掩膜版

作品数：65被引量：28H指数：3
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半导体材料国产替代,打造中国“芯”时代被引量：3
《集成电路应用》2015年第12期23-27,共5页许兴军 
集成电路产业的发展需要建立完善的材料体系,这是我国走向半导体强国的必经之路,《国家集成电路产业发展推进纲要》对上游材料提出了具体发展目标。本文从产业层面分析,材料是产业发展的基础和先导,我国上游配套材料国产化率低、规模小...
关键词：半导体材料 国产化 晶圆片 掩膜版 光刻胶 CMP材料 
EUV掩膜版清洗——Intel的解决之道被引量：2
《集成电路应用》2008年第6期I0001-I0001,共1页Aaron Hand 
对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟．而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力，在Texas州...
关键词：掩膜版 EUV 清洗 表面预处理 光刻技术 污染问题 抗反射膜 吸收能力 
光掩模相位测试设备
《集成电路应用》2008年第1期61-61,共1页
高分辨率独立光掩模相位测试系统Phame能够对193纳米的光掩模进行测试。这套系统用于测量和分析高端相移掩膜版的实际相移表现。它使用户能够直接测试那些被曝光在硅片上的器件所对应掩膜版的图形表现。系统可以获得诸如3-D掩膜版效应...
关键词：测试设备 光掩模 相位 测试系统 掩膜版 高分辨率 图形表现 直接测试 
先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命
《集成电路应用》2007年第11期24-28,共5页Aaron Hand 
作为光刻技术的"替罪羊",光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正(OPC)和其它分辨率增强技术(RET)的发展——包括双重图形技术的前景——掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。
关键词：光学光刻 掩膜版 分辨率增强技术 寿命 光刻技术 图形技术 光成像 RET 
用多光子光刻制作65nm聚合物结构
《集成电路应用》2007年第8期25-25,共1页Aaron Hand 
常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影．从而形成图案。佐治亚理工学院（GeorgiaInstitute of Technology）的研究人员正在研究一种多光子光刻技术，不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。
关键词：聚合物结构 光刻技术 多光子 制作 电路设计 研究人员 掩膜版 
掩膜版清洗和光刻胶去除面临的挑战被引量：6
《集成电路应用》2007年第6期28-28,共1页James S. 
在65nm及以下节点，掩膜版的清洗变得更为关键，需要采用新的方法和技术。在传统的湿法工艺化学顺序中，首先用硫酸／双氧水混合液，然后是氨水／双氧水混合液（APM）。然而，保护膜下的缺陷和因清洗后的硫残留而引起的光致雾状缺陷是19...
关键词：掩膜版 光刻胶 清洗 193nm光刻 工艺化学 工艺流程 混合液 双氧水 
雾状缺陷问题是可以解决的
《集成电路应用》2007年第5期29-29,共1页Laura Peters 
在上期本专栏的《掩膜版寿命受到的雾状缺陷限制》一文中，我们讨论了掩膜版上雾状缺陷的主要类型和曝光波长为193和248nm时的掩膜版寿命。而在此我们将讨论雾状缺陷问题的严重程度．并对控制这类缺陷所需的努力进行评估。
关键词：缺陷 掩膜版 严重程度 光波长 寿命 类型 评估 控制 
掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制Ⅰ被引量：1
《集成电路应用》2007年第4期36-36,共1页Laura Peters（编） 
雾状缺陷（Haze defect）是残留在掩膜版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时．这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩膜版。然而到了193nm光刻．受其影响的掩膜版高达20％左右，雾状...
关键词：掩膜版 缺陷 193nm光刻 寿命 光化学反应 技术市场 无机物 有机物 
泽尔尼,打造自己的CD检测设备
《集成电路应用》2007年第3期18-18,共1页钱敏 
从事半导体设备研发和制造并有所成就的本土公司本来就不多．而专注于半导体检测设备的公司更是屈指可数．上海泽尔尼仪器有限公司就是其中一家．研发方向是半导体6—12寸晶圆／掩膜版CD的检测．并已有了自己的用户。
关键词：检测设备 CD 半导体设备 12寸晶圆 掩膜版 研发 仪器 
新产品
《集成电路应用》2006年第11期52-52,54,共2页
硅片划片系统；测试系统；晶圆键合机；工艺监控器;掩膜版验证系统。
关键词：产品 测试系统 验证系统 键合机 监控器 掩膜版 
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