清洗技术

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单晶硅抛光片表面质量探究被引量：1
《电子工业专用设备》2016年第8期27-29,44,共4页范红娜 杨洪星 
LED集成度越来越高,集成电路线宽不断收窄,对硅衬底表面的质量提出了越来越严苛的要求,抛光片表面质量对器件制造有重要影响。RCA清洗是晶片清洗最为成熟的工艺,其工艺稳定性受到多重因素影响。从DHF溶液使用及PFA花篮质量两方面分析了...
关键词：清洗技术 花篮 氢氟酸 颗粒度 
锗抛光片清洗工艺研究被引量：1
《电子工业专用设备》2015年第11期36-39,共4页郭亚坤 陈晨 田原 范红娜 王云彪 
采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的...
关键词：紫外线/臭氧 清洗技术 雾值 锗抛光片 
《电子工业专用设备》第43卷(2014)目次总汇编
《电子工业专用设备》2014年第12期64-69,共6页
关键词：专用设备 半导体封装 光刻机 叠片机 清洗技术 划片 标量网络分析仪 微组装 压力控制系统 运动控制 
半导体晶圆的污染杂质及清洗技术被引量：8
《电子工业专用设备》2014年第7期18-21,共4页张士伟 
介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去除效果进行了比较分析。
关键词：污染杂质 半导体 湿法清洗 干法清洗 
采用高压NMP实现全自动去胶技术
《电子工业专用设备》2014年第5期11-14,共4页王冲 汪钢 
LED加工工序中,需要对晶圆表面进行去胶处理。针对LED去胶工序研究了一种去胶方法,并开发出了一种享有专利的晶圆表面金属剥离及光刻胶去除工艺及自动去胶设备,该工艺方法可去除LED表面金属层及光刻胶,并且将人工去胶的三道工艺程序整...
关键词：发光二极管 N-甲基吡咯烷酮 金属剥离 去胶 清洗技术 剥离 金属回收 
电子组装中PCBA清洗技术被引量：2
《电子工业专用设备》2014年第4期27-37,共11页宋顺美 史建卫 
清洗对于电子产品可靠性有着非常重要的影响,针对印制电路组件污染物进行了系统阐述,并对不同的清洗技术和工艺进行了总结归纳,讨论了影响清洗效果的各个因素及其检验规范,为实际生产起到了指导性作用。
关键词：印制电路组件 污染物 助焊剂残留 清洗技术 离子浓度 半水清洗工艺 
LED用蓝宝石晶片湿法腐蚀清洗技术的研究被引量：1
《电子工业专用设备》2013年第9期8-10,58,共4页郑佳晶 孙敏 张金凤 
介绍了蓝宝石晶片的清洗原理;通过分析蓝宝石的表面净化原理和对湿法腐蚀清洗工艺试验的研究,提出了一种适用于工业化生产蓝宝石晶片的清洗剂和净化工艺,满足了LED领域的蓝宝石晶片表面洁净度要求。
关键词：蓝宝石晶片 净化工艺 清洗剂 湿法腐蚀 
针对连续式化学镀的清洗技术
《电子工业专用设备》2013年第7期7-8,36,共3页刘永进 张伟锋 高津平 
连续式化学液镀的清洗具有连续工作、用水量大的特点,特别对于镀液中含有有毒离子时,废液处理费用昂贵。针对连续式化学镀的这一特点,介绍了一种"三级溢流、六级清洗"的清洗方式,能够在保证清洗效果的同时大大降低废液的产生量。
关键词：连续式 化学镀 清洗 
125mm低阻硅抛光片清洗技术研究
《电子工业专用设备》2012年第6期46-48,共3页耿莉 杨洪星 
在125 mm(5英寸)硅抛光片清洗过程中,发现硅片边缘容易出现"色斑"现象。对这一现象进行了分析,通过工艺试验,消除了这种现象。
关键词：硅 清洗技术 色斑 
面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置
《电子工业专用设备》2011年第7期14-16,共3页白敏菂 冷宏 李超群 
国家863项目(2008AA06Z317);国家自然科学基金项目(20778028)
近来特大规模集成电路研发与生产的快速进展,硅片表面清洗至关重要。因此大连海事大学环境工程研究所采用强电离放电方法(折合电场强度达到380 Td,电子具有平均能量达到9 eV)研发成功国内首台具有知识产权dhO3g型系列高浓度臭氧产生器,...
关键词：臭氧 硅片清洗:强电离放电 性价比 
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