化学机械研磨

作品数：85被引量：47H指数：3
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多晶硅CMP制程后清洗工艺研究与改善被引量：1
《集成电路应用》2021年第7期48-51,共4页李儒兴 程君 李协吉 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)。
阐述嵌入式非易失性存储器芯片制造流程中的多晶硅化学机械研磨(CMP)后清洗工艺对随后的多晶硅蚀刻工艺的影响。研究发现CMP的后清洗过程对多晶硅表面的自然氧化层的生长具有显著的影响,从而成为蚀刻后多晶硅源线线宽(CD)的重要影响因...
关键词：集成电路制造 多晶硅 化学机械研磨 后清洗 线宽 自然氧化层 
集成电路制造中的化学机械抛光CMP国产设备应用
《集成电路应用》2021年第1期1-3,共3页王智 王哲 曹孟云 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)。
化学机械抛光CMP工艺是集成电路制造的核心技术,90%以上的高端CMP机台设备和抛光液、抛光垫等关键耗材均被国外供应商垄断。阐述CMP国产设备与大尺寸晶圆片生产线的有效结合,达到产学研合作攻关的目的,有利于快速提升我国CMP工艺设备水...
关键词：集成电路制造 晶圆 化学机械研磨 
电压衬度方法检测先进制程中极微小物理缺陷的研究
《集成电路应用》2019年第5期27-29,共3页倪棋梁 范荣伟 陈宏璘 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)
针对STI表面极微小氧化物残留缺陷,探索了应用电压衬度检测缺陷的方法,建立了缺陷监控指标,并据此评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测方法进行了机理分析:通过调整电荷的积累与释放速率,增强缺陷的形貌衬度信号。根据实验结果,进一步推...
关键词：电压衬度 电子束扫描 28nm 缺陷检测 形貌衬度 化学机械研磨 
金属钨化学机械研磨清洗缺陷研究及解决方法
《集成电路应用》2017年第8期59-62,共4页王雷 
上海市软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150223)
通过研究金属钨化学机械研磨(W CMP)后清洗的一种水痕状的缺陷(Water mark like defect),经过一系列的实验,我们发现这种缺陷产生的原因是具有钨插塞(W Plug)结构的晶片在清洗中WO_3被溶解,并在随后的烘干环节中W析出并形成缺陷。在典型...
关键词：集成电路制造 水痕 化学机械研磨 缺陷 
化学机械研磨垫
《集成电路应用》2009年第11期44-44,共1页
OPTIVISIONTM 4540化学机械研磨垫的设计目标是在使用寿命内实现低缺陷率和低拥有成本。它使用了独特的聚合物化学组成和细孔结构，以达到使铜阻挡层研磨的缺陷率降至最低，并提供更高的介电层去除率；拥有双孔结构以精确控制研磨，并...
关键词：化学机械研磨 使用寿命 缺陷率 设计目标 化学组成 精确控制 孔结构 阻挡层 
面对新材料的挑战-先进化学机械研磨清洗技术简介
《集成电路应用》2008年第10期47-48,共2页赵润涛 
随着半导体制造技术的发展，尤其是随着晶体管线宽尺寸从0．13um到90nm，再到60nm以下，电阻电容延迟对整个器件功能的影响越来越大。为了应对这种影响，新的材料不断得到应用：低电阻的铜代替以前的铝成为新的金属互连线，金属之间的...
关键词：化学机械研磨 新材料 清洗技术 半导体制造技术 金属互连线 低介电常数 TEOS 介质材料 
铜互连工艺中的CMP制程
《集成电路应用》2006年第6期40-40,8,共2页谢贤清 
互连工艺中第一次采用CMP是在Al互连中的钨塞（W Plug）的平坦化工艺中。主要原因是采用非选择性的WCVD工艺能够有效填充互连金属层之间的导通孔（Via），并具有良好的一致性。但是，随着器件尺寸的减小，结构性能越来越复杂，铝线的缺...
关键词：互连工艺 铜工艺 CMP 制程 化学机械研磨 CVD工艺 非选择性 结构性能 迁移特性 导电性能 
应用材料再度称雄12寸制程化学机械研磨设备市场
《集成电路应用》2004年第9期33-33,共1页
据市调机械VLSI Reseat曲和Gartner Datacluest所公布的最新市场调查资料显示，半导体设备大厂应用材料在已连续第六年蝉联化学机械研磨(CMP)市场最大供货商。应用材料表示，全球各大12寸晶圆制造商的强劲需求，是该公司Reflexion及Refl...
关键词：设备市场 供货商 晶圆制造 公司 市场调查 半导体设备 需求 化学机械研磨 制程 VLSI 
NOVELLUS力推用于65-NM以及更小规格技术标准的先进平面化系统
《集成电路应用》2004年第7期3-3,共1页
Novellus Systems公司日前发布了用于300mm晶圆生产的化学机械研磨(CMP)平台,满足并超越了65nm及其以下规格标准的技术和经济需求。Xceda完全是为了应对新一代多层铜/低k结构中的平面化挑战而设计的,通过将溶剂利用率提高到40%,极大地...
关键词：NOVELLUS公司 65-NM 化学机械研磨 Xceda 先进平面化系统 
SPOS技术在半导体CMP制程中的应用
《集成电路应用》2003年第3期39-42,共4页顾茂健 王思玲 徐剑青 Greg Pokrajac David Nicoli 
使用单粒子光学传感技术进行粒径分析,具有高分辨率和精确度的特点,将其与激光衍射等整体检测技术进行比较,应用实例,说明了单粒子光学传感技术对半导体CMP制程的必要性。
关键词：SPOS技术 CMP 单粒子光学传感技术 高分辨率 激光衍射 化学机械研磨 粒径 
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