硅单晶

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硅单晶测试参数的差异分析
《电子工业专用设备》2022年第5期29-31,共3页田原 
为实现对单晶参数的综合分析,指导单晶制备,迫切需要分析各单晶参数之间的关联性。采用统计分析方法,针对N<111>轻掺P单晶进行了差异分析,发现寿命与电阻率呈显著负相关,旋涡情况与寿命、电阻率不均性相关性不显著。对N<111>重掺As单晶...
关键词：硅单晶 假设检验 少子寿命 径向电阻率变化 氧含量 
一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法
《电子工业专用设备》2021年第2期43-45,共3页高丹 
为了查找影响MEMS(微机电系统)器件缺陷的关键因素,通过模拟键合硅片的加工工艺开展了实验,探索出一种MEMS用硅单晶的缺陷检验方法。结果表明这种检验方法可以提前判断硅单晶是否可用于MEMS体硅工艺,对工业化生产具有很好的指导借鉴作用。
关键词：微机电系统 单晶缺陷 检验方法 
200mm硅单晶多线切割工艺及损伤层研究被引量：2
《电子工业专用设备》2020年第1期45-49,共5页张贺强 李聪 
研究了不同切割工艺对多线切割200 mm(8英寸)硅单晶几何参数的影响,并通过碱腐蚀对200 mm硅切片损伤层进行了分析。结果表明:切割过程中硅片的温度变化及切割线横向振动对几何参数影响较大,480~260μm/min变速切割200 mm硅片几何参数明...
关键词：硅单晶 几何参数 损伤层 多线切割 
硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究
《电子工业专用设备》2019年第5期10-12,20,共4页刘娜 常耀辉 吕菲 刘洋 
介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下。研究了腐蚀前硅片的表面质量与化学腐蚀工艺对硅单晶化学腐蚀片表面质量的影响,并给出了满足衬底要求的...
关键词：硅单晶化学腐蚀片 研磨粒径 各项异性刻蚀 腐蚀坑深 
硅晶片电阻率测量技术的研究被引量：2
《电子工业专用设备》2018年第5期45-49,共5页秦伟亮 常耀辉 戚红英 窦连水 
分析了硅晶片电阻率测试的重要性并介绍了国内外常用的电阻率测试方法,并对使用最广泛的工艺检测手段-四探针技术的原理、测准条件及发展状况进行了详细的介绍。
关键词：硅单晶片 电阻率 四探针测试法 
区熔硅单晶中的漩涡缺陷及其影响因素
《电子工业专用设备》2018年第5期50-54,共5页邢友翠 闫萍 刘玉岭 李万策 
因生长时工艺条件的不同,区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分析,并给出了不同工艺条件下单晶中漩涡缺陷的宏观分布状态以及所对应缺陷的微观形貌。单晶生长实验结果表...
关键词：区熔工艺 硅单晶 漩涡缺陷 
区熔硅单晶生长过程建模综述
《电子工业专用设备》2018年第3期7-9,31,共4页云娜 庞炳远 
针对区熔法高阻硅单晶的生长过程描述和基本特征,以晶体生长基本原理为基础,从生长机理与模型建立热传导模型(晶体内的热量传输模型和固液界面处的热量传输模型)、热对流模型(晶体表面与氩气之间的对流传热模型和熔体内的对流传热模型)...
关键词：区熔法 硅单晶 过程建模 
SiC单晶片的激光标识技术研究被引量：2
《电子工业专用设备》2018年第3期32-34,共3页王添依 冯玢 
研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化。确定了激光功率为50%,标刻速度为100 mm/s,频率为20 k Hz,脉冲宽度为10μs的工艺参数,有效地改善了碳化硅晶片的标记效果,优化后的...
关键词：碳化硅单晶 激光加工 激光标识 
区熔高阻硅单晶电阻率均匀性控制技术研究被引量：1
《电子工业专用设备》2017年第6期6-9,33,共5页庞炳远 闫萍 
区熔工艺中各项参数的设置会直接影响高阻单晶的电阻率均匀性。在高阻区熔硅单晶生长时,通过采用下轴正、反向交替旋转的模式,可使直径75 mm的高阻单晶的径向电阻率变化可控制在15%以下,而这一参数在下轴单向旋转时则为30%~40%或更高。...
关键词：区熔 硅单晶 生长工艺 电阻率均匀性 
不同选点方案下硅单晶薄层径向电阻率变化
《电子工业专用设备》2017年第6期24-27,69,共5页李万策 
影响半导器件生产的的因素有很多,而硅单晶电阻率不均匀性就是众多衡量硅材料质量参数中的一个。电阻率对后道加工器件的稳定和重复性,甚至器件的质量参数指标都有很大的关联。硅单晶电阻率均匀性的指标要求也随着半导体器件的加工日益...
关键词：硅单晶 径向电阻率 四探针 不均匀性 
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