大信号

作品数：521被引量：736H指数：13
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一种改进的高频GaN HEMT器件模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2021年第5期354-358,共5页余国栋 汪珍胜 王储君 王维波 陶洪琪 
提出了一种改进的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的小信号和大信号模型。该小信号模型通过改进拓扑结构来提升对高频下分布式效应的拟合,对比栅宽为4×30μm的100 nm栅长GaN HEMT器件,在110 GHz内的平均拟合误差为3.48%。在非线...
关键词：GaN HEMT 小信号模型 大信号模型 负载牵引 
基于帕德逼近的射频功率管导纳域行为模型研究
《固体电子学研究与进展》2020年第5期328-332,共5页蔡佳林 刘军 
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室基金项目(6142803180206);国家自然科学基金资助项目(61701147,61971170);毫米波国家重点实验室开放基金项目(K202011)。
提出了一种基于帕德逼近的射频功率管非线性导纳域行为模型。所提出的导纳域的帕德行为模型与基于行波域的帕德模型具有相似的概念。与现有的基于多项式公式的大信号导纳域Y参数模型相比,基于帕德逼近的Y参数模型采用有理函数进行建模,...
关键词：导纳域 大信号行为模型 帕德逼近 
基于40 nm工艺的单比特超宽带ADC被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第4期275-279,共5页易政 郭轩 郑旭强 季尔优 吴旦昱 
国家重点研发计划资助项目(2018YFB2202302)。
采用TSMC 40 nm工艺实现了一款宽带高速ADC。芯片采用时间交织的结构,单通道采用Flash结构,采样率为5 GS/s,8个子通道交织达到40 GS/s的采样率。测试结果表明,芯片的采样率可以达到38.4 GS/s,且在该采样率下,输入信号带宽可达18 GHz,灵...
关键词：模数转换器 时间交织 高采样率 大信号带宽 
毫米波GaN HEMT器件大信号模型
《固体电子学研究与进展》2017年第2期73-76,共4页陆海燕 周建军 孔月婵 陈堂胜 
国家自然科学基金资助项目(61474101;61504125);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2015AA016802;2015AA033305)
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本...
关键词：符号定义器件 GAN高电子迁移率晶体管 大信号模型 
GaN HFET的大信号射频工作模型(续)
《固体电子学研究与进展》2014年第6期503-509,共7页薛舫时 
国家自然科学基金资助项目(61076120,61106130)
3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中，都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度，该表面电场会扩展到整个异质结内，形成复杂的二维电场分布。于是在自洽求解泊松方程和薛...
关键词：HFET GAN 大信号 二维泊松方程 异质结材料 模型 射频 能带计算 
GaN HFET的大信号射频工作模型被引量：3
《固体电子学研究与进展》2014年第5期403-408,414,共7页薛舫时 
国家自然科学基金资助项目(61076120;61106130)
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm波段短栅长的高截止频率场效应管没有输出功率的现象。从场效...
关键词：大信号工作特性 3mm氮化镓异质结场效应晶体管瓶颈 解析表面势及其微商 能带畸变 射频大信号工作模型 
FET大信号模型中等效电容方程的改进被引量：1
《固体电子学研究与进展》2012年第2期105-109,共5页郑惟彬 
精确地描述FET器件大信号微波特性阻抗对单片微波集成电路设计极其重要。为了能准确地模拟FET器件大信号微波特性,在大信号器件模型中,有必要研究栅等效电容模型,尤其在高频段。在总结前人研究的基础上,构造了新型的栅源/栅漏电容方程...
关键词：大信号模型 等效电容模型 负载牵引 
一种考虑自热效应的AlGaN/GaN HEMT大信号模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第1期13-15,75,共4页王林 王燕 
国家重点基础研究专项基金资助项目(2010CB327504)
当AlGaN/GaN HEMT输出高功率密度时,器件沟道温度的升高将引起电流的下降(自热效应)。提出了一种针对AlGaN/GaN HEMT改进的大信号等效电路模型,考虑了HEMT自热效应,建立了一种改进的大信号I-V特性模型,仿真结果与测试结果符合较好,提高...
关键词：铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管 自热效应 等效电路 大信号模型 
大信号设计GaAs　MESFET功率合成
《固体电子学研究与进展》1994年第1期22-27,共6页傅炜 
利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电...
关键词：功率合成 大信号模型 场效应晶体管 
GaAs MESFET大信号模型参数的计算机提取被引量：1
《固体电子学研究与进展》1993年第3期244-246,共3页傅炜 
利用GaAs MESFET的小信号S参数及瞬态I—V特性的测量数据,建立了GaAsMESFET的大信号分析模型,编制计算机程序,进行了参数拟合并比较了GaAs MESFET两种非线性模型的适用范围,使用分步优化的方法拟合GaAs MESFET小信号S参数,获取了大信号...
关键词：GAAS MESFET 大信号模型 参数提取 
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