混合集成电路

作品数:771被引量:532H指数:10
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微波混合集成电路的ESD设计被引量:2
《半导体技术》2010年第9期939-943,共5页李群春 王乔楠 
主要介绍了微波混合集成电路ESD设计的一些探索工作,对两种不同功能和形式的混合集成电路的抗静电能力和电路中的薄弱部位进行了研究和分析。依据实验摸底结果并结合电路的自身特点,有针对性地进行ESD保护电路设计,既有效提高了电路的...
关键词:微波混合集成电路 电压产生器 ESD 保护电路 
混合集成电路内部多余物的控制研究被引量:5
《半导体技术》2008年第7期575-577,共3页刘晓红 常青松 
分析了混合集成电路的内部多余物引入的途径,重点分析和阐述了金属空腔管壳在储能焊封装过程中金属飞溅物形成的原因。通过封装设备和工艺参数的控制以及管座和管帽设计的优化改进,有效控制了金属飞溅物进入封装腔体内部,提高了混合集...
关键词:混合集成电路 多余物 可靠性 颗粒碰撞噪声检测 
4~12GHz三级宽带功率放大器被引量:1
《半导体技术》2008年第S1期35-37,共3页陈中子 陈晓娟 姚小江 袁婷婷 刘新宇 李滨 
设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4~12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。...
关键词:宽带功率放大器 平衡放大器 兰格耦合器 混合集成电路 
S波段30W微波脉冲功率放大器模块设计被引量:1
《半导体技术》2007年第10期875-877,共3页赵夕彬 关富民 
介绍了S频段微波脉冲功率放大器模块的设计方法和试验研制过程。利用内匹配技术,采用混合集成电路制作,将四级芯片集成到微型封装的金属密封管壳中,前两级芯片采用GaAsMMIC电路,第三级采用GaAs FET晶体管,末级采用Si双极型晶体管完成功...
关键词:混合集成电路 内匹配 模块 功率放大 
共晶烧结技术的实验研究被引量:10
《半导体技术》2005年第9期53-56,60,共5页姜永娜 曹曦明 
随着微波混合集成电路向着高性能、高可靠、小型化、高均一性及低成本方向的发展,对芯片焊接工艺提出了越来越高的要求。本文对几种共晶烧结方法进行了实验比较,讨论了各种方法的适用范围,影响质量的因素并对实验结果进行了简单的讨论。
关键词:共晶 烧结 工艺 微波混合集成电路 
美国半导体器件QML状况报告
《半导体技术》2004年第1期12-15,共4页张素娟 胡睿 许桂芳 
在目前国内的电子装备中,使用了大量的进口电子元器件,因此对进口元器件的采购一直影响着研制工作的进度、成本及可靠性。本文介绍了美国国防部供应中心最新公布的半导体器件(分立器件、混合集成电路、单片集成电路)QML厂商、生产线以...
关键词:半导体器件 美国 QML 分立器件 混合集成电路 单片集成电路 
小型化功率放大模块被引量:3
《半导体技术》2000年第6期37-38,共2页赵夕彬 
介绍了VHF频段小型化功率放大模块的设计方法和试验研制过程,采用混合集成电路技术,将两级芯片集成到微型封装的密封管壳中,采用内匹配技术,实现阻抗匹配,提高和改善增益。在 130~180MHz率范围内,试制出Gp≥30...
关键词:混合集成电路 内匹配 模块 功率放大器 
Ku波段电调衰减器模块研究
《半导体技术》2000年第4期25-27,共3页顾晓春 王康金 
采用混合集成电路的方法,用并联PIN二极管芯片在很小的腔体内制作广Ku波段吸收式电调衰减器。动态范围大于20dB,电压驻波比小于1.4,插入损耗小于0.85dB,相应变化(插入态/衰减态)小于等于2.7°,传输时间小于100ns,线性度优...
关键词:电调衰减器 KU波段 PIN二极管 混合集成电路 
HIC导带缺陷的电学检测与评估
《半导体技术》2000年第2期49-52,共4页韩孝勇 
介绍了通过测试混合集成电路导带的方块电阻、温度系数等电学特性 ,再经过高温存贮试验考核其质量的稳定性 ,对其质量和缺陷进行评估分析 ,探索导带质量缺陷与电学特性的关系 ,为宏观评价导带质量缺陷提供一个快捷的途径。
关键词:混合集成电路 导带 缺陷 测试 
微波混合集成电路小型化技术被引量:3
《半导体技术》1996年第4期20-29,共10页云振新 
介绍国外小型微波混合集成电路技术的发展概况、电路元件的制造方法、外壳封装及典型产品。
关键词:微波集成电路 薄膜技术 小型化技术 
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