云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- ICP刻蚀

ICP刻蚀: 作品数：93被引量：215H指数：7; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：龚海梅吕英唐恒敬李雪沈光地更多>>; 相关机构：中国科学院厦门大学北京工业大学中国科学院大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>

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ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制被引量：5: 《固体电子学研究与进展》2012年第3期219-224,共6页王玮蔡勇张宝顺黄伟李海鸥; 国家自然科学基金资助项目(10990102);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011173); 深入研究了Cl2基气体电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统对于GaN材料侧壁倾角的控制以及刻蚀速率的影响。通过调整ICP离子源功率、射频功率、气体流量、腔室压力等参数,经实验验证,实现了从23°～83°侧壁倾角的大范围工艺控制,为GaN基器件...; 关键词：电感耦合等离子体刻蚀氮化镓侧壁倾角射频功率

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2011年第5期438-441,488,共5页刘海琪王泉慧焦刚任春江陈堂胜; 介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔...; 关键词：背面通孔氮化镓/碳化硅 ICP刻蚀可靠性

6H-SiC体材料在SF6/O2混合气体中的ICP刻蚀被引量：6: 《固体电子学研究与进展》2009年第3期343-346,共4页丁瑞雪杨银堂韩茹; 国家部委预研项目(No.51308030201);国家部委预研项目(No.51323040118); 采用SF6/O2作为刻蚀气体,对单晶6H-SiC材料的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺进行了研究。分析了ICP功率、偏置电压、气体混合比等工艺参数对刻蚀速率和刻蚀质量的影响。结果表明,刻蚀速率随着ICP功率及偏置电压的增大而提高,刻蚀表面质...; 关键词：碳化硅感应耦合等离子体刻蚀速率微沟槽

Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀对AlGaN的损伤研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2008年第3期420-423,共4页陈亮亢勇赵德刚李向阳龚海梅; 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用,初步研究了Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀对AlGaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱(XPS)对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0.55N表面进行了分析,并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速...; 关键词：感应耦合等离子体铝镓氮 X射线光电子能谱损伤

ICP刻蚀GaP研究及对LED性能的影响被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期154-157,共4页王海玲郭霞周跃平沈光地; 国家自然科学基金(No.60506012);北京市教育委员会科技发展计划重点项目(KZ200510005003);北京市人才强教计划项目(05002015200504);国家973计划(2006CB604902);北京市科技新星计划(2005A11); 深入研究了GaP材料在高密度感应耦合等离子体刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规律;同时将刻蚀GaP材料应用到红光LED制作,即电流...; 关键词：磷化镓感应耦合等离子体刻蚀

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