金属半导体

作品数:62被引量:42H指数:3
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  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
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4H-SiC MESFET器件工艺被引量:1
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期565-567,共3页陈刚 柏松 张涛 汪浩 李哲洋 蒋幼泉 
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.
关键词:4H-SIC 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 
1mm SiC多指栅微波功率器件
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期419-421,共3页陈刚 钱伟 陈斌 柏松 
研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益...
关键词:4H碳化硅 金属半导体场效应管 微波 宽禁带半导体 
4H-SiC功率MESFET的击穿特性
《Journal of Semiconductors》2004年第9期1132-1136,共5页吕红亮 张义门 张玉明 杨林安 
国家重点基础研究发展规划资助项目 ( No.5 13 2 70 10 10 1)~~
研究了 4 H- Si C MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性 .建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型 ,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用 .综合考虑了栅极偏置、自热效应等因素对击穿的影响 .采用准...
关键词:SIC 击穿特性 金属半导体场效应晶体管 
多栅GaAs MESFET开关的结构设计
《Journal of Semiconductors》2004年第4期450-453,共4页陈新宇 郝西萍 陈继义 
论述了多栅开关的结构和特点 .针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析 ,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时 ,开关性能最优 。
关键词:多栅 开关 金属半导体场效应晶体管 砷化镓 栅栅间距 
Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制被引量:2
《Journal of Semiconductors》1993年第11期681-686,T001,共7页金高龙 陈维德 许振嘉 
本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并...
关键词:金属半导体 界面 结构 Si/Co/GaAs 
Pb/Si(001)系统界面反应的ELS研究
《Journal of Semiconductors》1992年第12期767-772,共6页赵汝光 贾金峰 杨威生 
国家自然科学基金
用可调探测深度电子能量损失谱(TRLS)及俄歇电子谱(AES)研究 Pb/Si(001)系统界面反应.结果表明:在室温下,Pb与Si发生相互作用、强烈互混,形成界面相,其厚度约(15±3)A,同时此相有确定的Pb/Si原子比,其根据是这个相有能量确定的、峰宽很...
关键词:金属半导体 肖特基势垒 Pb/Si 
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