背面金属化

作品数：17被引量：15H指数：3
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适用于共晶焊的肖特基二极管背面金属化工艺优化
《厦门大学学报（自然科学版）》2024年第4期603-608,共6页郑志霞 陈轮兴 郑鹏 
福建省科技厅引导性基金资助项目(2022H0051);福建省科技厅区域发展基金资助项目(2022H4007)。
[目的]为了降低成本,减少污染,提高工艺效率,对肖特基二极管背面金属化工艺进行研究,探索锡锑合金替代金系合金的最佳不持温镀膜金属化工艺.[方法]通过持温镀膜与不持温镀膜对比实验,分析电子束蒸发镀膜基片温度对阴极金属层间黏附性和...
关键词：肖特基二极管 金属化工艺 电子束蒸发镀膜 方块电阻 空洞率 剪切力 
p型PERC双面太阳电池背面铝栅线的设计被引量：2
《微纳电子技术》2017年第12期808-812,共5页吴翔 陈璐 魏凯峰 
钝化发射极背面接触(PERC)双面太阳电池(PERC+)背面采用丝网印刷铝栅线的设计,代替常规PERC电池背面全铝背场层,达到背面发电的效果。对不同背面铝栅线宽度的PERC+电池和常规PERC电池的电性能及激光开窗截面图进行比较,发现了不同宽度...
关键词：钝化发射极背面接触(PERC)电池 双面太阳电池 背面金属化 铝栅线 空洞 局部背表面场(LBSF) 
背面金属化工艺技术优化
《微处理机》2015年第5期12-13,17,共3页申猛 
背面金属化是连接前部芯片和后部装配的重要工艺,直接影响到后部装配成品率、热阻等等,因此对器件的可靠性有着重要影响。主要从背金前清洗及溅射背金两方面进行探索与研究,在背金前清洗工步增加背面腐蚀、背面漂酸工艺,溅射背金工步采...
关键词：背面金属化 背面清洗 背面腐蚀 
双极大功率晶体管背面工艺优化被引量：1
《半导体技术》2014年第8期605-608,632,共5页霍彩红 潘宏菽 刘相伍 程春红 
针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的...
关键词：双极大功率晶体管 背面减薄工艺 背面金属化前清洗工艺 BC正向压降 非均匀性 
大尺寸硅片超薄技术被引量：2
《半导体技术》2014年第6期442-446,共5页唐晓琦 淮璞 
随着器件小型化技术的发展,硅芯片厚度成为了发展超薄封装的关键问题。为了实现大尺寸硅片减薄到100μm的批量生产,研究了减薄工艺原理和大尺寸(以直径为200 mm为例)Si片超薄工艺的控制点。通过对不同减薄工艺的对比,分析了减薄工艺不...
关键词：超薄芯片 超薄封装 减薄工艺 化学腐蚀 背面金属化 
欧瑞康系统接到大订单
《江苏纺织》2013年第11期21-21,共1页白京 
欧瑞康巴尔查斯是瑞士欧瑞康集团物一个事业部，也是世界领称的PVK涂层供应商之一。其CLUSTERLINE300系统使用的功率器件，已接到很多订单。CLUSTERLINE300是专为最高达300毫米晶片的高级封装和背面金属化应用而设计的第一个PVD工具。...
关键词：订单 系统 背面金属化 功率器件 供应商 PVK PVD 技术 
肖特基二极管背面金属化工艺技术
《中国科技信息》2013年第15期111-111,共1页薛建国 
本文介绍了肖特基二极管背面金属化原理和制作过程,针对背面多层金属化系统的特点,分析了影响蒸发镀膜质量的原因,提出了相关解决措施。
关键词：电子束蒸发 肖特基二极管 欧姆接触 多层金属化 
中小功率晶体管芯片背面金属化的研制
《黑龙江科技信息》2013年第24期1-1,共1页宋海娟 常婷婷 郝晓波 
在电子产品的生产过程中,中小功率的晶体管生产是一个非常重要的生产环节。芯片作为晶体管的核心组成部分,其能否在晶体管中正常使用是衡量晶体管生产质量的主要指标。这些晶体管芯片一般是以批量生产的方式单独生产,然后再通过集电极...
关键词：中小功率 晶体管 芯片 背面 金属化 
电子束蒸发工艺中源飞溅的控制被引量：3
《电子与封装》2013年第6期7-9,32,共4页李云海 张益平 章文 
采用电子束蒸发进行的背面金属化工艺中遇到的较为常见的问题,就是在蒸发过程中发生的蒸发源飞溅状况。这是影响工艺可靠性及稳定性的重要问题,如何通过工艺控制手段减少甚至杜绝此类问题的出现对实际生产是很有指导性意义的。文中对该...
关键词：背面金属化 电子束 源飞溅 
单片芯片背面金属化工艺研究
《混合微电子技术》2013年第1期59-63,共5页赵兹君 李林森 汪涛 李佳 
本文对单片芯片背面金属化工艺进行了研究，为小尺寸芯片背面金属化提供了一条有效的途径。针对单片芯片体积小、易碎的特点，设计了专用的模具对芯片进行成膜装夹，并采用软掩模的方式避免了芯片背面成膜过程中芯片侧面和正面的金属化...
关键词：单片芯片 背面金属化 软掩模 Ti—Ni—Au 
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