吸收谱

作品数：477被引量：1290H指数：16
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InN的光学性质
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期88-90,共3页孙苋 王辉 王莉莉 刘文宝 江德生 杨辉 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60506001,60576003)
对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在...
关键词：INN MOCVD Hall效应 吸收谱 PL谱 
纳米非晶硅薄膜的界面发光特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期91-94,共4页傅广生 张江勇 丁文革 吕雪芹 于威 
河北省自然科学基金资助项目(批准号:E2006000999,E2004000119)
采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术沉积了不同氢稀释比的富硅氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,并利用光致发光(PL)和光致发光激发(PLE)谱技术对其发光特性进行了研究.结果显示,所有样品发光均表现为两个带的叠加:一个发光...
关键词：纳米非晶硅 PL PLE 吸收谱 界面发光 
ZnSe纳米晶材料的超快吸收谱被引量：3
《Journal of Semiconductors》2006年第4期717-720,共4页黄仕华 陆昉 
浙江省自然科学基金资助项目(批准号:Y404363)~~
通过改进的溶剂热方法,以KBH4作为还原剂,在三乙胺溶液介质中制备了ZnSe纳米晶材料.与ZnSe体材料相比,其纳米材料的稳态吸收边发生了蓝移,而且纳米颗粒的尺寸越小,蓝移量越大,这是由于随着尺度减少而引起的量子限制效应增强造成的.对在...
关键词：ZnSe纳米晶材料 超快吸收谱 载流子-声子散射 
Ga_xIn_(1-x)P/AlGaInP多量子阱的吸收/反射光谱:多光束干涉的影响与消减被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第6期651-656,共6页邵军 
上海市自然科学基金 (批准号:0 2ZA14 114 );国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 6);国家重点基础研究专项经费(批准号 :G0 0 1CB3 0 95 )资助项目~~
通过测量GaAs基GaxIn1-xP/AlGaInP多量子阱的光学吸收谱 ,揭示出采用吸收谱研究该量子阱系统所遭遇的困难 ,并判明吸收谱中高频振荡干扰的来源为多光束干涉 ,从而指出消减振荡干扰的有效途径在于降低量子阱样品的有效厚度 .提出了适用...
关键词：吸收谱 反射谱 多量子阱 多光束干涉 谱导数 
玻璃中半导体CdSSe量子点的界面态发光被引量：4
《Journal of Semiconductors》2003年第5期481-484,共4页吴畅书 田强 刘惠民 王一红 桑丽华 
教育部高等学校骨干教师基金资助项目~~
研究了玻璃中半导体 Cd SSe量子点的界面态发光 .在 10 K温度下 ,通过 PL 和吸收光谱实验 ,研究了半导体Cd SSe量子点 ,并进行了变温测量 .分析了半导体量子点的量子尺寸效应、温度对 PL 和吸收光谱的影响 .实验发现PL 谱中在 1.84e V和...
关键词：玻璃 半导体量子点 界面态 光致发光谱 光吸收谱 CdSSe 
新型半导体清洗剂的清洗工艺被引量：6
《Journal of Semiconductors》2002年第7期777-781,共5页曹宝成 于新好 马洪磊 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 0 176 0 32 )~~
报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度...
关键词：半导体 清洗剂 清洗工艺 红外吸收谱 X射线光电子谱 
硅芯片封接用PbO、ZnO、B_2O_3三元系易熔玻璃特性与封接工艺的关系被引量：7
《Journal of Semiconductors》2002年第5期555-559,共5页孙以材 孟凡斌 潘国峰 刘盘阁 姬荣琴 
对淬火态及重熔再凝固态两种粉末进行 DSC、红外吸收光谱及 X射线衍射谱分析 ,实验表明 ,淬火态的软化点低 ,在 5 0 0～ 5 10℃下完全熔化 ,有利于芯片的低温封接 .重熔再凝固态的熔点高 ( 63 0℃ )、热稳定性好 ,有利于器件的使用 .进...
关键词：低温玻璃 芯片封接 特性分析 DSC谱 红外吸收谱 X射线衍射谱 
氧气中退火Ge-SiO_2共溅射薄膜的强紫光发射被引量：4
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1131-1134,共4页沈今楷 吴兴龙 袁仁宽 谭超 鲍希茂 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9832 10 0和 5 9772 0 38)~~
Ge- Si O2 共溅射薄膜分别在 O2 、N2 和空气中退火后 ,在 Xe灯 2 5 0 nm线激发下 ,均观测到位于 40 0和 30 0 nm的紫、紫外光发射 (PL) .傅里叶变换红外吸收谱 (FT- IR)表明 ,这两个 PL 峰与锗氧化物紧密相关 .进一步的光致发光激发谱 ...
关键词：光致发光 磁控溅射 傅里叶变换 红外吸收谱 氧气 锗 二氧化硅 薄膜 
半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第7期503-509,共7页胡绪洲 杨爱明 胡晓春 
ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷是由ＺｒＯ２、ＳｉＯ２和Ｈ３ＰＯ４用高温固相反应制成．它的傅里叶红外吸收谱是由ＺｒＯ２和ＳｉＯ２的标准谱叠加而成．根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量．这些声子按...
关键词：半导体陶瓷 红外吸收谱 喇曼散射 
用红外吸收谱和俄歇谱研究氮化硅的成分和杂质被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第10期644-647,共4页张秀淼 石国华 杨爱龄 
国家自然科学基金
本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_3流量比及衬底温度的关系,用红外吸收法分析了膜中氢的含量及...
关键词：氮化硅 杂质 俄歇电子能谱 成份 
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