云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 高电子迁移率

高电子迁移率: 作品数：658被引量：844H指数：9; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：郝跃张进成马晓华陈堂胜王冲更多>>; 相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

GaN基高电子迁移率晶体管专利分析: 《中国科技信息》2023年第19期20-23,共4页罗晓雅; 技术概述。相对于以Si为代表的第一代半导体材料和以GaAs为代表的第二代半导体材料,以GaN和SiC为代表的第三代半导体具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速率大、耐高温以及抗辐射能力强的优点,在射频领域和大功率方面显示出...; 关键词：高电子迁移率晶体管半导体材料临界击穿电场电子迁移率射频器件异质结构 GAN材料抗辐射能力

面向高电子迁移率晶体管的κ-Ga_(2)O_(3)/GaN铁电/极性半导体异质结: 《中国科学：物理学、力学、天文学》2023年第1期158-160,共3页韩根全; 极性半导体异质结构是通过极化调控实现多功能、高性能先进电子器件的一种有效策略.南京大学叶建东团队报道了κ-Ga_(2)O_(3)/GaN铁电/极性半导体的II型异质结构,基于外场调控实现了κ-Ga_(2)O_(3)的铁电极化翻转,并揭示了极化电荷形成...; 关键词：氧化镓铁电极化异质结

AlGaN/GaN HEMT器件的高温小信号模型分析: 《中国科技论文在线精品论文》2021年第2期253-260,共8页韩永坤张贺秋陈帅昊薛东阳刘力涛徐瑞良梁永凤梁红伟夏晓川梁晓华; 国家自然科学基金(11975257,11675198,12075045,11875097,61574026,61774072);中央高校基本科研业务费专项资金(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金(2018J12GX060); 基于GaN材料的耐高温、抗辐照等优越特性,使其与Si材料相比,更适用于航空航天以及太空探测领域.本文采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)作为探测器的前置放大电路,并测试了HEMT器件在不同工作温...; 关键词：半导体技术高电子迁移率晶体管高温小信号模型参数提取

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破被引量：1: 《山东陶瓷》2018年第3期36-36,共1页; 近日,在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）,100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率...; 关键词：第三代半导体材料 SIC单晶设备生产中国电子科技集团公司粉料高电子迁移率生长设备高速运行

芘二酰亚胺:兼具高电子迁移率和双光子荧光性能的有机半导体被引量：1: 《物理化学学报》2018年第5期447-448,共2页刘忠范; 近年来,伴随着有机电子学的蓬勃发展,有机半导体材料的研究逐渐成为了科研领域的热点之一。与传统的无机半导体材料相比,有机半导体材料具备独特的优势,比如分子结构易于调控、可溶液处理和易于大规模制备。; 关键词：有机半导体材料高电子迁移率荧光性能二酰亚胺双光子大规模制备分子结构溶液处理

具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（英文）被引量：2: 《电工技术学报》2018年第7期1472-1477,共6页赵勇兵程哲张韵伊晓燕王国宏张雅希; This work is supported by the National High Technology Research and Development Program of China(No.2014 AA 032606)and the National Natural Sciences Foundation of China(No.61376090,61306008).; 介绍了一种采用ICP干法刻蚀技术制备的槽栅常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。采用原子层淀积(ALD)实现40 nm的栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.3 V。在栅压时,槽栅常关型AlGaN/...; 关键词：ALGAN/GAN 高阈值电压大栅压摆幅常关型

北京大学高性能二维半导体新材料展现出优异性能: 《新材料产业》2017年第5期78-78,共1页; 近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授课题组与合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se），在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。; 关键词：北京大学半导体性能二维新材料高电子迁移率场效应晶体管工程学院

0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管被引量：1: 《西安交通大学学报》2017年第8期72-76,共5页韩克锋王创国朱琳孔月婵; 国家自然科学基金资助项目(61474101); 为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基...; 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓栅电流射频特性

GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究被引量：6: 《固体电子学研究与进展》2016年第5期377-381,共5页吴立枢赵岩沈宏昌张有涛陈堂胜; 基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS...; 关键词：转移键合 GaAs赝配高电子迁移率晶体管 Si互补金属氧化物半导体异质互联

HEMT压力传感器: 《烟台大学学报（自然科学与工程版）》2016年第3期199-203,共5页张昌盛; 利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气(2DEG)的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管(HEMT)的压强传感器;并利用标准的微电子工艺和背部深硅刻蚀技术制作了器件;对器件在不同压强下的源-漏I-V特性进行了测...; 关键词：Ⅲ族氮化物半导体二维电子气高电子迁移率场效应管压强传感器

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