云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(60376033)

国家自然科学基金(60376033): 作品数：17被引量：22H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：金冬月谢红云王扬邱建军张正元更多>>; 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所辽宁大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《微电子学》《电子器件》《功能材料与器件学报》更多>>; 相关主题：HBTSIGE_HBTSIGE/SI异质结晶体管SIGE更多>>; 相关领域：电子电信农业科学一般工业技术更多>>

Analysis of a wavelength selectable cascaded DFB laser based on the transfer matrix method: 《Journal of Semiconductors》2010年第6期50-53,共4页谢红云陈亮沈珮孙博韬王任卿肖盈尤云霞张万荣; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.60776051,60376033);the Beijing Municipal Natural Science Foundation of China(No.4082007);the Beijing Municipal Education Committee of China(Nos.KM200910005001, KM200710005015).; A novel cascaded DFB laser,which consists of two serial gratings to provide selectable wavelengths,is presented and analyzed by the transfer matrix method.In this method,efficient facet reflectivity is derived from th...; 关键词：transfer matrix method cascaded DFB laser selectable wavelengths

改善多指功率SiGe HBTs热稳定性的版图设计(英文): 《功能材料与器件学报》2009年第5期511-515,共5页金冬月张万荣谢红云沈珮胡宁甘军宁李佳; National Natural Science Foundation of China (60776051 and 60376033);Beijing Municipal Natural Science Foun-dation,China (4082007);State 973 project, Beijing Municipal Education Committee,China (KM200710005015);Beijing Municipaltrans -century Talent Project (67002013200301);Young Science Foundation of BJUT (97002013200701);Ph.D Start Science Foundation of BJUT(52002013200701);the 6th Science and Technology Postgraduate Foundation of BJUT(ykj -2007-1970); 提出非均匀指间距结构功率SiGe HBTs的版图设计用以改善热稳定性。模拟和实验结果均表明,与传统的均匀指间距结构相比,非均匀指间距结构HBT的峰值结温和温度分布非均匀性均得到显著改善。上述改善归功于非均匀指间距结构HBT中心指间距...; 关键词：SIGE HBT 热稳定性

多发射极指分段结构功率SiGe HBT的热分析被引量：3: 《微电子学》2008年第1期81-84,119,共5页王扬张万荣谢红云金冬月邱建军; 国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市教委资助项目(KM200710005015);北京工业大学第5届研究生科技基金资助项目(ykj-2006-282);北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目(102(KB)-00856); 提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性。为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻。根据此热模型,使用有限元方法,对一个十...; 关键词：SIGE HBT 分段结构热阻模型热模拟

SiGe HBT低频噪声PSPICE模拟分析被引量：2: 《半导体技术》2008年第1期51-55,共5页沙永萍张万荣; 北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);国家自然科学基金项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301); 对SiGe HBT低频噪声的各噪声源进行了较全面的分析,据此建立了SPICE噪声等效电路模型,进一步用PSPICE软件对SiGe HBT的低频噪声特性进行了仿真模拟。研究了频率、基极电阻、工作电流和温度等因素对低频噪声的影响。模拟结果表明,相较于S...; 关键词：SIGE HBT 低频噪声 PSPICE 模拟

SiGe HBT功率放大器基极偏置电阻的优化: 《半导体技术》2007年第12期1025-1027,1064,共4页何莉剑张万荣谢红云张蔚; 国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目(102(KB)-00856);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京工业大学研究生科技基金资助项目(ykj-2006-286); 模拟了基极偏置电阻对功率放大器参数的影响。在兼顾效率、S参数、电压驻波比、功率增益及稳定性等特性的同时,得到了三阶交调信号幅度为最小值时的优化基极偏置电阻。模拟结果表明,一个优化的基极偏置电阻,不仅能使功率放大器的直流偏...; 关键词：线性功率放大器偏置电阻

横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)被引量：1: 《功能材料与器件学报》2007年第5期495-498,共4页高攀张万荣邱建军杨经纬金冬月谢红云张静张正元刘道广王健安徐学良; National Natural Science Foundation(No.60376033);Beijing Municipal Education Committee,China(No.KM200710005015).; 从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声...; 关键词：HBT SIGE 横向尺寸高频噪声

Multi-Finger Power SiGe HBT with Non-Uniform Finger Spacing被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第10期1527-1531,共5页金冬月张万荣沈珮谢红云王扬; 国家自然科学基金(批准号:60770651,60376033);北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015);北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:514390108,04QT0101);北京市自然科学基金;北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目~~; A multi-finger power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） with non-uniform finger spacing was fabricated to improve thermal stability. Experimental results show that the peak temperature is reduced by 22K co...; 关键词：SiGe HBT POWER

等效器件补偿法提高功率放大器的线性: 《半导体技术》2007年第9期785-787,共3页何莉剑张万荣谢红云张蔚; 国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);北京工业大学研究生科技基金资助项目(ykj-2006-286);北京市优秀跨世纪人才基金项目(67002013200301);北京市属市管高等学校人才强教计划资助项目(102(KB)-00856); 针对减少功放的非线性交调失真,提出了一种简单有效的线性化电路设计方法,并以pHEMT功放为例,通过在栅漏之间并联一个变容二极管,对引起非线性失真的pHEMT输入端电容进行补偿,使功率放大器的三阶交调减少了30 dB,并且提高了功率放大器...; 关键词：功率放大器线性化交调失真

SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2: 《半导体技术》2007年第5期394-396,405,共4页高攀张万荣谢红云邱建军沙永萍金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳; 国家自然科学基金项目(60376033);北京市教委科技发展计划项目(KM200710005015);模拟集成电路国家重点实验室基金项目(51439010804QT0101); 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先...; 关键词：硅锗异质结双极型晶体管高频噪声

微波功率SiGe HBT研究进展: 《微电子学》2006年第5期548-551,共4页张万荣张蔚金冬月谢红云肖盈王扬李佳沈佩; 国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101);北京市教委项目;北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划资助项目; Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比G...; 关键词：SIGE/SI 异质结晶体管微波功率器件

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