PHEMT

作品数：278被引量：277H指数：7
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Analysis of the damage threshold of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse被引量：4
《Chinese Physics B》2016年第8期458-462,共5页席晓文 柴常春 刘阳 杨银堂 樊庆扬 史春蕾 
supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2014CB339900);the Open Fund of Key Laboratory of Complex Electromagnetic Environment Science and Technology,China Academy of Engineering Physics(CAEP)(Grant No.2015-0214.XY.K)
An electromagnetic pulse（EMP）-induced damage model based on the internal damage mechanism of the Ga As pseudomorphic high electron mobility transistor（PHEMT） is established in this paper. With this model, the rela...
关键词：PHEMT electromagnetic pulse damage threshold empirical formula 
Damage effect and mechanism of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse被引量：2
《Chinese Physics B》2016年第4期456-460,共5页席晓文 柴常春 赵刚 杨银堂 于新海 刘阳 
supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2014CB339900);the Open Fund of Key Laboratory of Complex Electromagnetic Environment Science and Technology,China Academy of Engineering Physics(CAEP)(Grant No.2015-0214.XY.K)
The damage effect and mechanism of the electromagnetic pulse （EMP） on the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor （PHEMT） are investigated in this paper. By using the device simulation software, the d...
关键词：PHEMT the electromagnetic pulse damage effect 
Simulation and experimental study of high power microwave damage effect on AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor被引量：9
《Chinese Physics B》2015年第4期525-529,共5页于新海 柴常春 刘阳 杨银堂 席晓文 
Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant No.2014CB339900);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.60776034)
The high power microwave （HPM） damage effect on the AIGaAs/InGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor （pHEMT） is studied by simulation and experiments. Simulated results suggest that the HPM damage to ...
关键词：PHEMT damage mechanism high power microwave pulse-width 
GaAs pHEMT工艺6～18GHz有源倍频器MMIC
《半导体技术》2011年第8期619-622,共4页吴永辉 
国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)
基于GaAs pHEMT工艺,设计了一个6～18 GHz宽带有源倍频器MM IC,最终实现了较高的转换增益和谐波抑制特性。芯片内部集成了输入匹配、有源巴伦、对管倍频器和输出功率放大器等电路。外加3.5 V电源电压下的静态电流为80 mA;输入功率为6 dB...
关键词：GaAs PHEMT 倍频器 MMIC 有源巴伦 宽带放大器 
宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计被引量：1
《微纳电子技术》2009年第8期498-501,共4页刘文杰 吴洪江 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAspHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18GHz，在整...
关键词：宽带 砷化镓微波单片集成电路 PHEMT 微波开关 兰格耦合器 
A Super-Low-Noise,High-Gain MMIC LNA
《Journal of Semiconductors》2006年第12期2080-2084,共5页黄华 张海英 杨浩 尹军舰 朱旻 叶甜春 
国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~
A two-stage monolithic low noise amplifier is developed for satellite communication applications,using a 0.5μm enhancement PHEMT technology. The on-chip matched amplifier employs lumped elements to reduce the circuit...
关键词：low noise amplifier enhancement PHEMT MMIC 
RTD与PHEMT集成的几个关键工艺被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第2期390-394,共5页王建林 刘忠立 王良臣 曾一平 杨富华 白云霞 
国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB3 0 95 );中国科学院特别支持资助项目~~
在新型的共振隧穿二极管 (RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上 ,研究和分析了分立器件的制作工艺 ,给出了分立器件的制作工艺参数 .利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件 ,并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性 .测...
关键词：共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 集成电路 工艺 
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1335-1337,共3页张海英 刘训春 罗明雄 刘洪民 王润梅 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 2 1);国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 2 CB3 1190 1)资助项目~~
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 ....
关键词：GAAS PHEMT T形栅 激光调制驱动电路 
一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法被引量：7
《Journal of Semiconductors》2003年第4期411-415,共5页石华芬 张海英 刘训春 陈宝钦 刘明 王云翔 
国家重点基础研究发展规划资助项目 (编号 :G2 0 0 0 0 683 0 40 4)~~
提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90～ 6 10...
关键词：InP 制作方法 三层胶复合结构 PHEMT 电子束曝光 T型纳米栅 磷化铟 电子迁移率晶体管 
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