高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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超导接收前端用制冷HEMT低噪放电控组件设计
《低温与超导》2019年第8期42-47,共6页肖南 葛玲 刘文其 孙婷婷 宾峰 
超导接收前端以超导滤波器和高电子迁移率晶体管(HEMT)低温放大器构成核心微波电路,其HEMT放大器在低温下拥有极低的工作噪声,但对偏置供电的要求很高,只有在特定偏置下,系统才拥有最佳的工作稳定度、高增益和低噪声。本文针对多信道超...
关键词：超导接收前端 高电子迁移率晶体管 偏置电源 电控组件 
C波段紧凑型25W GaN宽带功率放大器被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第2期248-251,257,共5页刘帅 蔡道民 武继斌 
基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标,实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 高功率放大器 宽带 功率附加效率 
S波段GaN MMIC Doherty功率放大器被引量：3
《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第2期363-367,共5页任健 要志宏 
采用SiC衬底0.25μm Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款S波段GaN单片微波集成电路(MMIC)Doherty功率放大器,在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率,可用于小型基站。为减小芯片尺寸,采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 DOHERTY功放 
瞄准未来-太赫兹晶体管
《集成电路通讯》2015年第3期48-48,共1页
基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走，但研究已经开展起来。目前也取得了一些成果，比如对概念的物理分析。实际操作中也取得一些突破，如在氮化铟上对氮化镓进行高选择性刻蚀；...
关键词：太赫兹晶体管 瞄准 场效应晶体管 高电子迁移率 选择性刻蚀 半导体结构 金属氧化物 氮化铟 
IBM以标准CMOS工艺打造三五族FinFET
《半导体信息》2015年第4期23-24,共2页郑畅 
整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从硅基板转换而利用砷化铟镓（InGaAs）的更高电子迁移率，包括英特尔（Intel）与三星（Samsung）；而IBM已经展示了如何利用标准CMOS工艺技术来达成以上目标。
关键词：CMOS工艺 FINFET IBM 标准 高电子迁移率 半导体产业 砷化铟镓 硅基板 
IGZO-TFT技术:未来大尺寸平板显示应用发展的助推器被引量：2
《集成电路应用》2013年第5期18-20,共3页王莉红 覃正才 
相对于目前主流的硅基TFT技术，IGZO－TFT拥有高电子迁移率、高电流开关比、对可见光不敏感、可制作柔性显示产品和生产成本低等技术优势，具有巨大的应用价值。
关键词：TFT技术 显示应用 助推器 大尺寸 平板 高电子迁移率 显示产品 开关比 
A Novel Scheme for Generating and Transmitting UWB Signals
《通讯和计算机（中英文版）》2010年第4期50-55,共6页Mithilesh Kumar Ananjan Basu Shiban K. Koul 
关键词：超宽带信号 传输 高电子迁移率晶体管 超宽带脉冲 微带天线 频谱分析仪 UWB HEMT 
THz无线通信系统高定向光学发射器性能分析
《光通信技术》2010年第5期46-49,共4页李明亮 王聪 
为提高太赫兹无线通信系统的传输距离,设计了带有高增益天线和波导输出光电二极管模块的光学发射器。分析了含有HEMT和不含HEMT的WG-PM输出功率与光电流、输出功率与信号频率的关系,对比了四种光学发射器的BER特性,理论计算了发射器的...
关键词：太赫兹无线通信系统 高定向 光学发射器 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
用于SDH STM-64光发射机的GaAs PHEMT激光驱动器
《固体电子学研究与进展》2008年第1期95-99,共5页李文渊 王志功 
国家863计划资助项目(2001AA312020);自然科学基金资助项目(69825101)
介绍了用于SDH系统STM-64速率光发射机用的激光二极管/光调制器驱动器集成电路的设计。电路采用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMTs工艺设计并制造,可以驱动激光二极管和电吸收式调制器。电路由输入匹配电路、预放大电路、源极跟随器、...
关键词：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 差分放大器 激光驱动器 光发射机 
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