国家杰出青年科学基金(59925205)

作品数：8被引量：4H指数：1
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SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析
《功能材料与器件学报》2008年第6期995-1000,共6页杨志峰 陈静 孙佳胤 武爱民 王曦 
国家973计划资助(2003CB314702);国家自然科学基金资助项目(60571004;90406024);国家杰出青年基金(No.59925205);上海市照明工程专项项目(No.05d211006-3)的资助
通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层...
关键词：SOI GAN 热膨胀系数 热应力 
注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
《功能材料》2007年第A02期866-867,共2页武爱民 陈静 张恩霞 杨慧 张正选 王曦 
国家杰出青年科学基金资助项目（59925205）;国家自然科学基金资助项目（10305018）.
SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX（注氧隔离方法）和UNIBOND SOI（智能剥离方法制备）。在SIMOX SOI的抗辐射加固领域，采用氮离...
关键词：绝缘体上的硅 智能剥离 离子注入 纳米晶 
基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
《功能材料与器件学报》2007年第4期367-370,共4页孙佳胤 陈静 王曦 王建峰 刘卫 朱建军 杨辉 
国家杰出青年基金(No.59925205);上海市政府国家照明工程计划(No.05d211006-3)
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延...
关键词：绝缘体上的硅 氮化镓 金属有机物化学气相外延 降低应力 
新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
《功能材料》2007年第A10期4055-4057,共3页王曦 孙佳胤 武爱民 陈静 王曦1 
国家杰出青年科学基金资助项目（59925205）;上海市固态照明工程项目（05d211006-3）
采用有限元方法，通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底，能有效减少异质外延的晶格失配，但是单从热失配的角度，由于引入了热...
关键词：GAN SOI 热应力 MEMS 
注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1269-1272,共4页张恩霞 钱聪 张正选 王曦 张国强 李宁 郑中山 刘忠立 
国家杰出青年基金(批准号:59925205);上海市基础研究基金(批准号:02DJ14069);国家自然科学基金(批准号:10305018)资助项目~~
分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制...
关键词：氧氮共注 SIMON SOI 离子注入 
具有复合埋层的新型SIMON材料的制备被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第7期814-818,共5页易万兵 陈猛 张恩霞 刘相华 陈静 董业民 金波 刘忠立 王曦 
国家杰出青年基金资助项目 (批准号 :5 992 5 2 0 5 )~~
采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧...
关键词：SIMON SOI 氮氧共注入 PACC 8100 
氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究
《功能材料与器件学报》2003年第1期17-20,共4页易万兵 陈猛 陈静 王湘 刘相华 王曦 
国家杰出青年科学基金(No.59925205)
实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。...
关键词：注氧隔离 氢、氧复合注入 埋层增宽 
低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第7期871-874,共4页郑望 陈猛 陈静 林梓鑫 王曦 
国家自然科学基金委员会国家杰出青年基金资助项目 (批准号 :5 992 5 2 0 5)
用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺...
关键词：SOI 缺陷密度 半导体 硅 集成电路 
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