硅单晶

作品数：596被引量：631H指数：11
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空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第10期1984-1987,共4页姜翰钦 马向阳 杨德仁 阙端麟 
教育部长江学者和创新团队发展计划(批准号:IRT0651);新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET04-0537)资助项目~~
研究了普通直拉(CZ)硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理(RTP)后,再经600～1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为.研究表明,由RTP引入的空位在700～800℃间缓慢升温退火时对C...
关键词：直拉硅单晶 氧沉淀 形核 空位 
φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2008年第9期1790-1793,共4页任丙彦 褚世君 吴鑫 于建秀 孙秀菊 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60576002)~~
利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进,得到不同导流系统下的氩气流场和全局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,固液界面趋于平坦,有利于结晶潜...
关键词：数值模拟 直拉硅单晶 结晶潜热 导流筒 
热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第6期865-868,共4页崔灿 杨德仁 马向阳 
国家杰出青年基金(批准号:60225010);国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA3Z1142)资助项目~~
研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)...
关键词：直拉硅 氧沉淀 内吸杂 
快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期165-168,共4页孙世龙 刘彩池 郝秋艳 滕晓云 赵丽伟 赵彦桥 王立建 石义情 
国家自然科学基金(批准号:60076001),河北省自然科学基金(批准号:E2005000057)和河北省教育厅(批准号:2004311)资助项目
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.
关键词：重掺As硅片 快速热处理 氧沉淀 清洁区 
高温快速热处理对氧沉淀消融的作用被引量：4
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1273-1276,共4页林磊 杨德仁 马向阳 李立本 阙端麟 
国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 2 4;60 2 2 5 0 10; 5 0 0 3 2 0 10 )资助项目~~
通过对已经过两步 (低 -高 )退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理 ,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况 .研究证实 :高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀 ,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度 .另外 ,讨论了快速热处理...
关键词：快速热处理 氧沉淀 直拉硅单晶 
重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷被引量：4
《Journal of Semiconductors》2004年第6期662-667,共6页黄笑容 杨德仁 沈益军 王飞尧 马向阳 李立本 阙端麟 
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 ;60 2 2 5 0 10 );国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 2AA3Z1111)资助项目~~
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出...
关键词：重掺杂直拉硅 氧沉淀 缺陷 
直拉硅单晶中的流动图形缺陷被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第1期60-63,共4页刘彩池 乔治 周旗钢 王敬 郝秋艳 张建峰 李养贤 任丙彦 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 760 0 1;5 0 0 3 2 0 10 );河北省自然科学基金资助项目~~
用 Secco腐蚀液对直径 15 0 mm p型 (10 0 )直拉硅单晶片进行择优腐蚀后 ,得到了流动图形缺陷 (FPDs) ,并通过原子力显微镜 (AFM)对其微观结构进行观察 .实验发现 ,在 FPDs缺陷的尖端存在有几百纳米的由 (111)面构成的八面体空洞 ,这与 ...
关键词：直拉硅单晶 FPDS 空洞 原子力显微镜 
微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷被引量：5
《Journal of Semiconductors》2002年第12期1286-1290,共5页余学功 杨德仁 马向阳 李立本 阙端麟 
国家自然科学基金重点资助项目 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10 )~~
研究了掺氮和不掺氮直拉硅单晶中 ,空洞型原生缺陷 (voids)的分布行为和其退火性质 .从两种晶体不同位置取样 ,观察与大尺寸 voids相关的流水花样缺陷 (FPD)沿晶体轴向的分布 ,然后在 10 5 0～ 12 5 0℃下 Ar气中退火不同时间 .实验结...
关键词：硅单晶 直拉硅 掺氮 空洞型缺陷 半导体 Voids缺陷 流水花样缺陷 
杂质对硅单晶机械性能影响的电子理论研究被引量：7
《Journal of Semiconductors》2002年第7期713-716,共4页张国英 刘贵立 
根据位错理论建立了Si中纯净及掺杂 6 0°位错模型 ,利用Recursion方法计算了Si中纯净及掺杂 6 0°位错这种典型环境下的能量和电子结构 ,由此得出 :N、O杂质在位错区比在非位错区更稳定 ,且O优先偏聚于位错 ,不过当O含量不高时 ,N、O...
关键词：杂质 硅单晶 机械性能 电子理论 Recursion方法 电子结构 位错 钉扎作用 
光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理
《Journal of Semiconductors》2002年第1期21-25,共5页颜永美 孙宜阳 丁小勇 周海文 
根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果 .因此可以确认 ,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧...
关键词：半导体表面态 真空敏感机理 光伏方法 硅单晶 
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