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国家自然科学基金(60776016): 作品数：19被引量：22H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：徐静平张雪锋邹晓邱云贞王志亮更多>>; 相关机构：华中科技大学江汉大学南通大学湖南工业大学更多>>; 相关期刊：《微电子学与计算机》《固体电子学研究与进展》《微电子学》《半导体技术》更多>>; 相关主题：界面层金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅介质PMOSFETMOS电容更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1: 《半导体技术》2010年第12期1149-1152,共4页张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平; 国家自然科学基金(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08); 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO...; 关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管氮氧钽铪界面层高介电常数介质散射迁移率

一种低功耗高稳定性晶体振荡器芯片的设计被引量：3: 《微电子学与计算机》2010年第12期105-108,共4页陈红梅徐静平钟德刚; 国家自然科学基金项目(60776016); 分析了传统Pierce振荡器不足,提出了改进型的振荡器结构,并基于0.35μm CMOS工艺,设计实现了一款低功耗高稳定性的晶体振荡器芯片.芯片有两种工作模式:正常工作模式和低功耗模式.测试结果表明,在电源电压为5 V、振荡频率为30 MHz、负载...; 关键词：Pierce晶体振荡器低功耗高稳定性 CMOS工艺

HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究: 《固体电子学研究与进展》2010年第4期485-488,共4页张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平; 国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金项目(09R08); 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁...; 关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质散射迁移率

超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2010年第4期507-509,517,共4页张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平; 国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08); 通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝...; 关键词：p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管高介电常数介质氮化铪界面层

TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究: 《固体电子学研究与进展》2010年第3期338-341,共4页邹晓徐静平张雪峰; 国家自然科学基金资助项目(60776016); 制备了含TaON界面层的Hf基氧化物和氮氧化物叠层高κ栅介质GeMOS电容。器件的测量结果表明,HfTaON/TaON叠层栅介质GeMOS电容表现出良好的界面特性、低的栅极漏电流密度、小的等效氧化物厚度(0.94nm)、高的介电常数(～24)和良好的可靠性...; 关键词：锗金属氧化物半导体 Hf基高κ 界面特性氮氧钽界面层

叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2010年第2期180-183,217,共5页张雪锋邱云贞张振娟陈云黄静王志亮徐静平; 国家自然科学基金资助项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08); 利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另...; 关键词：叠层高k栅介质远程界面粗糙散射迁移率金属-氧化物-半导体场效应晶体管

Electrical properties of HfTiO Gate Dielectric Ge MOS capacitors with wet-NO surface pretreatment: 《功能材料与器件学报》2009年第6期599-602,共4页ZOU Xiao XU Jing-ping; supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant no.60776016); Surface pretreatments for preparing HfTiO/GeOxNy stack gate dielectric on n-Ge substrate have been investigated.Excellent performances of Al/HfTiO/GeOxNy /n-Ge MOS capacitor have been achieved with an equivalent oxide...; 关键词：磁性材料功能材料 HfTiO 电工材料

表面钝化对Ge MOS电容可靠性的影响: 《微电子学》2009年第4期563-566,共4页邹晓徐静平; 国家自然科学基金资助项目(60776016); 通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高k栅介质。研究了表面钝化对Ge MOS器件性能的影响。实验结果表明,湿NO表面钝化能生长高质量GeOxNy界面层,有效降低...; 关键词：Ge MOS HfTiON 表面钝化界面层

超薄高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性研究: 《微电子学》2009年第4期575-579,共5页陈娟娟徐静平陈卫兵; 国家自然科学基金资助项目(60776016); 采用MEDICI模拟器,对高k栅介质Ge-pMOSFET的电特性进行了研究。通过考虑短沟道效应和边缘场效应,着重分析了栅介质介电常数、氧化物固定电荷密度以及沟道长度等对器件阈值电压和亚阈斜率的影响,研究认为:为获得优良的电性能,栅介质的k...; 关键词：Ge-pMOSFET 高K栅介质超薄栅介质亚阈斜率

不同界面层对HfTaON栅介质MOS特性的影响: 《固体电子学研究与进展》2009年第4期593-596,共4页徐静平张洪强陈娟娟张雪锋; 国家自然科学基金资助项目(60776016); 采用磁控溅射方法,在Si衬底上制备HfTaON高k栅介质,研究了AlON、HfON、TaON不同界面层对MOS器件电特性的影响。结果表明,HfTaON/AlON叠层栅介质结构由于在AlON界面层附近形成一种Hf-Al-O"熵稳定"的亚稳态结构,且AlON具有较高的结晶温度...; 关键词：金属-氧化物-半导体高K栅介质 HfTaON 氮氧化铝氮化

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