宝石衬底的清洗效果 ,从而获得平整而洁净...; 关键词：蓝宝石清洗氮化 RHEED GAN

标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究被引量：4: 《红外技术》2003年第6期64-68,共5页郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢; 国家自然科学基金资助项目 (No .699760 0 8); 在经过校温的ECR PEMOCVD装置上 ,通过分析RHEED(反射高能电子衍射 )图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验 ,结果表明 :经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大 ;按照经验清洗 ...; 关键词：RHEED 反射高能电子衍射蓝宝石 GAN 标准温度衬底分步清洗

氮化铝单晶薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究被引量：18: 《物理学报》2003年第5期1240-1244,共5页秦福文顾彪徐茵杨大智; 国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 8)资助的课题~~; 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)技术 ,在c轴取向的蓝宝石即α Al2 O3( 0 0 0 1)衬底上 ,以氮化镓 (GaN)缓冲层和外延层作为初始层 ,分别以高纯氮气 (N2 )和三甲基铝 (TMAl)为氮源和铝源低温生长氮...; 关键词：氮化铝单晶薄膜 ECR-PEMOCVD 低温生长电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积半导体材料 ALN薄膜

GaN基半导体材料研究进展被引量：6: 《激光与光电子学进展》2003年第3期45-49,共5页郎佳红顾彪徐茵秦福文; 国家自然科学基金(69976008); 简单回顾半导体短波长激光器的发展过程,总结了GaN基激光二极管的发展以及GaN薄膜的几点技术进展。; 关键词：半导体激光器激光二极管 GAN薄膜半导体材料外延生长 P型掺杂

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