栅介质

作品数：268被引量：261H指数：6
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不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质金刚石MOSFET器件研究
《固体电子学研究与进展》2024年第6期552-555,602,共5页谯兵 郁鑫鑫 何适 陶然 李忠辉 陈堂胜 
采用原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)技术,在(001)晶面的单晶金刚石衬底上制备了不同沉积温度Al_(2)O_(3)栅介质的氢终端金刚石MOSFET器件。在200℃下沉积Al_(2)O_(3)栅介质的器件的饱和电流密度为291 mA/mm,当沉积温度升高至...
关键词：金刚石 原子层沉积 氧化铝 温度 
高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2024年第1期6-12,共7页王韬 张黎莉 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线...
关键词：氧化镓 单粒子栅穿 TCAD仿真 VDMOS器件 
栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
《固体电子学研究与进展》2021年第3期229-234,共6页戚永乐 王登贵 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802)。
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影...
关键词：氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管 栅介质 静电释放结构 经时击穿 
Y_2O_3改善HfO_2高k栅介质Ge MOS电容的电特性及可靠性
《固体电子学研究与进展》2017年第6期389-394,共6页徐火希 谢玉林 
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB165);黄冈师范学院科研资助项目(2012028803)
以Y_2O_3薄膜作为夹层,采用磁控溅射法制备了HfO_2/Y_2O_3叠层高k栅介质Ge MOS电容,并对其电特性及高场应力特性进行了仔细研究。结果表明,Y_2O_3夹层能显著地改善Ge MOS器件的界面质量、k值、栅极漏电流特性、频率色散特性和器件可靠...
关键词：Ge金属-氧化物-半导体 Y2O3夹层 界面质量 k值 
0.35μm栅长HfO_2栅介质GaN MOSHEMT
《固体电子学研究与进展》2017年第1期6-9,共4页韩克锋 朱琳 
制备了一种GaN MOSHEMT器件,器件栅长为0.35μm,栅介质为HfO_2,并对其进行两端和三端的IV特性测试,以及界面态导致的栅延迟问题进行了测试和表征。测试结果表明,本文制备的GaN MOSHEMT器件栅电流小、栅压摆幅大、击穿电压高,适合于微波...
关键词：绝缘栅 击穿电压 栅延迟 界面态 
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)
《固体电子学研究与进展》2016年第3期171-182,共12页肖德元 张汝京 
国家科技重大专项资助项目(2015ZX02401)
<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上...
关键词：石墨烯 场效应晶体管 晶体表面 场效应管 CMOS器件 化学气相沉积 器件研究 分解方法 栅介质 黑磷 
LaON钝化层改善HfTiO高k栅介质Ge MOS电容电特性(英文)
《固体电子学研究与进展》2016年第1期78-82,共5页徐火希 徐静平 
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB165);黄冈师范学院科学研究基金资助项目(2012028803)
采用溅射法淀积一层LaON薄膜作为钝化层,制备了HfTiO栅介质Ge MOS电容,并对它们的电特性进行了仔细研究。HfTiO/LaON堆栈栅介质Ge MOS电容呈现出许多比HfTiO Ge MOS电容更好的电特性,如更低的界面态密度(4.5×10^(11)eV^(-1)/cm^2)、更...
关键词：锗金属氧化物半导体 HfTiO LaON钝化层 界面质量 k值 
不同气体退火La_2O_3栅介质Ge MOS电容的电特性
《固体电子学研究与进展》2011年第3期315-318,共4页刘红兵 陈娟娟 
采用电子束蒸发方法,在Ge衬底上淀积La_2O_3高k栅介质,研究了O_2、NO、NH_3和N_2不同气体退火对MOS电容电特性的影响。测量了器件的C-V和I-V特性,并进行了高场应力实验。结果表明La_2O_3在N_2气氛中退火后,由于形成稳定的LaGeO_x而有效...
关键词：锗金属-氧化物-半导体 氧化镧 高K栅介质 淀积后退火 
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
《固体电子学研究与进展》2010年第4期485-488,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 陈云 张振娟 黄静 徐静平 
国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金项目(09R08)
为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁...
关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 散射 迁移率 
超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第4期507-509,517,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 黄静 张振娟 徐静平 
国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)
通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝...
关键词：p沟锗基场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 氮化铪界面层 
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