铁电电容

作品数：26被引量：19H指数：2
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铁电负电容场效应晶体管器件的研究
《压电与声光》2019年第6期782-785,共4页李珍 翟亚红 
电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金资助项目(ZHD201601);中央高校基本科研业务费专项基金资助项目(ZYGX2016J047)
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matla...
关键词：铁电负电容场效应晶体管 低功耗晶体管 亚阈值摆幅 铁电材料 铁电电容 
铁电存储单元单粒子效应的仿真与研究被引量：1
《压电与声光》2014年第6期955-957,共3页万义才 翟亚红 李平 辜柯 何伟 
运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容易翻转。经分析得出了铁...
关键词：铁电电容 铁电存储器 单粒子效应 电畴 仿真模型 
基于HSIM的铁电电容性能的研究
《压电与声光》2012年第4期614-616,621,共4页毕长红 罗玉香 胡滨 翟亚红 辜科 
电子薄膜与集成器件国家重点实验室创新基金资助项目
基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析,在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上,通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合,得出新的模型库参数。将这些参数导入HSIM中对铁电存储器(FRAM)进行仿真,根据仿真结果对比铁电电容的性...
关键词：铁电电容 铁电存储器 剩余极化 
PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究
《压电与声光》2011年第3期464-466,471,共4页束平 王姝娅 张国俊 戴丽萍 翟亚红 王刚 钟志亲 曹江田 
国家"八六三"计划基金资助项目(2002AA404500);国家"九七三"计划基金资助项目(G1999033105)
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法。利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响。实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量...
关键词：PZT薄膜 光刻胶 深反应离子刻蚀 刻蚀速率 铁电电容 
应用于FRAM的集成铁电电容的研究
《压电与声光》2008年第1期42-44,共3页蔡道林 李平 张树人 翟亚红 阮爱武 刘劲松 陈彦宇 欧阳帆 
国家重点基础研究发展计划("九七三"计划)基金资助项目(51310z)
集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表...
关键词：铁电电容 Pb(Zr Ti)O3(PZT)薄膜 铁电存储器 
铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
《压电与声光》2007年第5期609-611,614,共4页翟亚红 李平 张树人 杨成韬 阮爱武 蔡道林 欧阳帆 陈彦宇 
国家重点基础研究发展计划("九七三"计划)基金资助项目(51310z)
在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时...
关键词：PZT薄膜 铁电电容 热处理 铅挥发 跨导 
铁电电容的物理模型研究被引量：1
《压电与声光》2001年第3期244-246,共3页朱丽丽 于军 周文利 王耘波 王华 徐静平 谢基凡 
国家自然科学基金!资助项目 ( 697710 2 4)
用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中把分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构 ,包括铁电层和非开关介电层。通过这种方法改进了 Sawyer- Tower电路并测量了其电特性。用该模型较准确地测量了由于输入信号频...
关键词：物理模型 Sawyer-Tower回路 极化强度 铁电电容器 
铁电微电容的制作工艺
《压电与声光》1995年第1期33-35,共3页曹广军 吴正元 于军 周文丽 陈萍丽 谢基凡 
"八六.三"攻关项目
研究了铁电电容的制作工艺，摸索了Ｐ（Ｌ）铁电薄膜及上、下电极材料的微细图形加工工艺条件，总结出切实可行的工艺流程及相应的工艺条件。
关键词：铁电薄膜 铁电电容 铁电材料 
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