国家自然科学基金(50172042)

作品数：22被引量：67H指数：5
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相关作者：王德苗董树荣金浩徐文彬任高潮更多>>
相关机构：浙江大学集美大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关期刊：《电子元件与材料》《真空科学与技术学报》《真空》《微波学报》更多>>
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基于叉指结构的平面分形电容研究被引量：4
《集美大学学报（自然科学版）》2010年第5期389-393,共5页徐文彬 庄铭杰 王德苗 
国家自然科学基金资助(50172042);福建省自然科学基金资助(2009JD1292);集美大学科研启动基金资助
以基于叉指结构的平面分形电容为研究对象,电容由激光刻蚀法制得,在测得其S参数后,利用ADS仿真工具进行了一阶等效电路参数提取及分析.结果表明,随着共面叉指电极间距的相对减小,电极间的耦合增大,相应的寄生电感也增大;而分形设计可以...
关键词：集成薄膜电容 叉指电极 分形 
TiO_2/SiO_2和TiO_2/SiO_xN_y层叠结构高k栅介质比较研究被引量：1
《半导体技术》2010年第2期109-112,共4页徐文彬 王德苗 
国家自然科学基金(50172042);集美大学预研基金(4411-C60825)
以射频磁控溅射为主要工艺,制备了TiO2/SiO2和TiO2/SiOxNy两种层叠结构栅介质。对C-V特性和漏电特性的测试表明,SiO2和SiOxNy等界面层的引入有效地降低了TiO2栅介质电荷密度及漏电流,而不同层叠结构的影响主要通过界面电学性能的差异体...
关键词：栅介质 二氧化钛 层叠介质 射频磁控溅射 高介电常数 
反应溅射SiO_xN_y栅介质薄膜的成分及C-V特性研究
《材料导报》2009年第20期11-12,16,共3页徐文彬 王德苗 
集美大学预研基金(4411-C60825);国家自然科学基金(50172042)
在前期工作基础上,研究了不同反应气体组合条件下SiOxNy栅介质薄膜的反应溅射制备。反应气体的不同组合首先导致薄膜氮氧比以及沉积速率的不同,并进一步导致薄膜电学性能的差异。对薄膜电容-电压特性的分析表明,沉积速率降低会使薄膜体...
关键词：氮氧化硅 氮氧比 C-V特性 栅介质 
工艺参数对磁控溅射金属化薄膜性能的影响被引量：19
《真空》2008年第4期70-74,共5页马元远 王德苗 金浩 郑建潮 
国家自然科学基金(No.50172042)
溅射金属化技术不仅环保,而且工艺过程简单,金属化质量高,将成为未来金属化工艺的主要发展方向。本文采用真空溅射技术在镍锌铁氧体表面制备了Cr(150nm)/Ni-Cu(460nm)/Ag(200nm)结构的金属化复合薄膜,从理论和实验上研究分析了溅射工艺...
关键词：铁氧体 磁控溅射 金属化 
陶瓷介质加载四臂螺旋天线被引量：3
《电子元件与材料》2008年第6期26-29,共4页高阳 王德苗 董树荣 金浩 
国家自然科学基金资助项目(No.50172042)
微波陶瓷介质加载的四臂螺旋天线,体积显著减小,而性能基本不变,是应用在小型化卫星导航定位设备中的理想天线。在介绍四臂螺旋天线结构组成、工作原理和发展过程的基础上,讨论了陶瓷介质加载四臂螺旋天线的特性和制作方法,并指出了存...
关键词：电子技术 陶瓷介质天线 综述 四臂螺旋天线 GPS天线 
铁氧体表面无铅焊接薄膜的磁控溅射制备研究被引量：5
《真空科学与技术学报》2008年第4期341-345,共5页金浩 马元远 王德苗 
国家自然科学基金(No.50172042)
随着环保要求的不断提高,特别是2006年欧盟新环保指令禁止电子产品含有铅、六价铬等重金属,铁氧体以往的电镀焊接薄膜将被明确禁止。本文采用磁控溅射技术在铁氧体表面制备无铅焊接复合薄膜,从理论和实验上研究分析了薄膜的结构、厚度...
关键词：铁氧体 磁控溅射 无铅焊接薄膜 
无机介质集成薄膜电容的制备研究
《电子元件与材料》2007年第9期7-9,共3页徐文彬 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(50172042)
以Cr/Ag/Cr金属膜系为电极,电子束蒸发镁橄榄石(2MgO·SiO2)膜为绝缘介质,在陶瓷基片(表面较粗糙)上制备了MIM结构无机集成薄膜电容。光学显微镜和扫描电镜分析显示,电容的绝缘强度和介电性能主要取决于介质膜致密程度。沉积后适当的热...
关键词：电子技术 薄膜电容 绝缘强度 介电性能 
铁电阴极电子发射研究进展
《真空》2006年第4期43-48,共6页杜晓阳 董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(No.50172042)
铁电发射是一种新型强流受激电子发射,本文综述了铁电弱发射和强发射的研究现状及其发射机理,重点分析了不同的铁电体相结构、电压脉冲激励波形、铁电发射结构以及萃取电压的波形等对铁电阴极电子发射特性和工作机理的影响,总结了目前...
关键词：铁电体 铁电阴极 电子发射 表面等离子体 强激励 
射频反应溅射制备AlN薄膜的研究被引量：1
《传感技术学报》2006年第05A期1459-1461,1465,共4页李侃 董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(50172042)
采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AlN薄膜.在分析Berg迟滞模型的基础上,提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压标识反应进程的高速沉积c轴择优取向AlN薄膜的工艺方法.采用此种方法制备的AlN薄膜,在20W/cm2射频功率...
关键词：AIN 压电薄膜 射频反应磁控溅射 择优取向 FBAR 
高模薄膜体声波谐振器(HBAR)的研究
《传感技术学报》2006年第05B期1927-1929,共3页董树荣 王德苗 
国家自然科学基金资助项目(50172042)
高次模薄膜体声波谐振器(HBAR)具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能,在分析HBAR结构和工作模式的基础上,用MBVD模型在ADS上仿真设计了2GHz谐振频率间隔20MHz的HBAR,实验采用掩模合射频溅射制备了这种HBAR,实测谐振频率间隔22MHz...
关键词：FBAR HBAR 压电薄膜 射频反应磁控溅射 谐振频率 
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