高电子迁移率

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硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管
《半导体信息》2019年第1期2-4,共3页
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)和中国的Enkris半导体公司所制造的材料结构由5个平行...
关键词：三栅极 多通道 高电子迁移率晶体管 漏极电流 导通电阻 III 
高电子迁移率的磁感应氮化镓晶体管
《半导体信息》2018年第5期9-9,共1页
英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称他们首次制造出氮化镓（GaN）磁性高电子迁移率晶体管（MagHEMT）。可以看出器件采用的是分流式漏极,这可以评估由于与磁场相互作用引起的电子路径偏差。这些器件的相对灵敏度由漏极端...
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 磁感应 相对灵敏度 研究人员 塞尔维亚 相互作用 漏极电流 
用于高频和功率电子器件的GaN-SiC混合材料
《半导体信息》2018年第5期23-25,共3页
瑞典的研究人员在碳化硅（SiC）上生长出更薄的IIIA族氮化物结构,以期实现高功率和高频薄层高电子迁移率晶体管（T-HEMT）和其他器件。新结构采用高质量的60nm无晶界氮化铝（AlN）成核层,而不是大约1-2μm厚的氮化镓（GaN）缓冲层,以避...
关键词：功率电子器件 混合材料 高频 高电子迁移率晶体管 研究人员 扩展缺陷 氮化物 碳化硅 
日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层将GaN HEMT的输出功率提高到19.9W/mm栅宽
《半导体信息》2018年第4期6-7,共2页
近日，日本富士通有限公司和富士通实验室有限公司宣布，他们在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中开发出一种可以增加电流和电压的晶体结构，有效地将微波频带中发射器用晶体管的输出功率增加三倍。
关键词：日本富士通公司 输出功率 高电子迁移率晶体管 阻挡层 间隔层 栅宽 晶体结构 实验室 
美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校在200mm硅晶圆上制造出GaN高电子迁移率晶体管
《半导体信息》2017年第1期8-9,共2页
近日，在美国空军科学研究实验室资助下，美国伊利诺伊大学厄巴纳一香槟分校（UIUC）宣布研制出先进的硅基氮化镓晶体管技术，在其微纳米技术实验室实现了200mm硅晶圆上制造出高电子迁移率晶体管（HEMT），若在工业界可能实现更大的晶...
关键词：高电子迁移率晶体管 美国空军 硅晶圆 制造 香槟 大学 GAN 微纳米技术 
VisIC发布行业内最低电阻的650V氮化镓功率转换开关
《半导体信息》2015年第4期15-15,共1页科信 
以色列VisIC Technologies Ltd of Rehovot公司成立于2010年，是一家无生产线的功率转换器件研发机构，主要技术支撑是氮化镓金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管。该公司近期发布了一款行业内最低电阻的650V阻断电压晶体管，
关键词：氮化镓 低电阻 转换开关 高电子迁移率晶体管 功率 行业 金属绝缘体 研发机构 
IBM以标准CMOS工艺打造三五族FinFET
《半导体信息》2015年第4期23-24,共2页郑畅 
整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从硅基板转换而利用砷化铟镓（InGaAs）的更高电子迁移率，包括英特尔（Intel）与三星（Samsung）；而IBM已经展示了如何利用标准CMOS工艺技术来达成以上目标。
关键词：CMOS工艺 FINFET IBM 标准 高电子迁移率 半导体产业 砷化铟镓 硅基板 
无半导体的异质接面晶体管可望取代硅
《半导体信息》2015年第4期25-26,共2页郑畅 
美国密西根理工大学（MichiganTech）透过结合石墨烯的高电子迁移率与氮化硼碳纳米管（BNNT）的绝缘层特性，期望开发出尺寸较硅（Si）更小且更具热效能的无半导体（semiconductor—less）异质接面晶体管，从而在国际半导体技术蓝图（I...
关键词：半导体技术 晶体管 异质 高电子迁移率 硅 碳纳米管 绝缘层 氮化硼 
开态氮化镓晶体管的高温挖槽工艺
《半导体信息》2015年第4期29-30,共2页科信 
中国内地和香港的研究者们近日称在4GHz条件和脉冲状态下，最新推出的氮化镓基增强型金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管中（MIS-HEMTs）可获得最高的输出功率密度和功率附加效率。
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 工艺 挖槽 高温 功率密度 脉冲状态 中国内地 
InP HEMT在1THz频率下性能特性直接展示
《半导体信息》2015年第4期30-30,共1页科信 
Northrop Grumman公司采用磷化铟高电子迁移率晶体管制成lO级放大器，在太赫兹频率下，可获得9dB增益。
关键词：性能特性 HEMT 频率 INP 高电子迁移率 man公司 放大器 磷化铟 
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