P型

作品数：1858被引量：2987H指数：18
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CHAMP型卫星定轨顾及非线性改正的轨道扰动方程被引量：3
《地球物理学报》2017年第2期514-526,共13页于锦海 朱永超 孟祥超 
国家重点研发计划(2016YFB0501702);国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2013AA122502-2);国家自然科学基金项目(41274034);CAS/CAFEA国际创新团队项目(KZZD-EW-TZ-19)联合资助
本文针对CHAMP型卫星建立了顾及非线性改正的轨道扰动方程定轨理论与方法.首先从卫星运动的二阶微分方程出发,引入了正常引力位以及相应的参考轨道,然后分别推导了线性化轨道扰动方程与顾及非线性改正的轨道扰动方程,同时说明了建立的...
关键词：CHAMP型卫星 非线性改正 轨道扰动方程 参考轨道 法方程组 
一种带有p型阻挡层的新型阳极短路IGBT结构
《半导体技术》2016年第9期679-683,共5页于佳弘 李涵悦 谢刚 王柳敏 金锐 盛况 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401);国网科技资助项目(SGRI-WD-71-14-005)
提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通...
关键词：回跳现象 阳极短路绝缘栅双极型晶体管(IGBT) p型阻挡层 正向导通压降 关断时间 
p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响被引量：3
《物理学报》2015年第10期270-275,共6页毛清华 刘军林 全知觉 吴小明 张萌 江风益 
国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101)资助的课题~~
在温度变化时,如果GaInN发光二极管能够保持相对稳定的工作电压对其实际应用具有重要意义.本文通过金属有机化学气相沉积生长了一系列包含不同有源区结构、不同p型层结构以及不同掺杂浓度纵向分布的样品,并对其在不同温度区间内正向电...
关键词：氮化镓 发光二极管 电压:电致发光 
一种p型功率管栅极驱动电路的设计被引量：2
《电子元件与材料》2013年第12期45-48,共4页丁璐璐 冯全源 
国家自然科学基金重大资助项目(No.60990320;No.60990323);国家自然科学基金面上资助项目(No.61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大资助项目(No.2012AA012305);四川省科技支撑计划资助项目(No.2012GZ0101)
为p型功率管的USB保护芯片设计了一款栅极驱动电路。针对VBUS电压过高,不能及时断开输入,导致芯片内部损坏的问题,使用一个npn管在栅极驱动电路内部实现了过压保护且有迟滞功能。在0.5μm BCD工艺下的仿真结果显示:该驱动电路在1.1 V的...
关键词：栅极驱动 过压保护 USB 低压启动 p型功率管 软启动 
HVP型智能阀门定位器设计被引量：3
《重庆科技学院学报（自然科学版）》2013年第4期112-114,共3页马林 付健 
国家"863"计划资助项目(SS2012AA040606)
低功耗、高可靠性的网络化智能阀门定位器已经成为气动执行器控制调节阀的重要部件。提出一种运用多项自主知识产权的设计方案,并据此开发智能阀门定位器。
关键词：智能阀门定位器 调节阀 气动执行器 现场总线 低功耗 
MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究被引量：1
《光电子．激光》2012年第4期708-711,共4页韩军 冯雷 邢艳辉 邓军 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展"863"计划(2008AA03Z402);国家自然科学基金(61107025);北京市自然科学基金(4102003;4112006;4092007)资助项目
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ...
关键词：金属有机物气相淀积(MOCVD) p型氮化镓(CaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 原子力显微镜(AFM) 
4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺掺杂MoO_x作为空穴传输层对有机太阳电池性能的影响被引量：2
《物理学报》2012年第8期516-521,共6页赵理 刘东洋 刘东梅 陈平 赵毅 刘式墉 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327701);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A110);国家自然科学基金(批准号:60907013,60906021,60977024,60876032,60706018);吉林省自然科学基金(批准号:20090136)资助的课题~~
通过采用4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)掺入MoO_x作为器件的空穴传输层来提高酞菁铜(CuPc)/C_(60)小分子有机太阳电池的效率.采用真空蒸镀的方法制备了一系列器件,其中结构为铟锡氧化物(ITO)/m-MTDATA:MoO_x(3...
关键词：有机太阳电池 P型掺杂 空穴传输 MoO_x 
p-ZnO薄膜及其异质结的光电性质被引量：4
《人工晶体学报》2012年第3期636-641,共6页朱慧群 李毅 丁瑞钦 王忆 黄洁芳 张锐华 
国家高技术研究发展计划(863)(2006AA03Z348);上海市教育委员会科研创新重点项目(10ZZ94);上海领军人才培养计划;广东省自然科学基金(10152902001000025);江门市自然科学和基础科学领域科技攻关计划项目(江科[2009]38号);五邑大学重点科研项目资助
采用射频磁控溅射法,在不同的Ar∶O2条件下,以高掺磷n型Si衬底为磷掺杂源制备了p型ZnO薄膜和p-ZnO/n-Si异质结。对ZnO∶P薄膜进行了光致发光谱(PL)、霍尔参数、I-V特性、扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)等测试。结果表明,获得的ZnO∶P...
关键词：磁控溅射 P型ZNO薄膜 磷掺杂 异质结 
灯丝温度对热丝CVD法制备p型氢化纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响被引量：3
《人工晶体学报》2012年第2期284-289,共6页潘园园 沈鸿烈 张磊 吴天如 江丰 
国家高技术研究发展计划(863)(2006AA03Z219)资助项目;江苏高校优势学科建设工程资助项目
本文采用热丝化学气相沉积法在不同灯丝温度(1650～1850℃)下沉积了p型氢化纳米晶硅薄膜,研究了灯丝温度对薄膜微结构、光学性能及电学性能的影响。结果表明,随着灯丝温度的升高,薄膜的晶化率先增大后略微减小,最大值是55.5%。载流子浓...
关键词：灯丝温度 氢化纳米晶硅 热丝化学气相沉积 微结构 电学性能 
MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量：1
《功能材料》2011年第7期1227-1229,共3页韩军 邢艳辉 邓军 朱延旭 徐晨 沈光地 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA03Z402);北京市自然科学基金资助项目(4102003;4092007;4112006);北京市教育委员会科技发展计划资助项目(KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金资助项目(X0002013200901;X0002013200902)
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有...
关键词：Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积 原子力显微镜 X射线双晶衍射 
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