云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家自然科学基金(61176071)

国家自然科学基金(61176071): 作品数：18被引量：18H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：胡冬青贾云鹏吴郁苏洪源周东海更多>>; 相关机构：北京工业大学国网智能电网研究院中国航天北京微电子技术研究所更多>>; 相关期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《电子科技》《微电子学》更多>>; 相关主题：IGBT内透明集电极绝缘栅双极型晶体管快恢复二极管折中更多>>; 相关领域：电子电信电气工程机械工程更多>>

65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究被引量：3: 《电子科技》2018年第1期12-15,共4页梁永生吴郁郑宏超李哲; 国家自然科学基金(61176071); 针对NMOS场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65 nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,搭建了65 nm体硅NMOS晶体管的TCAD模型,并进一步对无加固结构、保护环结构、保护漏结构以及保护环加保护...; 关键词：单粒子效应单粒子瞬态电荷共享抗辐射

具有新型缓冲层的IGBT特性研究: 《微电子学》2017年第6期851-855,共5页黄仁发胡冬青吴郁贾云鹏邹世凯安鹏振彭领; 国家自然科学基金资助项目(61176071); 为了降低低压场终止型IGBT的工艺难度并改善其关断特性,对注氢场终止型IGBT(PFS-IGBT)的缓冲层进行了研究,引入了传统场终止型IGBT(FS-IGBT)和线性缓变掺杂场终止型IGBT(LFS-IGBT)来与PFS-IGBT作对比。PFS-IGBT的缓冲层通过多次注氢形成...; 关键词：绝缘栅双极型晶体管注氢场终止开关特性短路坚固性

600V槽栅IGBT优良性能的机理分析: 《北京工业大学学报》2016年第9期1313-1317,共5页吴郁周璇金锐胡冬青贾云鹏谭健赵豹李哲; 国家自然科学基金资助项目(61176071);国家电网公司科技项目(5455DW150012); 槽栅结构对功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的影响主要是n-漂移区的电导调制而不是对沟道电阻的改善,为了论证这一问题,采用仿真工具Sentaurus TCAD,针对600 V的Trench IGBT和Planar IGBT两种结构的阻断...; 关键词：绝缘栅双极晶体管(insulate gate BIPOLAR transistor IGBT) 槽栅平面栅通态压降关断损耗

电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真: 《半导体技术》2016年第2期107-113,158,共8页李哲胡冬青金锐贾云鹏谭健周璇赵豹; 国家自然科学基金资助项目(61176071);国家电网科技项目(SGR1-WD-71-14-005;5455DW150012); 针对沟槽型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)栅电容较大、开关速度较慢的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将电荷耦合(CC)的思想应用于槽栅IGBT中。采用仿真工具MEDICI对电荷耦合内透明集电极IGBT(CC-ITC-IGBT)的击穿特性、导通特性和开关特性...; 关键词：绝缘栅双极型晶体管电荷耦合内透明集电极导通压降折中特性

Simulation study on single event burnout in linear doping buffer layer engineered power VDMOSFET被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2016年第2期90-93,共4页贾云鹏苏洪源金锐胡冬青吴郁; supported by the National Natural Science Foundation of China(No.61176071);the Doctoral Fund of Ministry of Education of China(No.20111103120016);the Science and Technology Program of State Grid Corporation of China(No.SGRI-WD-71-13-006); The addition of a buffer layer can improve the device＇s secondary breakdown voltage, thus, improving the single event burnout （SEB） threshold voltage. In this paper, an N type linear doping buffer layer is proposed...; 关键词：single event burnout （SEB） quasi-static avalanche linear doping buffer layer heavy ion Au beam

用于功率器件动态特性测试的栅驱动脉冲发生器: 《智能电网》2015年第5期437-441,共5页苏洪源杨霏贾云鹏吴郁胡冬青李立; 国家自然科学基金项目(61176071);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20111103120016)~~; 功率器件作为电力电子器件的典型代表,在智能电网的相关设备中起着至关重要的作用。针对智能电网中所用的功率器件(绝缘栅双极晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)、金属–氧化层半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc...; 关键词：绝缘栅器件双脉冲 STC89C52单片机脉冲发生器

快速响应、高性能LDO的设计被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2015年第2期176-179,共4页靳佳伟吴郁万培元林平分; 国家自然科学基金资助项目(61176071);北京市科技计划资助项目(Z141100006014032); 介绍一种高性能、快速响应、低抖动的LDO线性稳压器,其采用改进后的零极点跟随技术,使用工作在线性区的PMOS管作为可调的动态电阻,根据负载变化的情况动态地调整系统稳定性。同时在环路中加入微分器进一步增大系统稳定性。电流负载在1m...; 关键词：低压差线性稳压器零极点跟随低抖动快速响应

功率快恢复二极管反偏ESD与雪崩耐量仿真: 《半导体技术》2015年第1期24-28,共5页屈静吴郁刘钺杨贾云鹏匡勇李蕊苏洪源; 国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006); 静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,讨论二者的共性和差异。结果表...; 关键词：快恢复二极管(FRD) 静电放电(ESD) 雪崩耐量电压过冲雪崩注入

缓变场终止型IGBT特性的仿真被引量：2: 《半导体技术》2015年第1期29-33,43,共6页匡勇贾云鹏金锐吴郁屈静苏洪源李蕊; 国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006); 为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值...; 关键词：缓变掺杂绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 通态压降关断损耗场终止结构

150V电荷耦合功率MOSFET的仿真被引量：1: 《半导体技术》2014年第12期902-907,共6页李蕊胡冬青金锐贾云鹏苏洪源匡勇屈静; 国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006); 电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一，该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区（分别为电荷耦合区N1区与非耦合区N2区）电荷匹配问题进行了仿真优化研...; 关键词：金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET) 变掺杂电荷耦合场板低栅漏电容

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