FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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FD-SOI:为5G和AIoT保驾护航——第七届上海FD-SOI论坛在上海召开
《中国集成电路》2019年第10期14-17,共4页黄友庚 
FD-SOI作为一种特殊的半导体制造工艺,其独特的技术优势在于:第一、能够大大减小寄生电容,提高运行速度,与硅材料相比,SOI器件的频率提高了20%~35%;第二、降低了漏电,具有更低的功耗;第三、消除了闩锁效应;第四、抑制了衬底的脉冲电流干...
关键词：上海 半导体制造工艺 论坛 护航 5G SOI器件 寄生电容 运行速度 
FD-SOI的低功耗，究竟有什么用？
《中国集成电路》2019年第10期18-22,59,共6页黄烨锋 
前年的ISSCC 2017大会上,意法半导体做过一个题为“针对智能嵌入式系统、采用28nm FD-SOI工艺的2.9TOPS/W深度卷积神经网络SoC”(A 2.9 TOPS/W Deep Convolutional Neural Network SoC in FD-SOI 28nm for Intelligent Embedded Systems...
关键词：深度卷积神经网络 低功耗 ISSCC 嵌入式系统 意法半导体 SOI工艺 SoC 网络拓扑 
一亿颗出货量之后，FD-SOI还要翻越哪些山丘？
《中国集成电路》2019年第10期23-26,共4页王树一 
2000年前后,胡正明教授公布FinFET(鳍式晶体管)与FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator,全耗尽型绝缘体上硅)技术,为25纳米及以下半导体工艺发展指明方向。台积电和英特尔都选择了FinFET工艺,这使其成为逻辑工艺的主流方向.
关键词：出货量 FINFET 半导体工艺 山丘 绝缘体上硅 晶体管 耗尽型 英特尔 
FD-SOI技术产业链及市场简析被引量：2
《中国集成电路》2019年第10期29-32,共4页朱雷 
超薄基体埋氧全耗尽绝缘层基硅(Ultra Thin body and BOX- Fully Depleted - silicon on insulator,UTBB-FD-SOI,以下简称FD-SOI),是一种基于两大创新来实现平面晶体管结构的工艺技术:一是,在体硅中引入了超薄的埋氧(BOX)层,作为绝缘层...
关键词：SOI技术 产业链 市场 晶体管 设备结构 芯片面积 摩尔定律 生产流程 
SOI或将成为市场新动力,第六届上海FD-SOI论坛圆满落幕
《中国集成电路》2018年第10期6-6,共1页
近日,由SOI产业联盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司与中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合主办的第六届上海FD-SOI论坛在上海圆满落幕,论坛吸引了来自衬底、制造、EDA、IP、IC设计和系统设计等半导体产业链各环节...
关键词：SOI技术 上海 论坛 市场 IC设计 中国科学院 产业联盟 信息技术 
格芯将与成都共同推动实施FD-SOI生态圈行动计划
《中国集成电路》2017年第6期13-13,共1页
格芯（GLOBALFOUNDRIES）近日宣布，在成都市政府的引导和支持下，双方将协同合作以推动中国半导体产业的创新发展。双方将合作建立一个世界级的FD—SOI生态系统，其中涵盖多个成都研发中心及高校合作的研究项目。该项累计投资超过1亿...
关键词：成都 生态圈 芯片设计 半导体产业 半导体公司 生态系统 研发中心 移动通信 
28nm FD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世
《中国集成电路》2016年第8期66-66,共1页
三星晶圆代工业务（Samsung Foundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magnetic RAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥炭性存储器（eNVM）选项。
关键词：嵌入式存储器 SOI工艺 快闪存储器 晶圆代工 SST 
Global Foundries全球首发22nm FD-SOI工艺
《中国集成电路》2015年第8期5-5,共1页
Global Foundries近日宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI，专为超低功耗芯片打造。FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22nm时代起就纷纷转入了立体晶体...
关键词：SOI工艺 FINFET SOI技术 Intel 超低功耗 晶体管 平面型 台积电 
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