李国元

作品数:18被引量:66H指数:5
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供职机构:华南理工大学更多>>
发文主题:薄膜晶体管分段式全波整流芯片电路芯片更多>>
发文领域:电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
发文期刊:《半导体技术》《华南理工大学学报(自然科学版)》《农机化研究》《微电子学》更多>>
所获基金:广东省科技计划工业攻关项目广东省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
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基于神经网络的IGBT结温预测被引量:5
《华中科技大学学报(自然科学版)》2019年第7期68-72,共5页李国元 严伟 周斌 肖庆中 
装备发展部技术共性资助项目(JAD1628130);广东省自然科学基金资助项目(2016A030310361);电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金资助项目(614280601041705)
针对大电流下绝缘栅型双极晶体管(IGBT)饱和压降和集电极电流与结温之间的非线性关系带来的结温预测难题,搭建了大电流下IGBT饱和压降测试系统,获取了结温和集电极电流与饱和压降之间的非线性关系曲线,分析了关系曲线变化规律对应的物...
关键词:绝缘栅型双极晶体管(IGBT) 结温预测 饱和压降 神经网络 置信区间 
温度和利用率对CPU性能的影响研究被引量:2
《微电子学》2018年第4期542-547,共6页郭长荣 余永涛 罗军 王小强 罗宏伟 李国元 
广东省自然科学杰出青年基金资助项目(2015A030306002);广东特支计划科技创新青年拔尖人才项目(2015TQ01X030)
随着高性能计算机处理器(CPU)功率密度的增大,温度对CPU计算性能的影响愈发突出。为了解决温度与CPU计算性能之间缺乏定量分析的问题,研究了CPU利用率对温度的影响以及温度对CPU评测分值的影响。采用SPEC CPU2006作为评测基准程序集,结...
关键词:CPU CPU利用率 温度 评测分值 
表面处理工艺对基板表面电化学迁移的影响被引量:3
《腐蚀与防护》2018年第7期515-520,共6页涂家川 李国元 邬博义 
采用水滴试验,研究了表面处理工艺(有机保焊膜、浸锡和化学镍金)对BT树脂基板、陶瓷基板和FR-4基板表面电化学迁移的影响。结果表明:经有机保焊膜与浸锡表面处理工艺的试样的电化学迁移机理符合经典电化学迁移模型;经化学镍金表面处理...
关键词:印制电路板 表面处理 电化学迁移(ECM) 化学镍金(ENIG) 水滴试验 
活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与GaAs基板的低温焊接
《焊接学报》2017年第10期98-102,共5页吴志中 李国元 成兰仙 王小强 
广东省科技计划资助项目(2013B010403003)
采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱仪(EDS)研究了GaAs/Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/GaAs焊接界面的微观结构及焊接机理.通过剪切试验测试了低温活性焊接的力学性能.结果表明,Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊料能够在250℃的空气环境中润湿GaA...
关键词:低温 活性焊接 界面反应 抗剪强度 
焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板低温活性焊接机理
《华南理工大学学报(自然科学版)》2016年第9期67-72,共6页成兰仙 李国元 
广东省科技计划项目(2013B010403003)~~
采用扫描电镜、能谱仪和透射电镜研究了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊接SiO_2基板界面的微观形貌和焊接机理,并根据反应热力学和活性元素的吸附理论分析了Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与SiO_2基板的焊接机理及焊接动力学过程.实验结果表明,焊接界面...
关键词:低温 活性焊接 界面产物 活性元素 
TiO_2纳米颗粒掺杂对Sn-3.0Ag-0.5Cu-xTiO_2焊点界面Cu_6Sn_5 IMC晶粒生长的影响机理被引量:3
《焊接学报》2015年第12期56-60,116,共5页唐宇 骆少明 王克强 李国元 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014ZB0032);广东省自然科学基金资助项目(2014A030313594);广东省科技计划资助项目(2014A020208139;2015A020209179);广东高校特色创新资助项目(KA1548812)
研究了Ti O2纳米颗粒掺杂影响回流焊过程中Sn-3.0Ag-0.5Cu-x Ti O2焊点界面Cu6Sn5金属间化合物(intermetallic compound,IMC)晶粒生长机理.基于Cu原子扩散通量驱动晶粒成熟生长(flux driven ripening,FDR)理论模型分析了Cu6Sn5IMC晶粒...
关键词:无铅焊料 二氧化钛纳米颗粒 金属间化合物 晶粒成熟 回流焊 
基于CPU和DDR芯片的SiP封装可靠性研究被引量:9
《电子元件与材料》2015年第4期79-83,共5页唐宇 廖小雨 骆少明 王克强 李国元 
中国博士后科学基金项目资助(No.2014M552193);中央高校基本科研业务费项目资助(自然科学类)博士启动项目资助(No.2014ZB0032);广东省自然科学基金项目资助(No.S2013020012890);广东省科技计划项目资助(No.2013B010403003)
利用Abaqus有限元分析方法分析了温度循环条件下CPU和DDR双芯片SiP封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对SiP封装体应力应变的影响。结果表明,底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边...
关键词:系统级封装 可靠性 温度循环 应力 应变 有限元分析 
基于正交试验的芯片堆叠封装引线键合工艺研究被引量:2
《电子元件与材料》2014年第7期75-79,共5页唐宇 张鹏飞 吴志中 黄杰豪 李国元 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(No.2014ZB0032);广东省科技计划资助项目(No.2012B020313004);广东高校优秀青年创新人才培养计划资助项目(No.LYM11077);中国博士后科学基金面上资助项目(No.2014M552193)
选取0.203 2 mm(8 mil)金线采用热压超声键合工艺进行烧球、拉力和线尾等一系列正交试验,分析各个键合参数对键合质量的影响。研究结果表明,最优的引线键合工艺窗口为键合温度180℃或190℃、键合功率35 mW、键合时间15 ms或20 ms、键合...
关键词:引线键合 键合功率 键合压力 系统级封装 正交试验 失效机理 
芯片堆叠封装耐湿热可靠性被引量:3
《半导体技术》2014年第7期539-544,共6页唐宇 廖小雨 黄杰豪 吴志中 李国元 
中国博士后科学基金资助项目(2014M552193);广东省科技计划资助项目(2012B020313004);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2014ZB0032);广东高校优秀青年创新人才培养计划资助项目(LYM11077)
采用Abaqus软件模拟了CPU和DDR双层芯片堆叠封装组件在85℃/RH85%湿热环境下分别吸湿5,17,55和168 h的相对湿气扩散分布和吸湿168 h后回流焊过程中湿应力、热应力和湿热应力分布,并通过吸湿和回流焊实验分析了该组件在湿热环境下的失效...
关键词:芯片堆叠封装 湿气扩散 湿热应力 界面分层 有限元分析(FEA) 
纳米锑掺杂对回流焊Sn-3.0Ag-0.5Cu-xSb焊点界面IMC生长的影响机理被引量:3
《焊接学报》2014年第1期95-100,117-118,共6页唐宇 潘英才 李国元 
中央高校基本科研业务费专项资金项目(2014ZB0032);广东省科技计划资助项目(2012B020313004);广东高校优秀青年创新人培养计划资助项目(LYM11077)
研究了纳米锑掺杂对回流焊过程中Sn-3.0Ag-0.5Cu-xSb(x=0,0.2%,1.0%和2.0%)焊点界面金属间化合物(IMC)生长动力学的影响.借助扫描电镜(SEM)观察了焊点的微观结构,利用X射线能谱分析(EDX)及X射线衍射谱仪(XRD)确定了IMC的相和成分.结果表...
关键词:回流焊 纳米掺杂 无铅焊料 金属间化合物 
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