高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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氮化镓基单片功率集成技术被引量：1
《电子科技大学学报》2024年第5期685-697,共13页周靖贵 陈匡黎 周琦 张波 
国家自然科学基金(62174019);广东省基础与应用基础研究项目(2021B1515140039,2024A1515012139)。
宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频...
关键词：氮化镓 异质结 二维电子气 高电子迁移率晶体管 氮化镓单片功率集成 P沟道 
GaAs毫米波双路数控衰减器MMIC
《现代信息科技》2023年第11期61-63,68,共4页丁红沙 
基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在2...
关键词：GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 毫米波 双路数控衰减器 
E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC被引量：1
《现代信息科技》2023年第9期60-62,67,共4页陈长友 刘会东 崔璐 
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 E波段 有源六倍频器 
X波段双模功率MMIC设计
《固体电子学研究与进展》2023年第2期181-186,共6页刘新宇 郭润楠 张斌 
基于有源负载调制的多阻抗匹配技术,采用0.25μm GaN HEMT工艺,研制了一款工作在X波段双模功率放大器芯片,使功率放大器在峰值及回退10 dB两种输出功率模式下均具有较高的效率。采用对称双路三级放大拓扑设计,利用多阻抗匹配与电压切换...
关键词：负载调制 氮化镓(GaN) 双模 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第3期224-230,共7页李士卿 何庆国 戴剑 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增...
关键词：砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 共源共栅 超宽带 
Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC被引量：2
《半导体技术》2022年第12期1009-1013,共5页王生国 高茂原 边照科 王彪 韩雷 刘帅 
采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压。在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率...
关键词：功率放大器(PA) 高电子迁移率晶体管(HEMT) KU波段 输出功率 场板 单片微波集成电路(MMIC) 
W波段5W GaN四路合成功率放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2022年第5期391-396,共6页许春良 杨卅男 万悦 
基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米T型栅GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用AlGaN/GaN异质结构外延衬底,研制了一款W波段功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC通过威尔金森功分器/合成器实现4个饱和输出功率大于1.5 W...
关键词：W波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 功率放大器 功率合成 威尔金森 单片微波集成电路(MMIC) 
基于GaAs pHEMT的1.0~2.4 GHz放大衰减多功能芯片被引量：3
《电子工艺技术》2022年第2期90-93,108,共5页韩思扬 张坤 周平 蒋冬冬 
基于0.25μm GaAs赝高电子迁移晶体管(pHEMT)工艺,研制了一种1.0~2.4 GHz的放大衰减多功能芯片,该芯片具有低噪声、高线性度和增益可数控调节等特点。电路由第一级低噪声放大器、4位数控衰减器、第二级低噪声放大器依次级联构成,同时在...
关键词：GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT) 共源共栅结构 放大衰减多功能芯片 
Ka波段GaN HEMT高效率功率放大器MMIC被引量：2
《半导体技术》2022年第3期231-236,共6页杜鹏搏 王瑜 焦雪龙 刘学利 崔朝探 任志鹏 曲韩宾 
研制了一款基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的Ka波段功率放大器(PA)单片微波集成电路(MMIC)。MMIC采用三级级联放大结构,在末级采用簇丛型合成网络实现8胞功率合成,电路输入端和级间采用低通电抗式匹配网络,输出端采用带通...
关键词：功率放大器(PA) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 功率合成 奇模抑制 
基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2022年第3期237-242,共6页许春良 李明 王雨桐 魏洪涛 
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制。该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益。用电子设计...
关键词：GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) W波段 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 
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