硅单晶生长

作品数：16被引量：11H指数：2
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水冷系统对直拉法生长大直径硅单晶拉速的影响
《半导体技术》2021年第4期305-309,共5页李明智 
在直拉法生长大直径硅单晶过程中,单晶炉内的温度梯度直接影响单晶生长的质量。分析了炉体内添加水冷板后循环水流速对系统固相温度梯度的影响。研究发现在不影响单晶炉内固液界面处熔体表面温度的前提下,增大固液界面处固相温度梯度可...
关键词：硅单晶生长 水冷系统 固液界面 晶体生长 温度梯度 
区熔硅单晶生长过程建模综述
《电子工业专用设备》2018年第3期7-9,31,共4页云娜 庞炳远 
针对区熔法高阻硅单晶的生长过程描述和基本特征,以晶体生长基本原理为基础,从生长机理与模型建立热传导模型(晶体内的热量传输模型和固液界面处的热量传输模型)、热对流模型(晶体表面与氩气之间的对流传热模型和熔体内的对流传热模型)...
关键词：区熔法 硅单晶 过程建模 
硅单晶生长工艺参数建模及多目标优化被引量：1
《人工晶体学报》2017年第11期2095-2101,共7页黄伟超 刘丁 
国家自然科学基金重点项目(61533014);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2014CB360500)
为了获得满足高品质硅单晶体生长的工艺参数,一种计算流体动力学(computational fluid dynamics,CFD)方法、数据处理组合法(group method of data handing,GMDH)型神经网络和第二代非支配排序遗传算法II(nondominated sorting genetic a...
关键词：晶体生长 工艺参数优化 计算流体动力学 第二代非支配排序遗传算法 多目标优化 
CZ法硅单晶生长电阻网络建模及MPC仿真分析
《西安理工大学学报》2016年第2期142-148,206,共8页弋英民 张潼 
国家重点基础研究发展计划973项目资助(2014CB360508);国家自然科学基金资助项目(61533014);陕西省教育厅科研资助项目(16JS069)
CZ法硅单晶生长系统具有强非线性及大滞后的特点。本文就该系统建立了传热传质的低阶模型,计算了该模型在初始条件下的稳态解,并进行线性化处理及分析,根据系统的可控性及稳定性确定控制策略,并设计控制器。结果表明:在低阶模型中,采用G...
关键词：单晶硅 CZ法 电阻网络类比 低阶模型 模型预测控制 
大直径重掺硼硅单晶生长工艺研究
《电子工业专用设备》2015年第8期5-9,29,共6页韩焕鹏 
在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验。通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3Ω·cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对...
关键词：大直径重掺硼硅单晶 热场改造 工艺参数改进 组分过冷 
直拉区熔联合法硅单晶生长技术研究
《电子工业专用设备》2014年第8期11-14,共4页庞炳远 闫萍 索开南 董军恒 刘洪 
通过直拉工艺生长直径60 mm的N型〈100〉单晶,之后以该单晶作为原料,采用区熔工艺生长成50mm（2英寸）N型〈111〉单晶,单晶的电阻率为2.71～5.35Ω·cm,少子寿命为500～750 μs,氧碳含量均低于1×16 cm-3.实验表明,通过直拉工艺和区熔...
关键词：直拉 区熔 硅单晶 电阻率 
消除区熔硅单晶生长中“硅刺”的研究
《电子工业专用设备》2012年第5期32-34,52,共4页刘燕 
在无位错FZ硅单晶生长过程中,长"硅刺"是一种对单晶生长十分有害且常见的现象。单晶生长过程中一旦出现"硅刺",如不能及时消除,会导致中途停炉,不仅浪费原料,而且影响生产,因此,如何减少和消除硅刺,是FZ单晶拉制中,需要着重解决的问题。...
关键词：区熔 线圈 硅刺 
直拉法硅单晶生长时晃动的分析及控制被引量：3
《半导体技术》2010年第11期1083-1086,共4页李巨晓 孙新利 王飞尧 何国君 
晃动是直拉法硅单晶生长中的常见现象。晃动会导致晶体生长控制系统出现异常,提拉速度波动幅度大,同时还引起熔体对流的不稳定以及杂质微观扩散的紊乱。这不仅对硅单晶的无位错生长造成一定的困难,而且对硅单晶的品质有十分不利的影响...
关键词：硅单晶 晃动 单摆 晶转 直拉法 
真空区熔提纯在探测器级硅单晶生长中的作用被引量：1
《天津科技》2010年第6期34-35,共2页索开南 闫萍 庞炳远 张殿朝 
半导体硅光电探测器用的单晶硅要求具有非常高的纯度和晶格完整性,才能保证探测器能够实现暗电流低和直流、脉冲响应度高的目标。这对材料纯度提出非常高的要求。现在市面上能买到的优质一级还原料直接生长单晶无法满足要求,必须采用真...
关键词：探测器 区熔 真空 分凝效应 电阻率 
真空区熔硅单晶生长技术研究
《天津科技》2010年第2期4-5,共2页张殿朝 闫萍 索开南 庞炳远 
对φ30mm、<111>晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析,针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题,从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究,理论联系实践,优化工艺参数,对如何提高熔区稳定性及结晶驱动力,提出了有效的...
关键词：〈111〉晶向 真空单晶 成晶率 
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