云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SDB

SDB: 作品数：169被引量：194H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：医药卫生更多>>; 相关作者：熊洁许云书陈军宁任先艳杨海君更多>>; 相关机构：东南大学上海华力集成电路制造有限公司中国工程物理研究院西南科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目四川省非金属复合与功能材料重点实验室一省部共建国家重点实验室培育基地开放基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>

SDB-SOI制备过程中工艺控制: 《电子工业专用设备》2024年第3期20-23,共4页刘洋; SOI(Silicom-On-Insulator)晶圆是绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅晶圆。在SDB-SOI晶圆制备过程中,需要在进行晶圆键合、磨削、抛光等工序过程中,通过对键合空腔、顶硅厚度、顶硅TTV、顶硅形状、顶硅表面等参数的控制,可以降低后续工序加...; 关键词：硅晶圆绝缘衬底上硅(SOI) 键合磨削

一种优化FinFET工艺中冗余电容的方法: 《中国集成电路》2022年第6期78-84,共7页冯二媛于海洋; 在目前集成电路先进制造工艺下,普遍采用鳍式场效应管(FinFET)结构作为最基本的逻辑器件,以获得更高的制造密度和更强的沟道控制能力。FinFET制造工艺中通常包含双扩散区隔离(Double Diffusion Break,简称DDB)和单扩散区隔离(Single Dif...; 关键词：SDB工艺功耗冗余电容 M0G栅极部分接触工艺

致命蜂刺——小直径炸弹(SDB)的前世今生: 《海陆空天惯性世界》2022年第2期22-33,共12页子龙; 作为网络中心战时代最具代表性的武器,灵巧智能化弹药与传统的精确制导弹药既有联系又有区别——前者的态势感知、电子对抗、精确制导、高效毁伤、毁伤评估,甚至是弹际通信等能力,更多地依赖于数据链而非弹载系统,实际上每一枚弹药都成...; 关键词：电子对抗态势感知小直径炸弹 SDB 毁伤评估精确制导数据链前世今生

Inhomogeneous barrier height effect on the current–voltage characteristics of an Au/n-InP Schottky diode: 《Journal of Semiconductors》2015年第12期81-86,共6页Kamal Zeghdar Lakhdar Dehimi Achour Saadoune Nouredine Sengouga; We report the current-voltage （I-V） characteristics of the Schottky diode （Au/n-InP） as a function of temperature. The SILVACO-TCAD numerical simulator is used to calculate the I-V characteristic in the tem- perat...; 关键词：simulation SDB Silvaco INP temperature I-V-T

硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程: 《微纳电子技术》2015年第6期402-405,共4页陈晨杨洪星何远东; 硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进...; 关键词：硅-硅直接键合(SDB) 机械减薄平整度弯曲度翘曲度

基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合被引量：1: 《微纳电子技术》2015年第5期325-328,共4页王亚彬王晓光郑丽王成杨宋尔冬; 提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检...; 关键词：表面激活表面态高温退火硅-硅直接键合(SDB) 空洞键合强度

衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究: 《天津科技》2014年第11期18-19,21,共3页张贺强; 硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而...; 关键词：硅片抛光片硅硅键合键合质量

SDB-SOI晶片减薄技术综述被引量：2: 《电子工业专用设备》2011年第10期33-36,共4页孙涛张伟才; 阐述了SDB-SOI晶片的减薄技术的特点和要求,依次介绍了化学机械抛光、电化学自停止腐蚀、等离子抛光技术和智能剥离技术的原理和特点,并指出了SDB-SOI晶片减薄的发展趋势。; 关键词：SDB-SOI减薄化学机械抛光电化学自停止腐蚀等离子抛光智能剥离

迪康发布DVB-T和SDB—T调谐-解调SoC方案: 《卫视传媒》2010年第12期14-14,共1页; 2010年6月2日，法国迪康公司，日前发布两款最新的调谐一解调片上系统（SoC）方案。这两款芯片面向低成本电视接收应用，分别支持DVB-T及ISDB—T full—seg标准，为便携和固定接收装置提供高性能数字电视技术，并可以极低的成本集成到...; 关键词：DVB-T ISDB 解调调谐 SoC 数字电视技术片上系统电视接收

SDR论坛进入中国: 《数字通信世界》2009年第6期45-45,共1页; 目前，China 4G World研讨会在北京举行，前来参加这次会议的SDB（软件无线电）论坛与北京讯息展信息技术有限公司共同宣布，二家达成战略合作意向，SDB论坛指定北京讯息展信息技术有限公司作为该论坛在中国区的代理。; 关键词：论坛中国 SDR 信息技术 World 软件无线电战略合作 SDB

SDB