云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(2002CB311904)

国家重点基础研究发展计划(2002CB311904): 作品数：17被引量：18H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：张玉明张义门郭辉王超郝跃更多>>; 相关机构：西安电子科技大学河北半导体研究所教育部深圳市科技和信息局更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《Chinese Physics B》《物理学报》《电子器件》更多>>; 相关主题：4H-SICN-TYPE退火ALGAN/GANN型更多>>; 相关领域：电子电信理学更多>>

高频4H-SiC双极晶体管的研制被引量：2: 《半导体技术》2009年第1期58-61,共4页田爱华崔占东赵彤刘英坤; 国家重点基础研究发展规划资助项目(2002CB311904); 研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失...; 关键词：4H-碳化硅双极晶体管电流增益截止频率

钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文): 《电子器件》2008年第3期770-775,共6页王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆; Project supported by the National Natural Science Foundation of China ( Grant No 60376001);the National Basic Research Program of China ( Grant No 2002CB311904);the National Defense Basic Research Program of China(Grant No 51327020202); 对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析...; 关键词：半绝缘碳化硅钒离子注入退火碳保护膜扩散

Deep Level Transient Fourier Spectroscopy and Photoluminescence of Vanadium Acceptor Level in n-Type 4H-SiC: 《Journal of Semiconductors》2008年第2期240-243,共4页王超张义门张玉明王悦湖徐大庆; 国家自然科学基金(批准号:60376001);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904);国防基础研究规划(批准号:51327020202);教育部重点计划(批准号:106150)资助项目~~; Deep level transient Fourier spectroscopy （DLTFS） measurements are used to characterize the deep impurity levels in n-type 4H-SiC by vanadium ions implantation. Two acceptor levels of vanadium at Ec - 0.81 and Ec - ...; 关键词：4H-SIC vanadium doping acceptor level

AlGaN／GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析被引量：2: 《物理学报》2008年第4期2456-2461,共6页魏巍郝跃冯倩张进城张金凤; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904);国家自然科学基金(批准号:60676048,F040402)资助的课题~~; 对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之...; 关键词：ALGAN/GAN 击穿电压场板长度

Ni基n型SiC材料的欧姆接触机理及模型研究被引量：5: 《固体电子学研究与进展》2008年第1期42-45,共4页郭辉张义门张玉明吕红亮; 国家自然科学基金资助项目(60376001);973项目(2002CB311904)资助; 研究了Ni基n型SiC材料的欧姆接触的形成机理,认为合金化退火过程中形成的C空位(Vc)而导致的高载流子浓度层对欧姆接触的形成起了关键作用。给出了欧姆接触的能带结构图,提出比接触电阻ρC由ρC1和ρC2两部分构成。ρC1是Ni硅化物与其下...; 关键词：碳化硅欧姆接触退火碳空位

Formation of Nickel Based Ohmic Contact to High Energy Vanadium Implanted n-Type 4H-SiC: 《Journal of Semiconductors》2007年第11期1701-1705,共5页王超张义门张玉明郭辉徐大庆王悦湖; 国家自然科学基金(批准号:60376001);国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904);国防基础研究规划(批准号:51327020202)资助项目~~; The diffusion behavior of vanadium （V） implanted in SiC is investigated by secondary ion mass spec- trometry. Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the sample surface, is not ob- s...; 关键词：ohmic contact semi-insulating SiC V ion implantation diffusion carbon vacancies

n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究被引量：3: 《半导体技术》2007年第10期867-870,共4页田爱华赵彤潘宏菽陈昊李亮霍玉柱; 国家重点基础研究发展规划项目(2002CB311904); 介绍了n+-SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n+-SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86°的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得。对于n+-SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到...; 关键词：4H-SIC 同质外延欧姆接触比接触电阻接触的高温稳定性

The fabrication of nickel silicide ohmic contacts to n-type 6H-silicon carbide被引量：2: 《Chinese Physics B》2007年第6期1753-1756,共4页郭辉张义门乔大勇孙磊张玉明; Project supported by the National Basic Research Program of China （Grant No 2002CB311904）, the National Defense Basic Research Program of China （Grant No 51327010101） and the National Natural Science Foundation of China （Grant No 60376001）.; This paper reports that the nickel silicide ohmic contacts to n-type 6H-SiC have been fabricated. Transfer length method test patterns with NiSi/SiC and NiSi2/SiC structure axe formed on N-wells created by N^＋ ion im...; 关键词：ohmic contact silicon carbide nickel silicide N^＋ ion implantation

The simulation of temperature dependence of responsivity and response time for 6H-SiC UV photodetector: 《Chinese Physics B》2007年第5期1276-1279,共4页张义门周拥华张玉明; In this paper the temperature dependence of responsivity and response time for 6H-SiC ultraviolet （UV） photodetector is simulated based on numerical model in the range from 300 K to 900 K. The simulation results sho...; 关键词：6H-Silicon carbide UV photodetector absorption coefficient RESPONSIVITY response time

Evidence of the Role of Carbon Vacancies in Nickel-Based Ohmic Contacts to n-Type Silicon Carbide被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2007年第1期5-9,共5页郭辉张义门张玉明; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311904);国家重点基础研究发展计划军用项目(批准号:51327010101);国家自然科学基金(批准号:60376001)资助项目~~; N-wells are created by P＋ ion implantation into Si-faced p-type 4H-SiC epilayer. Ti and Ni are deposited in sequence on the surface of the active regions. Ni2Si is identified as the dominant phase by X-ray diffracti...; 关键词：NI ohmic contact silicon carbide carbon vacancies P^＋ ion implantation

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