栅极电荷

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Infineon IGOT60R070D1 600 V增强GaN功率晶体管应用方案
《世界电子元器件》2020年第12期34-37,共4页
Infineon公司的IGOT60R070D1是Cool Ga NTM600 V增强氮化镓(Ga N)高电子迁移率晶体管(HEMT),具有最高质量的最高的效率和功率密度.增强模式晶体管通常处于开关态(OFF),具有超快开关速度,没有反向恢复的电荷,并能反向导通.器件具有低栅...
关键词：功率晶体管 开关速度 栅极电荷 反向恢复 氮化镓 坚固性 GaN 功率密度 
600V CooIMOS^(TM)P6——“多功能”器件的新标杆
《世界电子元器件》2013年第6期44-46,共3页Alois Steiner 
当今，PFC级和DC／DC级对电源效率的要求越来越高，尤其足在轻负载运行中。为满足这些要求，逻辑上工程师应选择使用栅极电荷较低的MOSFET来减少驱动损耗。任整个负载范围内，低栅极电荷可以在开通和关断时实现快速的开关切换。
关键词：多功能 标杆 器件 MOSFET 负载运行 栅极电荷 电源效率 开关切换 
E系列：MOSFET
《世界电子元器件》2011年第11期28-28,共1页
Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅...
关键词：MOSFET 导通电阻 栅极电荷 N沟道功率 Super 额定电流 功率转换 乘积 
SiR640DP/662DP：功率MOSFET
《世界电子元器件》2011年第5期31-31,共1页
Vishay Intertechnology推出40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装，具有较低的导通电阻，以及较低的导通电阻与栅极电荷乘积，即优值系数。
关键词：功率MOSFET SO-8封装 导通电阻 栅极电荷 优值系数 N沟道 器件 
SiHG47N60S：功率MOSFET
《世界电子元器件》2010年第12期28-28,共1页
Vishay推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET——SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0．07D的最大导通电阻，栅极电荷216nC，采用TO－247封装。SiHG47N60S的优值系数（FOM）为15．12Ω·nC。
关键词：功率MOSFET 导通电阻 栅极驱动 栅极电荷 优值系数 N沟道 封装 
SiHP16N50C等：功率MOSFET
《世界电子元器件》2010年第11期33-33,共1页
Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻，栅极电荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2...
关键词：功率MOSFET 导通电阻 栅极驱动 栅极电荷 N沟道 封装 
AUIRF7640S2、AUIRF7647S2和AUIRF7675M2：功率MOSFET
《世界电子元器件》2010年第10期32-32,共1页
IR推出汽车用DirectFET2功率MOSFET系列，适合D类音频系统输出级等高频开关应用。AUIRF7640S2、AUIRF7647S2和AUIRF7675M2器件利用低栅极电荷作出优化，来改善总谐波失真和提高效率，而低二极管反向恢复电荷则进一步改善了总谐波失真，...
关键词：功率MOSFET 总谐波失真 栅极电荷 高频开关 音频系统 反向恢复 电磁干扰 汽车用 
IRLB87xxPbF：基准工业级30V MOSFET
《世界电子元器件》2009年第10期41-41,共1页
IR推出一系列获得工业认证的30VTO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源（UPS）逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷（Qg）。
关键词：HEXFET功率MOSFET 工业级 不间断电源 基准 电动工具 栅极电荷 网络通信 逆变器 
SiS426DN/SiR496DP/Si7718DN／Si7784DP：第三代功率MOSFET
《世界电子元器件》2009年第1期54-54,共1页
Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45％，从而降低切换损耗及提高切换速度。
关键词：功率MOSFET 第三代 SI 切换速度 栅极电荷 电荷平衡 N通道 器件 
SiR476DP：功率MOSFET
《世界电子元器件》2008年第12期53-53,共1页
Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP，从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ，在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOS...
关键词：功率MOSFET 直流转换器 导通电阻 栅极驱动 栅极电荷 N通道 器件 优值 
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