高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃张进成马晓华陈堂胜王冲更多>>
相关机构：西安电子科技大学中国科学院中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 主题=氮化镓x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展
《微纳电子技术》2024年第12期16-27,共12页邱一武 王安晨 殷亚楠 周昕杰 
阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应 损伤机制 抗辐射加固 
氮化镓基单片功率集成技术被引量：1
《电子科技大学学报》2024年第5期685-697,共13页周靖贵 陈匡黎 周琦 张波 
国家自然科学基金(62174019);广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
关键词：氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道 
侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
《红外与毫米波学报》2024年第4期526-532,共7页康亚茹 董慧 刘晶 黄镇 李兆峰 颜伟 王晓东 
国家自然科学基金(61971395)。
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的...
关键词：氮化镓 太赫兹探测器 侧栅 高电子迁移率晶体管 
一种提高氮化镓高压功率器件动态可靠性的快速筛选方法
《微电子学》2024年第3期503-510,共8页沈竞宇 范文琪 邱金朋 
国家自然科学基金资助项目(62174017)。
为了快速筛选出由电流崩塌、阈值漂移导致失效的氮化镓(GaN)器件,提出了一种基于晶圆测试的创新筛选方法,旨在更好地筛选出高可靠性的650 V增强型GaN功率器件,在封装之前消除固有缺陷导致的动态失效,解决实际应用中的动态可靠性问题。...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 电流崩塌 可靠性 寿命 筛选方法 
重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响被引量：1
《物理学报》2024年第3期209-216,共8页吕玲 邢木涵 薛博瑞 曹艳荣 胡培培 郑雪峰 马晓华 郝跃 
国家自然科学基金重点项目(批准号:12035019,62234013)资助的课题。
采用^(181)Ta^(32+)重离子辐射AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,获得器件在重离子辐射前后的电学特性和低频噪声特性.重离子辐射导致器件的阈值电压正向漂移、最大饱和电流减小等电学参数的退化.微光显微测试发现辐射后器件热点数量明显增...
关键词：重离子辐射 氮化镓 高电子迁移率晶体管 低频噪声 
P-GaN栅结构GaN基HEMT器件研究进展被引量：2
《北京工业大学学报》2023年第8期926-936,共11页朱彦旭 宋潇萌 李建伟 谭张杨 李锜轩 李晋恒 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402803);北京市自然科学基金资助项目(4182011)。
增强型氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)是高频高功率器件与开关器件领域的研究热点,P-GaN栅技术因具备制备工艺简单、可控且工艺重复性好等优势而成为目前最常用且唯一实现商用的GaN基增强型...
关键词：氮化镓(GaN) P-GaN栅技术 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor HEMT) 增强型器件 结构优化 制备工艺优化 
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
《应用物理》2023年第6期274-290,共17页安蒙恩 修慧欣 
氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)由于具有高截止频率、高工作电压和工作温度范围广泛等特点,越来越多地应用于高频和高功率器件等电力电子领域。然而,在实际应用中,在高温高压等极端情况下,GaN HEMTs会出现退化甚至失效,这使得...
关键词：氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 物理失效分析技术 
高电子迁移率晶体管的研究进展被引量：3
《科技创新与应用》2023年第13期99-104,共6页许俊焯 蒙自明 
高电子迁移率晶体管(HEMT)作为半导体功率器件,能够应用在高温、高压和高频等环境。到目前为止,第二代半导体材料GaAs、InP基HEMTs体系的发展已相当成熟,随着第三代半导体GaN基HEMT体系的数据及理论不断完善,其在相关领域的应用正逐渐...
关键词：高电子迁移率晶体管 氮化镓 氧化镓 HEMT 研究进展 
集成AlGaN/GaN HEMT混频探测器的太赫兹矢量测量系统被引量：2
《红外与激光工程》2023年第1期161-168,共8页刘一霆 丁青峰 冯伟 朱一帆 秦华 孙建东 程凯 
中国科学院青年创新促进会(Y2021089);国家自然科学基金(61771466,61775231);江苏省重点研发计划(BE2018005)。
矢量测量是表征太赫兹波段天线与准光系统波束特性的主流技术。该文介绍了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High-electron-mobility transistor, HEMT)混频探测器的太赫兹矢量测量系统。该系统核心器件为以准光-波导为耦合方式的...
关键词：矢量测量 太赫兹探测器 相干探测 高电子迁移率晶体管 氮化镓 
小型化L波段1000W GaN内匹配功率管研制
《微电子学》2022年第6期1050-1054,共5页刘坤 
L波段功率单管有增大功率的需求,但会面临体积较大的问题。基于0.5μm工艺研发了GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,单芯功率达到300 W。通过负载牵引仿真提取模型的输入、输出最佳阻抗点。用高介电常数薄膜电路设计L-C网络,拉高芯片的...
关键词：L波段 内匹配 氮化镓 高电子迁移率晶体管 
全选清除导出
共9页<123456789>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部