离子刻蚀

作品数:441被引量:769H指数:11
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故障树分析法在RIE故障诊断中的应用
《电子工业专用设备》2013年第5期62-64,共3页马培圣 
基于半导体刻蚀技术,对RIE(反应离子刻蚀)的技术原理和等离子启辉原理进行了阐述,概括介绍了故障树分析法,绘制了启辉故障的故障树,分析了造成该故障的各种原因,并根据维修经验介绍了APC(自动压力控制)故障和AMU(自动匹配网络)故障等一...
关键词:反应离子刻蚀 等离子 故障树 自动压力控制 自动匹配网络 
贝叶斯网络在半导体设备故障诊断中的应用被引量:1
《电子工业专用设备》2013年第4期62-66,共5页郝晓亮 
介绍了贝叶斯网络的概念、组成部分、结构图和条件概率表以及如何建立贝叶斯网络。总结了贝叶斯网络在故障诊断中应用的具体步骤。通过反应离子刻蚀(RIE)的典型故障,阐述了基于贝叶斯网络的故障诊断技术在半导体设备故障诊断中的应用。
关键词:贝叶斯网络 反应离子刻蚀 智能故障诊断 
中微新产品进入半导体主流设备市场
《电子工业专用设备》2007年第12期58-58,共1页
SEMICON展览向来是半导体设备和材料公司推出新品的季节。在SEMICON Japan2007开幕的前一天,中微公司(AMEC)在日本东京举行新闻发布会,宣布其拥有自主知识产权的、用于65及45nm的高端芯片加工设备——Primo D-RIEf去耦合反应离子刻...
关键词:半导体设备 设备市场 SEMICON 产品 自主知识产权 反应离子刻蚀 新闻发布会 日本东京 
4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究被引量:5
《电子工业专用设备》2005年第11期59-61,共3页柏松 韩春林 陈刚 
对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善...
关键词:4H-SIC MESFET 反应离子刻蚀 牺牲氧化 肖特基势垒 
二氧化硅的反应离子刻蚀被引量:4
《电子工业专用设备》2005年第7期48-51,共4页郝慧娟 张玉林 卢文娟 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90307003);山东省自然科学基金资助项目(Y2003C03);山东省科技攻关计划基金资助项目(022090105)
对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100W、150W、200W、250W、300W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率...
关键词:电子束曝光 反应离子刻蚀 RF功率 
Alcatel Vacuum Technology——A Recognized Leader in Deep Plasma Etching
《电子工业专用设备》2005年第1期76-78,共3页
关键词:Alcatel公司 真空技术 等离子刻蚀 MMS ICP 
100nm及其以下线宽的微(细)加工技术
《电子工业专用设备》1991年第1期64-64,共1页刘文辉 
随着微电子技术的发展,各种能产生出结构特征尺寸为0.1μm(100nm)及其以下线宽的微细加工技术被广泛研究,主要有x射线毫微米光刻技术、全息光刻技术、无色差全息光刻技术、电子束光刻技术、聚焦离子束光刻技术、反应离子蚀刻技术、电子...
关键词:微细加工 光刻工艺 离子刻蚀 
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