国家自然科学基金(60776020)

作品数：24被引量：33H指数：3
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基于差分图像定位法的集成电路光发射探测技术被引量：1
《华南理工大学学报（自然科学版）》2014年第9期70-75,共6页林晓玲 练建文 章晓文 姚若河 
国家自然科学基金资助项目(60776020);电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金资助项目(9140A23090112DZ15284)
在偏置电压较低的情况下,光发射信号较弱,容易被器件的噪声所干扰,造成成像效果不佳.为此,文中建立了光发射显微(PEM)图像的信号-噪声模型,设计了差分图像定位算法来提高光发射探测的精度.该算法首先通过调整偏置电压获取失效信号强度...
关键词：集成电路 差分图像法 信号-噪声模型 光发射 缺陷定位 
深亚微米MOS晶体管总剂量效应模型研究
《核电子学与探测技术》2013年第6期735-738,774,共5页李斌 许跃彬 潘元真 
国家自然科学基金资助项目(60776020);国际合作项目(Cadence公司资助)
总剂量辐照效应会在器件氧化层中引入固定电荷和界面态。对于深亚微米CMOS器件而言,栅氧化层非常薄,固定电荷和界面态的变化不明显,而STI(Shallow Trench Isolation)场氧隔离区中电荷变化却相对明显,构成了器件静态泄漏电流产生的主要...
关键词：总剂量效应 浅沟道隔离 泄漏电流 退化 
基于BSIM4模型的不对称性研究及改进
《华中科技大学学报（自然科学版）》2013年第1期102-105,共4页李斌 潘元真 许跃彬 
国家自然科学基金资助项目(60776020)
以BSIM4模型为基础,从沟道电荷密度、有效源漏电压、载流子速度饱和及阈值电压等几个方面出发,找出BSIM4模型中导致不对称的因素,给出了对称的沟道电荷密度公式、源漏有效电压公式和载流子速度饱和公式;同时通过在源端和漏端分别计算的...
关键词：集成电路 BSIM4模型 RF集成电路设计 对称性 仿真 
4基数模集合反向转换器的设计
《华南理工大学学报（自然科学版）》2012年第9期93-96,103,共5页吕晓兰 姚若河 
国家自然科学基金资助项目(60776020)
针对大动态范围剩余数系统,给出了一个新的4基数模集合{2n-1,22n+1,2n+1,2n-1},基于新中国余数定理1实现了该模集合的剩余数至二进制的高效并行转换算法,并给出相应的转换器电路实现.与同类模集合反向转换器相比,文中提出的转换器电路...
关键词：反向转换器 加法器 剩余数系统 新中国余数定理 
非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布被引量：3
《物理学报》2012年第8期401-406,共6页强蕾 姚若河 
国家自然科学基金(批准号:60776020)资助的课题~~
基于氢化非晶硅薄膜晶体管(a-Si:H TFT)沟道中陷阱态的双指数分布,区分了带尾陷阱态和深能级陷阱态的特征温度.利用源端、漏端串联电阻及沟道电阻,将源端和漏端特征长度与有源层接触长度、SiO_2/氢化非晶硅(a-Si:H)界面陷阱态及a-Si:H...
关键词：非晶硅 薄膜晶体管 值电压 温度效应 
基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型
《华南理工大学学报（自然科学版）》2012年第3期64-68,125,共6页严炳辉 李斌 姚若河 吴为敬 
国家自然科学基金资助项目(60776020);国际合作项目(B14D8061610);华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(x2clD2104790)
基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多...
关键词：多晶硅 薄膜晶体管 电流模型 离散晶界 表面势 有效迁移率 
LSSVM在指数寿命型小子样IC寿命预测的应用被引量：2
《科学技术与工程》2011年第24期5946-5949,共4页邹心遥 姚若河 
国家自然科学基金项目(60776020)资助
针对传统寿命预测方法需要大量样本与现代高可靠集成电路(IC)在寿命试验中通常只有少量失效样本的矛盾,提出了基于最小二乘支持向量机(LSSVM)的指数寿命型小子样IC寿命预测方法。用蒙特卡罗方法研究了该方法在指数寿命型IC寿命预测应用...
关键词：寿命预测 最小二乘支持向量机 集成电路 小子样 指数分布 
非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型
《微电子学》2011年第2期304-309,共6页刘远 姚若河 李斌 
国家自然科学基金资助项目(60776020);广东工业大学博士启动项目(4051105006)
基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比。结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高。基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型。该模型可连续、准...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 栅电容 表面势 
基于扩散模型的ZnO/p-Si异质结伏安特性研究被引量：1
《华南理工大学学报（自然科学版）》2011年第2期1-6,共6页熊超 姚若河 耿魁伟 
国家自然科学基金资助项目(60776020);广东省科技攻关项目(A1100501)
为了揭示ZnO/p-Si异质结的导电机理,基于p-n结扩散模型和Anderson扩散模型推导了ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏安特性,并分析了掺杂浓度、工作温度以及能带补偿的影响.结果表明:当正向偏压超过势垒高度时,界面两边多数载流子由耗尽变...
关键词：氧化锌 异质结 伏安特性 内建势垒 扩散模型 
非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流模型被引量：2
《微电子学》2011年第1期150-154,共5页刘远 姚若河 李斌 
国家自然科学基金资助项目(60776020);广东工业大学博士启动项目(405105006)
当对a-Si∶H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内中立陷阱捕获的过程。基于价带空穴和被陷阱所捕获空穴的一维连续性方程,推导出空穴在有源层内纵向传导的逃逸率。通过描述漏端...
关键词：非晶硅薄膜晶体管 泄漏电流 空穴传导 逃逸率 
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