徐永青

作品数：11被引量：78H指数：6
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：微机械硅可变光衰减器微电子机械MEMS更多>>
发文领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《传感技术学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
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光MEMS芯片驱动结构自对准技术被引量：1
《微纳电子技术》2018年第5期366-370,共5页张晓磊 徐永青 杜妙璇 
针对垂直梳齿静电驱动微光机电系统（MOEMS）芯片制备工艺中,用于静电驱动的固定梳齿和可动梳齿难以精确对准的问题,通过开发一种自对准工艺技术,利用一次光刻和预掩蔽层梳齿定位以及连续两次深反应离子刻蚀（DRIE）工艺,可成功实现固...
关键词：光通信 微光机电系统(MOEMS) 垂直梳齿驱动 微镜 自对准技术 
无氨氮化硅薄膜在MEMS硅腐蚀中的应用被引量：2
《微纳电子技术》2014年第3期194-197,202,共5页胥超 徐永青 杨志 
研究了等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)生长的无氨氮化硅薄膜作为掩蔽层在MEMS硅腐蚀工艺中的应用。比较了PECVD不同工艺条件(衬底温度和功率)以及不同四甲基氢氧化铵(TMAH)硅腐蚀液温度对无氨氮化硅薄膜硅腐蚀掩蔽效果的影响。通过优...
关键词：无氨氮化硅 硅腐蚀 等离子体增强化学汽相淀积(PECVD) 腐蚀比 颗粒 
Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用被引量：11
《微纳电子技术》2014年第2期131-135,共5页胥超 徐永青 杨拥军 杨志 
研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合...
关键词：圆片级键合 键合温度 前处理 应力 剪切强度 漏率 
一种集成式硅MEMS振动陀螺仪被引量：3
《微纳电子技术》2013年第8期501-505,共5页李博 杨拥军 徐永青 徐淑静 胥超 何洪涛 罗蓉 卢新艳 
介绍了一种集成式硅MEMS振动陀螺仪。首先阐述了MEMS振动陀螺仪的工作原理;在此基础上,介绍了陀螺敏感结构形式:采用双端固定音叉结构,差分检测,实现对外界角速率的敏感,给出了结构设计和有限元(FEM)仿真结果;加工工艺采用圆片级真空封...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 陀螺仪 SOI工艺 圆片级真空封装 集成封装 专用集成电路(ASIC) 
硅基双层SIW结构毫米波MEMS滤波器被引量：7
《微纳电子技术》2013年第6期376-379,390,共5页杨志 杨拥军 李倩 胡小东 徐永青 
基于MEMS工艺设计并制作了一种小型化毫米波滤波器,该滤波器采用硅基双层SIW的结构形式。理论分析计算了滤波器的结构参数,并使用三维电磁场分析软件HFSS对该结构进行了模拟仿真。设计得到了中心频率f0为31.2 GHz、插入损耗为1.1 dB、1...
关键词：微电子机械系统(MEMS) 滤波器 毫米波 双层 基片集成波导(SIW) 
硅MEMS器件加工技术及展望被引量：23
《微纳电子技术》2010年第7期425-431,共7页徐永青 杨拥军 
介绍了几种典型的硅基MEMS加工技术以及应用,并简单展望了MEMS加工技术发展趋势。硅基MEMS加工技术主要包括体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术。体硅MEMS加工技术的主要特点是对硅衬底材料的深刻蚀,可得到较大纵向尺寸可动微结构,体...
关键词：微电子机械系统 体硅工艺 表面工艺 穿硅通孔 3D封装 
新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究被引量：6
《微纳电子技术》2008年第4期219-221,共3页吕树海 杨拥军 徐淑静 徐爱东 徐永青 
国家高技术研究发展计划资助项目(04Z3)
介绍了一种基于热流原理的新型三轴MEMS热对流加速度传感器,它没有活动质量,无需多个器件组合就可以进行任意方向的加速度信号测量。分析了该器件的工作原理,设计了器件结构,进行了工艺开发,加工出了原理样机。测试表明:该器件实现了三...
关键词：微电子机械系统 三轴 对流场 加速度 传感器 
一种低成本光通信用MEMS可变光衰减器
《传感技术学报》2006年第05A期1731-1734,共4页李海军 杨拥军 王建军 徐永青 郑七龙 陈维友 
介绍了一种采用新型体硅微机械加工工艺研制的低成本光通信用微机械可变光衰减器.根据光通信系统对可变光衰减器的插入损耗低、动态衰减范围大、响应时间短等技术要求,对器件的机械模型结构和光耦合模型结构进行了分析.测试表明器件的...
关键词：微机械 光学微机电系统 可变光衰减器 波分复用 
硅基SiO_2光波导被引量：8
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1546-1550,共5页徐永青 梁春广 杨拥军 赵彤 
国家集成光电子联合重点实验室资助项目~~
在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 ...
关键词：二氧化硅 光波导 硅其 
MEMS光开关被引量：17
《Journal of Semiconductors》2001年第12期1551-1556,共6页梁春广 徐永青 杨拥军 
国家八六三光电子主题;国家集成光电子联合重点实验室资助项目~~
采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理...
关键词：微机械电子系统 光开关 硅-玻璃键合 光通信 
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