势垒

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WSe_(2)场效应晶体管的源漏接触特性研究
《半导体光电》2021年第3期371-374,384,共5页张璐 张亚东 孙小婷 贾昆鹏 吴振华 殷华湘 
国家重点研发计划项目(2016YFA0202300);国家自然科学基金项目(61774168)。
二硒化钨(WSe_(2))具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe_(2)场效应晶体管中的...
关键词：二硒化钨 双极特性 金属功函数 肖特基势垒 源漏接触 费米能级钉扎 
GaN基肖特基势垒二极管的漏电流传输与退化机制
《半导体光电》2019年第6期802-805,共4页任舰 苏丽娜 李文佳 闫大为 顾晓峰 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007,17KJB535001,18KJB510005)
通过比较反向偏压下AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(SBD)和GaN SBD的电流特性、电场分布和光发射位置,研究了GaN基SBD的漏电流传输与退化机制。结果表明,AlGaN/GaN SBD退化前后漏电流均由Frenkel-Poole(FP)发射机制主导,而GaN SBD低...
关键词：GAN ALGAN/GAN 漏电流 肖特基势垒二极管 退化 
肖特基势垒反向隧穿电流的计算模型与特征分析
《半导体光电》2017年第4期536-540,共5页雷勇 饶伟锋 苏静 杨翠红 
国家自然科学基金项目(51472123);江苏特聘教授基金项目;江苏省自然科学基金项目(BK20131428)
运用数值计算方法分析了肖特基势垒反向隧穿电流的场发射(FE)、热场发射(TFE)以及基于WKB近似的积分计算模型等三种模型之间的关系,阐述了场发射与热场发射模型的不足。通过分析积分计算模型的数值计算结果,探讨了肖特基势垒反向隧穿电...
关键词：隧穿效应 肖特基势垒 热场发射 场发射 反向漏电流 
不同偏压温度下非对称三势垒透射系数的模拟计算被引量：1
《半导体光电》2012年第4期540-543,599,共5页赵瑞娟 安盼龙 许丽萍 杨艳 
中北大学电子测试技术国家重点实验室青年基金资助项目;中北大学校青年基金资助项目
非对称多势垒可获得比双势垒更大的共振隧穿电流及更良好的峰谷比。通过分析单电子对任意势垒透射的理论模型,建立了任意非对称三势垒模型,研究了不同偏压和温度对透射系数的影响,并得出结论,为进一步设计非对称量子器件提供理论指导。
关键词：偏压 温度 非对称三势垒 透射系数 量子阱 
CCD抗晕结构的设计和制作被引量：3
《半导体光电》2011年第3期313-316,共4页钟四成 程顺昌 王晓强 
强光照射时,CCD图像传感器摄取的图像中会出现光晕(blooming)和弥散(smear)现象,严重影响成像质量。文章介绍了一种能够抑制这些光晕现象的抗晕CCD,详细阐述了其抗晕结构的设计和制作方法,采用该方法制作的CCD能够达到500倍的抗晕能力。
关键词：光晕 横向抗晕 横向溢出漏 抗晕势垒 
p-n结的隧道击穿模型研究被引量：1
《半导体光电》2010年第2期263-265,共3页尚春宇 杜艳秋 吴研 
黑龙江科技学院引进人才基金项目(07-19)
建立了抽象化的理论模型对p-n结隧道击穿机理进行定量研究,在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化,并进行定量计算,得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n结实验数据相吻合,证明了...
关键词：隧道击穿 势垒 P-N结 
Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器的研制
《半导体光电》2009年第6期815-817,827,共4页李华高 刘慧 白雪平 刘英丽 王艳 
使用超高真空磁控溅射系统在p—Si上制备了铂铱硅（PtxIr1-xSi）薄膜，并制作了PtxIr1-xSi／p-Si红外探测器，研究了探测器在3～5btm波段的特性，结果表明，PtxIr1-xSi／p-Si势垒高度为0．177eV，相应红外探测器截止波长为7．0μm。与...
关键词：肖特基势垒 红外探测器 焦平面阵列 铂硅 铱硅 
AlGaN肖特基紫外探测器的γ辐照效应被引量：1
《半导体光电》2008年第1期20-22,40,共4页白云 李雪 张燕 龚海梅 
对AlGaN肖特基紫外探测器件用不同剂量的γ射线进行辐照,测量了器件辐照前后的电流-电压特性、电容-频率曲线和响应光谱曲线的变化。实验发现γ辐照对器件的暗电流没有产生大的影响,但大剂量的辐照有使肖特基势垒高度降低的趋势。同时...
关键词：Γ辐照 ALGAN 肖特基势垒 
一种制备Au/n-Al_(0.3)Ga_(0.7)N横向肖特基二极管的方法
《半导体光电》2006年第6期694-697,共4页成彩晶 鲁正雄 司俊杰 赵鸿燕 赵岚 丁嘉欣 孙维国 陈志忠 张国义 
用MOCVD生长未掺杂n-Al0.3Ga0.7N制备了MSM结构紫外探测器,并通过电击穿MSM右边肖特基势垒而制成了横向肖特基二极管。器件在零偏电压处的背景光电流为87.3pA。从器件的室温I-V特性曲线计算出理想因子n、零偏势垒高度B0和串联电阻RS...
关键词：MSM 横向肖特基二极管 理想因子 势垒高度 响应率 光谱响应 
脉冲激光制备铱硅化合物长波红外敏感薄膜
《半导体光电》2005年第3期223-225,共3页杨建平 吴敢 王瑞 陈学康 
采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析。获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外辐射有很好的响应特性,通过IV曲线估...
关键词：脉冲激光沉积 铱硅化物 红外 肖特基势垒 
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