SI单晶

作品数:29被引量:24H指数:3
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相关作者:索开南张殿朝闫萍陈燕生林兰英更多>>
相关机构:中国科学院北京大学中国电子科技集团公司第四十六研究所北京科技大学更多>>
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过冷度对重掺B直拉Si单晶中小角晶界的影响被引量:3
《半导体技术》2011年第5期373-377,392,共6页王飞尧 孙新利 饶伟星 何国君 王伟棱 
小角晶界是Si单晶中的严重缺陷,生产中需要极力避免。对于重掺B直拉<111>Si单晶,当掺杂浓度接近固溶度时就容易产生小角晶界。对直拉Si单晶中小角晶界产生的原因进行梳理及深入分析,在理论上提出减少过冷度来减少小角晶界缺陷的方法。...
关键词:小角晶界 过冷度 硅单晶 重掺硼 掺杂浓度 
密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究被引量:1
《半导体技术》2011年第2期136-139,共4页刘锋 韩焕鹏 李丹 王世援 吴磊 周传月 莫宇 
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻〈111〉晶向Si单晶,单晶的外形和径向电阻率均匀性良好。对〈111〉晶向Si单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面...
关键词:硅单晶 〈111〉晶向 直拉法 高晶转 密闭式热场 
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量:1
《半导体技术》2010年第8期787-790,共4页刘云霞 周旗钢 孙燕 石宇 曹孜 李惠 
国家02重大科技专项项目(2008ZX02401)
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无C...
关键词:氧化诱生层错 无铬腐蚀液 硅单晶 检测 抛光片 
真空高阻区熔Si单晶中的微缺陷及其少子寿命被引量:6
《半导体技术》2008年第11期1003-1006,共4页闫萍 张殿朝 庞丙远 索开南 
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验表明,与在Ar气氛下的单晶生长相比,在真空环境下采用较低的晶...
关键词:高阻硅单晶 微缺陷 少子寿命 
真空高阻区熔Si单晶等径初期少子寿命的变化
《半导体技术》2008年第S1期284-286,共3页索开南 闫萍 张殿朝 庞炳远 刘燕 董军恒 
介绍了生长电阻率1×104~2×104Ω.cm的p型高阻真空区熔Si单晶时,所生长单晶少子寿命的变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,在转肩后不久,晶棒断面中心处,寿命均出现了明显的突变,并且有30~40mm的低寿命区,之后随...
关键词:真空 区熔 少子寿命 漩涡 位错 
机械振动对直拉法Si单晶生长的影响被引量:4
《半导体技术》2008年第4期304-307,共4页李巨晓 庄力 
机械振动是直拉法单晶生长过程中不可避免的因素,影响单晶的正常生长。从生长机理方面看,传递到熔体的振动会引起熔体内对流的变化,对固-液界面的稳定性造成干扰,从而影响单晶的品质和无位错生长;从操作控制方面而言,熔体的振动会使引...
关键词:直拉法 硅单晶 振动 
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