P型

作品数：1858被引量：2987H指数：18
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具有低漏电和优异亚阈值特性的p-GaN/GaN/AlGaN增强型p型MOSHFET
《半导体技术》2025年第3期241-247,共7页范继锋 王永强 张艺 李巍 雷鹏 
国家电网内蒙古分公司科技项目(2024-4-38)。
为了实现GaN基互补逻辑电路,基于GaN的p型半导体器件逐渐引起广泛关注。制备了基于p-GaN/GaN/Al_(0.29)Ga_(0.71)N异质结构的p型金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET),该异质结构通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石基...
关键词：GaN 金属氧化物异质结场效应晶体管(MOSHFET) 二维空穴气(2DHG) 高温 增强型 亚阈值摆幅(SS) 关断态漏电流 阈值电压 
高掺杂低位错p型GaN材料生长研究
《半导体技术》2024年第8期702-707,共6页高楠 房玉龙 王波 韩颖 张志荣 尹甲运 刘超 
对采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上生长的p型GaN材料进行了研究。p型GaN材料通常采用Mg掺杂来实现,但Mg有效掺杂量的增加会导致材料的空穴浓度提高,表面粗糙度变大、位错密度增加。采用Delta掺杂方式,在Cp_(2)Mg通入量一...
关键词：金属有机化学气相沉积(MOCVD) Delta掺杂 P型GAN 空穴浓度 半高宽(FWHM) 
重掺杂p型SiC晶片Ni/Al欧姆接触特性
《半导体技术》2024年第5期417-424,共8页杨磊 程佳辉 杨蕾 张泽盛 龚春生 简基康 
广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628);北京市科技计划项目(Z231100006023015)。
系统研究了Al和Ni/Al两种金属体系在重掺杂p型SiC晶片上的欧姆接触特性和电学性质。利用X射线衍射、扫描电子显微镜和综合物性测量系统对这两种电极表面的微观结构和样品的电学性质进行了表征。结果表明:在真空环境下经过800℃退火后Al...
关键词：p型SiC Ni/Al 欧姆接触 重掺杂 液相法 
p型SiC欧姆接触理论及研究进展被引量：3
《半导体技术》2019年第6期401-409,共9页黄玲琴 夏马力 谷晓钢 
国家自然科学基金资助项目(61604063;11547136);江苏省研究生实践创新项目(SJCX19_0753)
碳化硅(SiC)具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异特性,是制备高温、高频、大功率器件最理想的半导体材料之一。然而,制备良好的SiC欧姆接触尤其是p型SiC欧姆接触仍然是SiC器件研制中亟需攻克的关键技术难题。首先对p型SiC欧姆...
关键词：p型SiC 欧姆接触 势垒理论 比接触电阻率 形成机理 
一种带有p型阻挡层的新型阳极短路IGBT结构
《半导体技术》2016年第9期679-683,共5页于佳弘 李涵悦 谢刚 王柳敏 金锐 盛况 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401);国网科技资助项目(SGRI-WD-71-14-005)
提出了一种可应用于高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的新型阳极短路IGBT结构。在n型截止区设计一个p型阻挡层,增加了集电极区域的短路电阻,从而完全消除传统阳极短路型IGBT开启时正向导通压降的回跳效应。p型阻挡层的位置对消除导通...
关键词：回跳现象 阳极短路绝缘栅双极型晶体管(IGBT) p型阻挡层 正向导通压降 关断时间 
带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构
《半导体技术》2016年第4期280-285,共6页王柳敏 金锐 徐晓轶 谢刚 盛况 
国家高科技发展研究计划(863计划)资助项目(2014AA052401);国网科技项目(SGRI-WD-71-14-005)
为了有效消除器件的逆阻现象,提出了一种带有p型柱体的三维阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管(SA-LIGBT)结构。p型柱体位于n型缓冲层中,提高了集电极区域的短路电阻,从而使逆阻现象完全消失。另一方面,p型柱体会向漂移区注入更多的空穴,...
关键词：三维 横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT) 阳极短路 p型柱体 逆阻效应 
p型Ge单晶VGF生长位错抑制研究被引量：4
《半导体技术》2016年第2期138-142,共5页周春锋 兰天平 周传新 
垂直梯度凝固(VGF)法在单晶生长时温度梯度低,热应力小,是目前制备大尺寸、低缺陷晶体的首选方法。在不同的工艺条件下开展了p型VGF锗单晶生长实验研究。通过控制不同温区的温度和降温速率来减小生长温度梯度和晶体内部的应力。在保证VG...
关键词：P型 锗单晶 垂直梯度凝固(VGF) 位错 位错排 
600V高性能新型槽栅内透明IGBT的仿真被引量：1
《半导体技术》2014年第12期908-916,共9页苏洪源 胡冬青 刘钺杨 贾云鹏 李蕊 匡勇 屈静 
国家自然科学基金资助项目(61176071);教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016);国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
载流子存储层(CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力。为了平衡载流子存储层对器件阻断能力的影响,在器件n-漂移区中CSL层处近哑元胞侧设计了p型埋层(p BL),利用电荷平衡的理念改善电场分布,并借助ISE-TAC...
关键词：p型埋层载流子存储层内透明集电极绝缘栅双极晶体管(CSL-pBL-ITC-IGBT) 哑元胞 载流子存储层 p型埋层 槽栅 
氧化锌的p型掺杂改性研究进展
《半导体技术》2014年第8期561-566,共6页夏志美 刘竹林 
湖南省科技计划项目资助(2013GK3046);湖南省自然科学株洲联合基金资助项目(12JJ9041)
综述了近年来纳米氧化锌材料p型掺杂改性的研究现状,介绍了用于p型掺杂的单元素和共掺杂双元素以及所采用的主要掺杂方法,这些方法包括热蒸发法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、低温水解法、离子束增强沉积法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法...
关键词：氧化锌 P型掺杂 掺杂元素 掺杂方法 低电阻率 
多结化合物电池用p型Ge抛光片清洗技术研究被引量：2
《半导体技术》2010年第8期764-767,共4页刘春香 杨洪星 赵权 
国家"863"计划引导项目(2002AA001013)
对多结化合物太阳电池用的p型Ge抛光片的清洗技术做了研究。Ge抛光片的清洗可以采用酸性清洗液和碱性清洗液相结合的方式。酸性清洗液的主要作用是去除晶片表面的有机物;碱性清洗液的主要作用是去除晶片表面的颗粒。清洗液的温度和组分...
关键词：p型锗抛光片 清洗技术 太阳电池 清洗液 晶片 
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